本公開(kāi)涉及光致抗蝕劑溶解劑，更具體地，涉及發(fā)掘光致抗蝕劑溶解劑的系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)：
1、光刻(photolithography)是指通過(guò)使用光將光掩模的幾何圖案轉(zhuǎn)移到光敏化學(xué)光致抗蝕劑(photoresist，又稱為光刻膠)來(lái)形成圖案的工藝。在形成圖案之后，可通過(guò)光致抗蝕劑溶解劑從圖案去除光致抗蝕劑。較短波長(zhǎng)的光可用于形成較精細(xì)的示圖案，因此可能需要新的光致抗蝕劑和光致抗蝕劑溶解劑。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、示例實(shí)施例提供一種用于通過(guò)驗(yàn)證光致抗蝕劑溶解劑來(lái)發(fā)掘新的光致抗蝕劑溶解劑的系統(tǒng)和方法。
2、根據(jù)示例實(shí)施例的一方面，一種方法包括：獲得限定配體材料的輸入數(shù)據(jù)；基于所述輸入數(shù)據(jù)估計(jì)配體交換反應(yīng)的反應(yīng)能量，在配體交換反應(yīng)中，包括第一金屬和第一配體的第一絡(luò)合物的第一配體與第二配體交換；基于物理模型估計(jì)與反應(yīng)能量對(duì)應(yīng)的第一金屬的殘余濃度；以及基于所述殘余濃度驗(yàn)證提供第二配體的光致抗蝕劑溶解劑。
3、根據(jù)示例實(shí)施例的一方面，一種系統(tǒng)包括：非暫時(shí)性存儲(chǔ)介質(zhì)，存儲(chǔ)指令；以及至少一個(gè)處理器，被配置為執(zhí)行所述指令以：獲得限定配體材料的輸入數(shù)據(jù)；基于所述輸入數(shù)據(jù)估計(jì)配體交換反應(yīng)的反應(yīng)能量，在配體交換反應(yīng)中，包括第一金屬和第一配體的第一絡(luò)合物的第一配體與第二配體交換；基于物理模型估計(jì)與反應(yīng)能量對(duì)應(yīng)的第一金屬的殘余濃度；以及基于所述殘余濃度驗(yàn)證提供第二配體的光致抗蝕劑溶解劑。
4、根據(jù)示例實(shí)施例的一方面，一種存儲(chǔ)指令的非暫時(shí)性存儲(chǔ)介質(zhì)，所述指令由至少一個(gè)處理器執(zhí)行以執(zhí)行方法，所述方法包括：獲得限定配體材料的輸入數(shù)據(jù)；基于所述輸入數(shù)據(jù)估計(jì)配體交換反應(yīng)的反應(yīng)能量，在配體交換反應(yīng)中，包括第一金屬和第一配體的第一絡(luò)合物的第一配體與第二配體交換；基于物理模型估計(jì)與反應(yīng)能量對(duì)應(yīng)的第一金屬的殘余濃度；以及基于所述殘余濃度驗(yàn)證提供第二配體的光致抗蝕劑溶解劑。
1.一種發(fā)掘光致抗蝕劑溶解劑的方法，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，估計(jì)反應(yīng)能量的步驟包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，反應(yīng)能量被確定為第二絡(luò)合物的總能量和第一材料的總能量的和與第一絡(luò)合物的總能量和第二材料的總能量的和之間的能量差。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，基于第一性原理模擬來(lái)確定第二絡(luò)合物的總能量、第二材料的總能量、第一絡(luò)合物的總能量、以及第一材料的總能量中的每個(gè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，物理模型是第一金屬的殘余濃度為對(duì)數(shù)標(biāo)度的線性模型。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求5中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述輸入數(shù)據(jù)包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，估計(jì)反應(yīng)能量的步驟包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求5中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，驗(yàn)證光致抗蝕劑溶解劑的步驟包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求5中的任一項(xiàng)所述的方法，還包括：
10.一種發(fā)掘光致抗蝕劑溶解劑的系統(tǒng)，包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中，所述至少一個(gè)處理器還被配置為執(zhí)行所述指令，以通過(guò)以下處理來(lái)估計(jì)反應(yīng)能量：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中，所述至少一個(gè)處理器還被配置為執(zhí)行所述指令，以將反應(yīng)能量確定為第二絡(luò)合物的總能量和第一材料的總能量的和與第一絡(luò)合物的總能量和第二材料的總能量的和之間的能量差。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中，第二絡(luò)合物的總能量、第二材料的總能量、第一絡(luò)合物的總能量、以及第一材料的總能量均是基于第一性原理模擬計(jì)算的。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中，物理模型是第一金屬的殘余濃度為對(duì)數(shù)標(biāo)度的線性模型。
15.根據(jù)權(quán)利要求10至權(quán)利要求14中的任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中，所述輸入數(shù)據(jù)包括：
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中，所述至少一個(gè)處理器還被配置為執(zhí)行所述指令，以通過(guò)以下處理來(lái)估計(jì)反應(yīng)能量：
17.根據(jù)權(quán)利要求10至權(quán)利要求14中的任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中，所述至少一個(gè)處理器還被配置為執(zhí)行所述指令，以通過(guò)以下處理來(lái)驗(yàn)證光致抗蝕劑溶解劑：
18.一種存儲(chǔ)指令的非暫時(shí)性存儲(chǔ)介質(zhì)，所述指令由至少一個(gè)處理器執(zhí)行以執(zhí)行方法，所述方法包括：
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的非暫時(shí)性存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，估計(jì)反應(yīng)能量的步驟包括：
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的非暫時(shí)性存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，反應(yīng)能量被確定為第二絡(luò)合物的總能量和第一材料的總能量的和與第一絡(luò)合物的總能量和第二材料的總能量的和之間的能量差。