本申請實施例涉及半導體設備領域，具體而言，涉及一種抗等離子腐蝕涂層缺陷修復方法。
背景技術：
1、在半導體制造中，氧化釔等陶瓷涂層因優異的耐高溫和抗等離子體腐蝕性能，被廣泛應用于刻蝕設備的關鍵部件，如反應腔內壁、噴淋板等。
2、目前，這些涂層基本都基于等離子噴涂技術進行制備，但等離子噴涂技術制備得到的鍍層由于材料及加工工藝的特性，不可避免的存在孔隙缺陷；
3、等離子噴涂的材料內部的雜質，會導致形成的涂層具有晶格畸變；
4、等離子噴涂過程中，由于涂層顆粒的融化、凝固情況不同，會導致涂層含有未熔顆粒，氧空位等異常。
5、刻蝕腔體工作時，這些缺陷異常會導致不同頻譜、不同強度的熒光產生，影響刻蝕終點的判斷，影響設備運行穩定性。
技術實現思路
1、本申請實施例提供了一種抑制熒光缺陷的氧化釔涂層制備方法，用于解決因涂層熒光缺陷導致刻蝕制程工藝穩定性差的一系列問題。
2、根據本申請實施例的一個方面，提供了一種抑制熒光缺陷的氧化釔涂層制備方法，包括：
3、提供純度大于99.99%的粉末，且80%的粉末粒徑介于15μm-45μm；
4、煅燒該粉末，煅燒溫度大于等于800℃，煅燒時長大于等于2h；
5、以煅燒后的粉末為原料，采用等離子噴涂工藝形成氧化釔涂層；
6、其中，等離子噴涂過程中，噴涂距離介于150-200mm，送粉速率介于20-30g/min。
7、可選地，?提供的粉末，粉末粒徑介于15μm-45μm。
8、可選地，等離子噴涂過程中，氬氣流量介于50-60?nlpm，氫氣流量介于5-15?nlpm。
9、可選地，等離子噴涂前，待噴涂基體預熱至200℃。
10、可選地，氧化釔涂層的厚度介于5μm?-80μm。
11、可選地，等離子噴涂后，還包括對該涂層退火的步驟；其中，退火溫度介于900-1200℃，升溫及降溫速率≤5℃/min。
12、本申請提供的抑制熒光缺陷的氧化釔涂層制備方法，采用的氧化釔粉末粒徑介于15μm?-45μm，能夠避免粉末粒徑過大或過小，導致涂層出現雜質聚集或稀土元素偏析；等離子噴涂過程中，噴涂距離介于150-200mm，送粉速率介于20-30g/min，粉末噴涂間距、送粉速率以及粉末粒徑相互匹配，能夠避免過度氧化，減少熒光缺陷；也即本申請提供的一直熒光缺陷的氧化釔涂層制備方法制備得到的氧化釔涂層能夠減少刻蝕設備因涂層熒光缺陷影響刻蝕終點判斷的異常情況發生。
1.一種抑制熒光缺陷的氧化釔涂層制備方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述抑制熒光缺陷的氧化釔涂層制備方法，其特征在于，提供的粉末，粉末粒徑介于15μm-45μm。
3.根據權利要求1所述抑制熒光缺陷的氧化釔涂層制備方法，其特征在于，等離子噴涂過程中，氬氣流量介于50-60?nlpm，氫氣流量介于5-15?nlpm。
4.根據權利要求1所述抑制熒光缺陷的氧化釔涂層制備方法，其特征在于，等離子噴涂前，待噴涂基體預熱至200℃。
5.根據權利要求1所述抑制熒光缺陷的氧化釔涂層制備方法，其特征在于，氧化釔涂層的厚度介于5μm?-80μm。
6.根據權利要求1所述抑制熒光缺陷的氧化釔涂層制備方法，其特征在于，等離子噴涂后，還包括對該涂層退火的步驟；其中，退火溫度介于900-1200℃，升溫及降溫速率≤5℃/min。