本發(fā)明涉及傳感器封裝，更具體地，涉及一種用于植入式微型mems傳感器的聚對二甲苯復(fù)合涂層封裝方法。
背景技術(shù)：
1、對于植入式mems（micro-electro-mechanical?system,?微機(jī)電系統(tǒng)）設(shè)備的封裝，有五個主要要求，也即：超薄、耐體液腐蝕、高可靠性、高生物相容性和對傳感器性能的最小影響。不同的應(yīng)用場景可能需要不同的封裝策略，以確保在一系列生理條件下具有最佳的傳感器性能。其中，聚對二甲苯涂層以其低滲透性和微米級最高的生物相容性認(rèn)證而聞名，廣泛應(yīng)用于微機(jī)電系統(tǒng)。然而，較差的粘附性和低熱穩(wěn)定性限制了它們的應(yīng)用。簡單的聚對二甲苯涂層與傳感器表面表現(xiàn)出強(qiáng)烈的摩擦剪切應(yīng)力，導(dǎo)致附著力差，從而導(dǎo)致封裝不可靠。關(guān)于增強(qiáng)涂層附著力，目前有兩種有效的方法：一種方法涉及在mems表面和聚對二甲苯層之間添加a-174偶聯(lián)劑作為粘合層，通過形成共價鍵有效地提高粘著力。另一種方法涉及使用聚對二甲苯共聚物薄膜；由于cf共聚物薄膜中較高的表面能和si-f鍵的存在，與c薄膜和f薄膜相比，它們表現(xiàn)出更大的結(jié)合強(qiáng)度。
2、然而，以上封裝方法均存在封裝結(jié)構(gòu)過大，以及封裝后靈敏度、綜合精度和熱穩(wěn)定性下降的技術(shù)問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本發(fā)明提供了一種用于植入式微型mems傳感器的聚對二甲苯復(fù)合涂層封裝方法，用以解決現(xiàn)有的mems傳感器封裝方法存在封裝結(jié)構(gòu)過大，以及封裝后靈敏度、綜合精度和熱穩(wěn)定性下降的技術(shù)問題。
2、本發(fā)明的一個方面提供了一種用于植入式微型mems傳感器的聚對二甲苯復(fù)合涂層封裝方法，包括：獲取mems傳感器樣品，并對mems傳感器樣品進(jìn)行清潔處理；在清潔處理后的mems傳感器樣品的焊盤上接入導(dǎo)線，形成導(dǎo)電路徑，使得電信號能夠從mems傳感器樣品的內(nèi)部傳遞到外部；對mems傳感器樣品的非涂層區(qū)域進(jìn)行密封；將密封后的mems傳感器樣品置入封裝系統(tǒng)中，加入聚對二甲苯原料進(jìn)行封裝，得到聚對二甲苯涂層，其中，封裝系統(tǒng)被配置為真空環(huán)境。
3、根據(jù)本發(fā)明的實施例，將密封后的mems傳感器樣品置入封裝系統(tǒng)中，加入聚對二甲苯原料進(jìn)行封裝，得到聚對二甲苯涂層包括：將密封后的mems傳感器樣品置入封裝系統(tǒng)中，加入聚對二甲苯c粉進(jìn)行封裝，得到聚對二甲苯?c涂層；其中，聚對二甲苯c粉經(jīng)在60℃～100℃的條件下逐步加熱得到聚對二甲苯?c涂層，在逐步加熱過程中，每隔20分鐘溫度上升2℃。
4、根據(jù)本發(fā)明的實施例，將密封后的mems傳感器樣品置入封裝系統(tǒng)中，加入聚對二甲苯原料進(jìn)行封裝，得到聚對二甲苯涂層包括：將密封后的mems傳感器樣品置入封裝系統(tǒng)中，加入聚對二甲苯f粉進(jìn)行封裝，得到聚對二甲苯f涂層；其中，聚對二甲苯f粉經(jīng)在40℃～80℃的條件下逐步加熱得到聚對二甲苯?f涂層，在逐步加熱過程中，每隔30分鐘溫度上升2℃。
5、根據(jù)本發(fā)明的實施例，將密封后的mems傳感器樣品置入封裝系統(tǒng)中，加入聚對二甲苯原料進(jìn)行封裝，得到聚對二甲苯涂層包括：將密封后的mems傳感器樣品置入封裝系統(tǒng)中，加入按照預(yù)設(shè)比例混合的聚對二甲苯c粉和聚對二甲苯f粉進(jìn)行封裝，得到聚對二甲苯c-f共聚膜涂層；其中，聚對二甲苯c粉和聚對二甲苯f粉的混合物經(jīng)在60℃～100℃的條件下逐步加熱得到聚對二甲苯c-f共聚膜涂層，在逐步加熱過程中，每隔20分鐘溫度上升2℃。
6、根據(jù)本發(fā)明的實施例，將密封后的mems傳感器樣品置入封裝系統(tǒng)中，加入聚對二甲苯原料進(jìn)行封裝，得到聚對二甲苯涂層，還包括：將密封后的mems傳感器樣品置入封裝系統(tǒng)中，加入偶聯(lián)劑進(jìn)行封裝，其中，偶聯(lián)劑用于提高聚對二甲苯涂層的粘附力。
7、根據(jù)本發(fā)明的實施例，偶聯(lián)劑的厚度為500nm-1000nm。
8、根據(jù)本發(fā)明的實施例，聚對二甲苯涂層的厚度為0.5μm-10μm。
9、根據(jù)本發(fā)明的實施例，對mems傳感器樣品進(jìn)行清潔處理包括：使用無塵布和酒精，對mems傳感器樣品的表面進(jìn)行清潔處理。
10、根據(jù)本發(fā)明的實施例，導(dǎo)線包括鋁線和金線。
11、根據(jù)本發(fā)明的實施例，真空環(huán)境的壓力值小于0.026torr。
12、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的用于植入式微型mems傳感器的聚對二甲苯復(fù)合涂層封裝方法，至少具有以下有益效果：
13、（1）本發(fā)明提供的用于植入式微型mems傳感器的聚對二甲苯復(fù)合涂層封裝方法，使用更小、更精密的聚對二甲苯原料（例如c粉、f粉以及c粉和f粉的混合物）進(jìn)行封裝，實現(xiàn)了超薄封裝結(jié)構(gòu)，滿足植入式微型mems傳感器對體積的要求。
14、（2）本發(fā)明提供的用于植入式微型mems傳感器的聚對二甲苯復(fù)合涂層封裝方法，通過引入偶聯(lián)劑，有效增強(qiáng)了聚對二甲苯涂層的粘附性，解決了聚對二甲苯涂層熱穩(wěn)定性低的技術(shù)問題。
15、（3）本發(fā)明提供的用于植入式微型mems傳感器的聚對二甲苯復(fù)合涂層封裝方法，通過調(diào)整聚對二甲苯c粉與聚對二甲苯f粉的混合比例，可針對不同的應(yīng)用需求優(yōu)化涂層的特性。
1.一種用于植入式微型mems傳感器的聚對二甲苯復(fù)合涂層封裝方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將密封后的mems傳感器樣品置入封裝系統(tǒng)中，加入聚對二甲苯原料進(jìn)行封裝，得到聚對二甲苯涂層包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將密封后的mems傳感器樣品置入封裝系統(tǒng)中，加入聚對二甲苯原料進(jìn)行封裝，得到聚對二甲苯涂層包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將密封后的mems傳感器樣品置入封裝系統(tǒng)中，加入聚對二甲苯原料進(jìn)行封裝，得到聚對二甲苯涂層包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項所述的方法，其特征在于，所述將密封后的mems傳感器樣品置入封裝系統(tǒng)中，加入聚對二甲苯原料進(jìn)行封裝，得到聚對二甲苯涂層，還包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述偶聯(lián)劑的厚度為500nm-1000nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述聚對二甲苯涂層的厚度為0.5μm-10μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述mems傳感器樣品進(jìn)行清潔處理包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)線包括鋁線和金線。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述真空環(huán)境的壓力值小于0.026torr。