本發明涉及多層瓷介電容器技術領域，尤其涉及一種降低等效串聯電阻的射頻多層瓷介電容器倒角工藝。
背景技術：
多層瓷介電容器具有比容大、體積小、等效串聯電阻小、無極性、電感低、抗濕性好、頻率特性好、損耗低、可靠性高、電容量穩定性好、綜合性能優異的特點，被廣泛應用于通訊、計算機、航天、航空、電子、兵器等領域。當使用在射頻微波或以上頻段時，往往需要更低等效串聯電阻的產品，以保證在高頻條件較低的能量損失。
技術實現要素：
本發明的目的在于提供一種降低等效串聯電阻的射頻多層瓷介電容器倒角工藝，該倒角工藝能提高倒角效率，降低電容器的邊角缺裂，保證電容器內電極的外露效果，降低內電極與外電極的接觸電阻，降低電容器的等效串聯電阻。
本發明的目的及解決其主要技術問題是采用以下技術方案來實現的：一種降低等效串聯電阻的射頻多層瓷介電容器倒角工藝，包括以下步驟：通過以下磨介：石英砂、碳化硅粉、氧化鋁球、去離子水，和電容陶瓷體按配比和轉速/時間的規定倒角，其特征在于，所述配比為石英砂：碳化硅粉：氧化鋁球：去離子水：電容陶瓷體=（360±30）g:（800±40）g:（500±30）g:（500±50）g:（1000±300）g；所述轉速/時間的規定為：第一步：20r/min/10min；第二步：60r/min/60min；第三步：150r/min/210min。
上述的一種降低等效串聯電阻的射頻多層瓷介電容器倒角工藝，其中：對磨介石英砂、碳化硅粉、氧化鋁球、去離子水和電容陶瓷體的尺寸進行要求如下：石英砂120目，碳化硅粉800目，氧化鋁球直徑3mm，電容陶瓷體1608～5764mm，去離子水無要求。
本發明與現有技術相比具有明顯的優點和有益效果。由以上技術方案可知，本發明具有以下特點：
1、對磨介石英砂、碳化硅粉、氧化鋁球、去離子水和電容陶瓷體的尺寸進行要求，使磨介更為均勻致密。
2、按配比混合，磨介的填充更為緊密和均勻，密度和粘滯阻力更為適中。
3、按不同的時間/轉速分步倒角，能提高倒角效率，降低電容器的邊角缺裂，保證電容器內電極的外露效果。
4、降低內電極與外電極的接觸電阻，降低電容器的等效串聯電阻，電容器可以使用在更高的頻率范圍。
具體實施方式
以下結合較佳實施例，對依據本發明提出的一種降低等效串聯電阻的射頻多層瓷介電容器倒角工藝具體實施方式、結構、特征及其功效，詳細說明如后。
一種降低等效串聯電阻的射頻多層瓷介電容器倒角工藝，包括以下步驟：通過以下磨介：石英砂、碳化硅粉、氧化鋁球、去離子水，和電容陶瓷體按配比和轉速/時間的規定倒角，其特征在于，所述配比為石英砂：碳化硅粉：氧化鋁球：去離子水：電容陶瓷體=（360±30）g:（800±40）g:（500±30）g:（500±50）g:（1000±300）g；所述轉速/時間的規定為：第一步：20r/min/10min；第二步：60r/min/60min；第三步：150r/min/210min。
上述的一種降低等效串聯電阻的射頻多層瓷介電容器倒角工藝，其中：對磨介石英砂、碳化硅粉、氧化鋁球、去離子水和電容陶瓷體的尺寸進行要求如下：石英砂120目，碳化硅粉800目，氧化鋁球直徑3mm，電容陶瓷體1608～5764mm，去離子水無要求。
上述的一種降低等效串聯電阻的射頻多層瓷介電容器倒角工藝表如下表：
下表通過與原倒角工藝進行實驗數據對比，說明本發明可以使電容器的等效串聯電阻降低30mω～100mω。
綜上所述，本發明具有以下特點：
1、對磨介石英砂、碳化硅粉、氧化鋁球、去離子水和電容陶瓷體的尺寸進行要求，使磨介更為均勻致密。
2、按配比混合，磨介的填充更為緊密和均勻，密度和粘滯阻力更為適中。
3、按不同的時間/轉速分步倒角，能提高倒角效率，降低電容器的邊角缺裂，保證電容器內電極的外露效果。
4、降低內電極與外電極的接觸電阻，降低電容器的等效串聯電阻，電容器可以使用在更高的頻率范圍。
5、本發明可以使電容器的等效串聯電阻降低30mω～100mω。
以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，并非對本發明作任何形式上的限制，任何未脫離本發明技術方案內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發明技術方案的范圍內。