本發明涉及半導體制造設備技術，具體涉及一種處理從半導體制造設備的工藝腔室排出的廢氣的等離子體設備。
背景技術：
1、半導體器件是通過在半導體工藝腔室中利用各種工藝氣體在晶圓上重復執行光刻、刻蝕、擴散及金屬沉積等工藝來制造的。在半導體工藝腔室中完成工藝后，半導體工藝腔室中會存在殘留氣體，由于工藝腔室內的殘留氣體包含有毒成分，因此通過真空泵排出并通過洗滌器之類的廢氣處理設備進行凈化。然而，在廢氣流動的過程中，粉末沉積在真空泵以及連接真空泵與洗滌器的排氣管而導致廢氣流動性降低，并成為縮短設備平均故障間隔時間（mean?time?between?failure，mtbf）的原因。
2、在韓國公開專利第10-2007-0024806號中記載了通過在真空管道上安裝加熱夾套來防止廢氣因溫度降低而固化的技術。
技術實現思路
1、要解決的技術問題
2、本發明的目的在于提供一種能夠高效處理從半導體制造設備中利用各種工藝氣體執行半導體制造工藝的工藝腔室排出的廢氣的等離子體處理設備。
3、技術方案
4、為了實現本發明的上述目的，根據本發明的一個方面，提供一種半導體制造設備的廢氣處理用等離子體設備，其處理從執行利用工藝氣體的半導體制造工藝的半導體工藝腔室通過真空泵經由連接所述半導體工藝腔室與所述真空泵的腔室排氣管排出的廢氣，所述設備包括：安裝在所述腔室排氣管上，通過對所述廢氣產生等離子體來去除所述廢氣中包含的待去除成分的排氣管等離子體反應器；通過產生等離子體來分解遠程等離子體源氣體，從而生成包含反應活性種的遠程等離子體的遠程等離子體反應器；同時產生所述排氣管等離子體反應器和所述遠程等離子體反應器運行所需的交流電力的公用電源裝置；以及分配由所述公用電源裝置產生的交流電力并同時供應至所述排氣管等離子體反應器和所述遠程等離子體反應器的電力分配器，其中，所述遠程等離子體被供應至所述廢氣的流動管路上所述半導體工藝腔室與所述真空泵之間的位置，所述排氣管等離子體反應器和所述遠程等離子體反應器中的一個是電感耦合等離子體反應器，另一個是電容耦合等離子體反應器。
5、技術效果
6、根據本發明，可以實現前述的本發明的所有目的。具體地，根據本發明的半導體制造設備的廢氣處理用等離子體設備包括：安裝在作為前級管道（foreline）的腔室排氣管上，在廢氣流動管路上產生等離子體以去除待去除成分的排氣管等離子體反應器；生成從外部供應至排氣管路流動管路上的遠程等離子體的遠程等離子體反應器；同時產生所述排氣管等離子體反應器和所述遠程等離子體反應器運行所需的交流電力的公用電源裝置；以及分配由所述公用電源裝置產生的交流電力并同時供應至所述排氣管等離子體反應器和所述遠程等離子體反應器的電力分配器，因此，在所述排氣管等離子體反應器和所述遠程等離子體反應器同時運行的狀態下，通過所述電力分配器將供應至所述排氣管等離子體反應器的電力和供應至所述遠程等離子體反應器的電力根據工藝條件進行適當分配并供應，從而可以提高整體廢氣處理效率及粉末成分的去除效率。
1.一種半導體制造設備的廢氣處理用等離子體設備，其處理從利用工藝氣體進行半導體制造工藝的半導體工藝腔室通過真空泵經由連接所述半導體工藝腔室與所述真空泵的腔室排氣管排出的廢氣，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體制造設備的廢氣處理用等離子體設備，其中：
3.根據權利要求1所述的半導體制造設備的廢氣處理用等離子體設備，其中，還包括：
4.根據權利要求1所述的半導體制造設備的廢氣處理用等離子體設備，其中，還包括：
5.根據權利要求1所述的半導體制造設備的廢氣處理用等離子體設備，其中，還包括：
6.根據權利要求1所述的半導體制造設備的廢氣處理用等離子體設備，其中，還包括：
7.根據權利要求5或6所述的半導體制造設備的廢氣處理用等離子體設備，其中：
8.根據權利要求5或6所述的半導體制造設備的廢氣處理用等離子體設備，其中，還包括：
9.根據權利要求7或8所述的半導體制造設備的廢氣處理用等離子體設備，其中：
10.根據權利要求1所述的半導體制造設備的廢氣處理用等離子體設備，其中，還包括：
11.根據權利要求1所述的半導體制造設備的廢氣處理用等離子體設備，其中，還包括：
12.根據權利要求1所述的半導體制造設備的廢氣處理用等離子體設備，其中：
13.根據權利要求1所述的半導體制造設備的廢氣處理用等離子體設備，其中：
14.根據權利要求1所述的半導體制造設備的廢氣處理用等離子體設備，其中，還包括：
15.根據權利要求13或14所述的半導體制造設備的廢氣處理用等離子體設備，其中：