本發明涉及一種控制流體的壓力的壓力控制裝置、在壓力控制裝置中包括流量控制方法和壓力控制裝置的基板處理裝置。
背景技術：
1、半導體(或者顯示器)制造工藝是為了在基板(例如：晶圓)上制造半導體元件的工藝，包括例如曝光、沉積、蝕刻、離子注入、清洗等。為了執行各個制造工藝，半導體制造工廠的潔凈室內具備執行各工藝的半導體制造設備，執行針對投入到半導體制造設備的基板的工藝處理。
2、在半導體制造過程中，利用等離子體的工藝，例如蝕刻、沉積被廣泛使用。等離子體處理工藝通過在等離子體處理空間中基板被安放于下部，與用于等離子體處理的處理氣體的供應一起，向位于上部以及下部的電極施加rf(radio?frequency：射頻)信號來執行。
3、另一方面，在等離子體處理中，基板的溫度可以從100℃以上的高溫調節至-10℃以下的低溫。用于均勻地控制基板的整個區域的溫度的流體向基板供應。用于以預期的壓力供應流體的壓力控制裝置位于供應線，在壓力控制裝置的內部具備壓力計以及流量計。
4、由于流體的流量是判斷在流體供應線中流體是否泄露或者配置于流體供應線的構件的壽命的必要信息，因此只要沒有其他因素，在壓力控制裝置內流體的流量需要保持恒定。但是，由于來自配置于如腔體的壓力控制裝置的周邊的部件的熱，壓力控制裝置的內部溫度可能會變化，通過流體的溫度變化而流體的流量可以變化。若發生這樣的由溫度引起的流體的流量變化，則存在難以準確測定流體的流量的問題。
技術實現思路
1、本發明提供一種能夠排除由溫度引起的流體的流量變化，保持流量恒定的壓力控制裝置、流量控制方法以及基板處理裝置。
2、根據本發明的向利用等離子體的基板處理裝置供應的流體的壓力控制裝置包括：流體供應管，形成供所述流體流動的路徑；控制閥，配置于所述流體供應管的流入口側；流量計，測定在所述流體供應管中流動的所述流體的流量；壓力計，測定在所述流體供應管中流動的所述流體的壓力；以及閥控制器，控制所述控制閥的開度。所述壓力控制裝置還包括穿孔板，在所述流體供應管中，在所述控制閥和所述流量計之間形成有多個孔洞且具有測定所述流體的溫度的溫度傳感器。
3、根據本發明的控制向基板處理裝置供應的流體的壓力的壓力控制裝置的工作方法包括基于在所述流量計測定的流量值、在所述壓力計測定的壓力值和在所述溫度傳感器測定的溫度值來控制所述控制閥的步驟。
4、根據本發明的利用等離子體的基板處理裝置包括：腔體，在內部具有處理空間；基板支承單元，配置于所述處理空間且支承基板；流體供應單元，通過所述基板支承單元向所述基板供應用于溫度調節的流體；氣體供應單元，向所述處理空間供應處理氣體；以及等離子體發生單元，用于從所述處理氣體生成等離子體。
5、根據本發明，在配置于流量控制器內的流體供應管的穿孔板設置溫度傳感器，可以通過溫度傳感器準確地測定沿著流體供應管流動的流體的溫度，通過控制對應于溫度變化來控制控制閥，從而在流量控制器內，即使溫度變化，流體的流量也可以保持恒定。
1.一種壓力控制裝置，是向基板處理裝置供應的流體的壓力控制裝置，其中，所述壓力控制裝置包括：
2.根據權利要求1所述的壓力控制裝置，其中，
3.根據權利要求1所述的壓力控制裝置，其中，
4.根據權利要求3所述的壓力控制裝置，其中，
5.根據權利要求1所述的壓力控制裝置，其中，
6.根據權利要求5所述的壓力控制裝置，其中，
7.根據權利要求5所述的壓力控制裝置，其中，
8.根據權利要求7所述的壓力控制裝置，其中，
9.根據權利要求1所述的壓力控制裝置，其中，
10.一種壓力控制裝置的工作方法，所述壓力控制裝置控制向基板處理裝置供應的流體的壓力，其中，
11.根據權利要求10所述的工作方法，其中，
12.一種基板處理裝置，利用等離子體，其中，所述基板處理裝置包括：
13.根據權利要求12所述的基板處理裝置，其中，
14.根據權利要求12所述的基板處理裝置，其中，
15.根據權利要求14所述的基板處理裝置，其中，
16.根據權利要求12所述的基板處理裝置，其中，
17.根據權利要求16所述的基板處理裝置，其中，
18.根據權利要求17所述的基板處理裝置，其中，
19.根據權利要求18所述的基板處理裝置，其中，
20.根據權利要求19所述的基板處理裝置，其中，