本發明涉及電子電路領域，具體地，涉及一種硅基pin光電二極管、制作方法及電子器件。
背景技術：
1、硅基pin光電二極管是用來探測紫外、可見光以及紅外光范圍的半導體器件，其原理是利用硅的光電效應，光照射硅材料，當光子能量大于硅的禁帶寬度（約1.1ev）時，光子被硅材料吸收，價帶電子獲得能量躍遷至導帶，形成電子空穴對，在pn結空間電荷區電場作用下分離，形成光電流。pin光電二極管由p-i-n三層結構組成的光電二極管，在重摻雜的p+和n+區中間加入i層低阻區。加反偏電壓工作時，i區幾乎可以全部耗盡。
2、由于硅基半導體工藝成熟，硅基pin光電二極管在光電探測領域得到廣泛應用。隨著市場對硅基pin光電二極管探測靈敏度和響應度的要求越來越高，需要對其工藝和結構進行優化升級，以最大程度提高其性能參數。同時，市場端對芯片尺寸有要求，需要在結構上進行優化，提高芯片面積的利用率。
3、現有的硅基pin光電二極管主要利用成熟的硅基半導體平臺設計和生產，一般步驟如下：選擇高電阻率的n型晶圓，在正面形成厚的場氧層，光刻場氧層形成光敏區和截止區（隔離區），殘留的場氧區形成保護區，可以降低暗電流。光敏區摻雜硼，形成p+區。截止區（隔離區）摻雜磷，形成n+區。分別在p區和n區上光刻出接觸孔，沉積金屬，形成陽極和正面陰極。背面減薄，摻雜磷形成n+區，背面金屬化，可以作為背面陰極。
4、現有的硅基pin光電二極管生產工藝比較傳統，pn結的結深不能很好的控制，芯片減薄的厚度受到一定限制，從而光電性能的提升受到一定限制。同時芯片的面積利用率也受到制約。
技術實現思路
1、針對現有技術中的缺陷，本發明的目的是提供一種硅基pin光電二極管、制作方法及電子器件。
2、根據本發明提供的一種硅基pin光電二極管的制作方法，包括步驟：
3、場氧氧化：對fz單晶的晶圓采用濕氧氧化法，在晶圓正面得到預設厚度的場氧；
4、一次光刻：在晶圓的邊緣進行光刻，暴露晶圓上的截止區制備區域；
5、一次p注入/退火：在截止區制備區域離子注入p元素并退火，得到n-well截止區；
6、二次場氧氧化：繼續濕氧氧化，在晶圓正面得到預設厚度的場氧；
7、二次光刻：在晶圓的中部進行光刻暴露晶圓上的光敏區制備區域，在光敏區制備區域上通過干法氧化得到sio2薄膜層；
8、bf2注入/退火：在光敏區制備區域離子注入bf2元素并退火，得到光敏區；
9、三次光刻：在晶圓的邊緣進行光刻，暴露所述n-well截止區用于制作陰極接觸區的第一區域；
10、二次p注入/退火：在所述第一區域注入p元素并退火，得到陰極接觸區；
11、四次光刻：在晶圓的中部進行光刻，暴露局部的光敏區用于制作陽極接觸區的第二區域；
12、b注入/退火：在所述第二區域注入b元素并退火，得到陽極接觸區；
13、氮化硅沉積：在晶圓正面形成氮化硅薄膜；
14、五次光刻：在陽極接觸區和陰極接觸區上方進行光刻形成接觸孔；
15、金屬沉積：在晶圓正面沉積金屬；
16、六次光刻：對沉積的金屬進行光刻，得到陽極金屬、陰極金屬；
17、背面減薄：在晶圓的背面在預設范圍內進行減薄；
18、背面注入n+：在晶圓的背面注入p元素并退火，得到n+層。
19、進一步地，所述場氧氧化中，所述晶圓的晶向為(100)，未經過中子輻射，電阻率范圍為1000-3000ohm-cm，所述晶圓采用gettering吸雜工藝進行吸雜，成為所述硅基pin光電二極管的n-區；
20、所述晶圓在980℃下濕氧氧化法，得到厚度5k??的場氧。
21、進一步地，所述sio2薄膜層厚度為100???-200??；
22、所述氮化硅薄膜的厚度在400??-800??。
23、進一步地，所述n-well截止區與所述光敏區之間的間距d1為30um-50um。
24、進一步地，所述n-well截止區的長度d2為20um-40um。
25、進一步地，所述光敏區結深0.5-0.7um，摻雜濃度1×?1016～1×?1019cm-3；
26、所述陽極接觸區結深0.8-1um，摻雜濃度1×?1019～1×?1020cm-3。
27、進一步地，所述背面減薄中，厚度d3為100um-220um。
28、進一步地，在所述背面注入n+之后，還包括：
29、背面金屬化：對晶圓的背面進行背面金屬化，形成背面電極；
30、合金化：形成歐姆接觸；
31、劃片：對晶圓進行劃片。
32、根據本發明提供的一種硅基pin光電二極管，采用所述的硅基pin光電二極管的制作方法制備得到。
33、根據本發明提供的一種電子器件，包括所述的硅基pin光電二極管。
34、與現有技術相比，本發明具有如下的有益效果：
35、本發明利用成熟的功率半導體生產線，對生產流程進行優化，設計得到一種優化的器件結構，能夠以相同的芯片尺寸下得到最大的光響應度和最小的暗電流，同時，降低寄生電容，提升光響應速度。
36、高可靠性：氮化硅層下面增加二氧化硅緩沖層，可以有效緩解硅-氮化硅表面應力不匹配的問題，提高芯片可靠性。
37、高響應度：通過p-層，n-層，以及芯片厚度d3調節，可以最大化光敏特性。
38、低暗電流：通過截止區，背面重摻雜以及光敏區和截止區之間間距d1、截止區長度d2距離調節，可以顯著降低暗電流。
39、高響應速度：通過芯片厚度d3調節，可以顯著提高響應速度。
1.一種硅基pin光電二極管的制作方法，其特征在于，包括步驟：
2.根據權利要求1所述的硅基pin光電二極管的制作方法，其特征在于，所述場氧氧化中，所述晶圓的晶向為(100)，未經過中子輻射，電阻率范圍為1000-3000ohm-cm，所述晶圓采用gettering吸雜工藝進行吸雜，成為所述硅基pin光電二極管的n-區（3）；
3.?根據權利要求1所述的硅基pin光電二極管的制作方法，其特征在于，所述sio2薄膜層（7）厚度為100???-200??；
4.根據權利要求1所述的硅基pin光電二極管的制作方法，其特征在于，所述n-well截止區（4）與所述光敏區（5）之間的間距d1為30um-50um。
5.根據權利要求1所述的硅基pin光電二極管的制作方法，其特征在于，所述n-well截止區（4）的長度d2為20um-40um。
6.?根據權利要求1所述的硅基pin光電二極管的制作方法，其特征在于，所述光敏區（5）結深0.5-0.7um，摻雜濃度1×?1016～1×?1019cm-3；
7.根據權利要求1所述的硅基pin光電二極管的制作方法，其特征在于，所述背面減薄中，厚度d3為100um-220um。
8.根據權利要求1所述的硅基pin光電二極管的制作方法，其特征在于，在所述背面注入n+之后，還包括：
9.一種硅基pin光電二極管，其特征在于，采用權利要求1-8任一項所述的硅基pin光電二極管的制作方法制備得到。
10.一種電子器件，其特征在于，包括權利要求9所述的硅基pin光電二極管。