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        背接觸電池及其制備方法、制備設備及光伏組件與流程

        文檔序號:45762415發布日期:2026-06-10 00:52閱讀:2來源:國知局

        本申請涉及太陽能電池,特別是涉及一種背接觸電池及其制備方法、制備設備及光伏組件。


        背景技術:

        1、光伏組件主要由光伏電池片、光伏玻璃、膠膜、背板和邊框組成。

        2、背接觸電池片作為光伏電池片中的一種,通過將正、負電極均設置在電池片的背光面,能夠減少柵線對光的遮擋,增加受光面積,提升其使用性能。


        技術實現思路

        1、基于此,有必要提出一種能減少漏電風險的一種背接觸電池,還提出一種背接觸電池的制備方法、制備設備及光伏組件。

        2、本申請第一方面提出一種背接觸電池的制備方法,所述背接觸電池的制備方法包括:提供半導體基底,所述半導體基底包括相背設置的第一表面和第二表面,所述第一表面包括第一區域、第二區域及第三區域,所述第三區域位于第一區域和第二區域之間,所述第一區域包括第一子區域和第二子區域;在所述第一表面的第一區域和第三區域上形成第一摻雜疊層;在所述第一表面沉積掩膜層;利用激光至少部分去除所述第三區域及所述第二子區域的所述第一摻雜疊層。

        3、一些實施例中,所述掩膜層為氧化鋁層。

        4、一些實施例中,在所述第一表面沉積掩膜層的同時,在所述第二表面上同時形成氧化鋁層。

        5、一些實施例中,利用激光至少部分去除所述第三區域及所述第二子區域的所述第一摻雜疊層中,在所述第二子區域和所述第三區域形成第二摻雜疊層;所述第一摻雜疊層的厚度d1滿足50nm<d1≤250nm,和/或,所述第二摻雜疊層的厚度d2滿足d2≤50nm。

        6、一些實施例中,在所述第一表面的第一區域和第三區域形成第一摻雜疊層,包括:在所述第一表面上形成隧穿層和摻雜晶硅層;沉積阻隔層;去除所述第二區域的隧穿層和摻雜晶硅層和所述阻隔層,及去除所述第一區域和第三區域的所述阻隔層。

        7、一些實施例中,利用激光至少部分去除所述第三區域及所述第二子區域的所述第一摻雜疊層,包括:采用第一脈沖激光和第二脈沖激光交替工作,所述第一脈沖激光的頻率小于所述第二脈沖激光的頻率。

        8、一些實施例中,所述第一脈沖激光的單次工作時間是第二脈沖激光單次工作時間的1倍至5倍。

        9、一些實施例中,所述第一脈沖激光的頻率為200-500hz;所述第二脈沖激光的頻率為700-1500hz。

        10、一些實施例中,還包括:濕法化學清洗去除第一表面上的掩膜層;在所述第一表面沉積鈍化層和摻雜層;去除所述第一區域的鈍化層和摻雜層;在所述第一表面沉積導電膜;去除所述第三區域的部分所述導電膜,形成隔離區;在所述第一子區域和所述第二區域分別形成電極。

        11、本申請第二方面,提出一種背接觸電池的制備設備,包括:膜層沉積裝置,用于在半導體基底的表面沉積第一摻雜疊層,所述半導體基底包括相背設置的第一表面和第二表面,所述第一表面包括第一區域、第二區域及第三區域,所述第三區域位于第一區域和第二區域之間,所述第一區域包括第一子區域和第二子區域,所述第一表面的第一區域和第三區域形成第一摻雜疊層;激光蝕刻裝置,用于在利用激光至少部分去除所述第三區域及所述第二子區域的所述第一摻雜疊層。

        12、本申請第三方面,提出一種背接觸電池,通過上述的背接觸電池的制備方法得到。

        13、本申請第四方面,提出一種光伏組件,包括蓋板;至少一個電池串,所述電池串包括通過上述的背接觸電池的制備方法得到的背接觸電池;以及背板,與所述蓋板分別位于所述電池串的兩側。

        14、本申請中,第三區域及第二子區域的第一摻雜疊層至少部分地被去除,這樣第二子區域及第三區域的摻雜層的厚度較薄,能夠抑制第二子區域及第三區域的摻雜層橫向擴散范圍,避免其延伸至其他結構層產生過度接觸,從而使得背接觸電池具有較低的漏電風險,且能夠降低第二子區域的寄生吸收,提升背接觸電池的雙面率,從而提升背接觸電池的發電量。此外,本申請中,采用激光去除第三區域及第二子區域的第一摻雜疊層,工藝簡單成本低。


        技術特征:

        1.一種背接觸電池的制備方法,其特征在于,所述背接觸電池的制備方法包括:

        2.根據權利要求1所述的背接觸電池的制備方法,其特征在于,所述掩膜層為氧化鋁層。

        3.根據權利要求2所述的背接觸電池的制備方法,其特征在于,在所述第一表面沉積掩膜層的同時,在所述第二表面上同時形成氧化鋁層。

        4.根據權利要求1所述的背接觸電池的制備方法,其特征在于,在所述第一表面的第一區域和第三區域上形成第一摻雜疊層,包括:

        5.根據權利要求1所述的背接觸電池的制備方法,其特征在于,利用激光至少部分去除所述第三區域及所述第二子區域的所述第一摻雜疊層,包括:

        6.根據權利要求5所述的背接觸電池的制備方法,其特征在于,所述第一脈沖激光的單次工作時間是第二脈沖激光單次工作時間的1倍至5倍。

        7.根據權利要求5所述的背接觸電池的制備方法,其特征在于,所述第一脈沖激光的頻率為200-500hz;所述第二脈沖激光的頻率為700-1500hz。

        8.根據權利要求1所述的背接觸電池的制備方法,其特征在于,還包括:

        9.一種背接觸電池的制備設備,其特征在于,用以實施如權利要求1所述的背接觸電池的制備方法,包括:

        10.一種背接觸電池,其特征在于,通過權利要求1-8任一項所述的背接觸電池的制備方法得到。

        11.一種光伏組件,其特征在于,包括:


        技術總結
        本申請屬于太陽能電池技術領域,具體涉及一種背接觸電池及其制備方法、制備設備及光伏組件,能夠降低漏洞風險,其中所述背接觸電池的制備方法包括:提供半導體基底,所述半導體基底包括相背設置的第一表面和第二表面,所述第一表面包括第一區域、第二區域及第三區域,所述第三區域位于第一區域和第二區域之間,所述第一區域包括第一子區域和第二子區域;在所述第一表面的第一區域和第三區域形成第一摻雜疊層;在所述第一表面沉積掩膜層;利用激光至少部分去除所述第三區域及所述第二子區域的所述第一摻雜疊層。

        技術研發人員:孫玉峰,端偉元
        受保護的技術使用者:晶科能源(海寧)有限公司
        技術研發日:
        技術公布日:2026/6/9
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