本公開涉及形成具有改進階級覆蓋的膜、相關裝置、相關系統及相關方法。相關申請案的交叉參考本申請案根據35?usc?119之規定主張2023年8月29日申請的第63/535,287號美國臨時專利申請案及2024年6月6日申請的第63/656,991號美國臨時專利申請案的權益，每一案的全部公開內容特此以引用方式并入本文中。
背景技術：
1、經由氣相沉積過程沉積的膜可導致不均勻膜。與金屬前驅源的自分解及不充分擴散或金屬前驅源的劑量相關聯的問題可導致不均勻膜沉積。依類似方式，共反應物可具有與膜表面上的分解、不充分擴散、不充足劑量或其任何組合相關聯的問題。
2、公開內容
3、本公開的一些實施例涉及一種方法。在一些實施例中，所述方法是用于形成膜的方法。在一些實施例中，所述方法包括使具有含至少10:1的縱橫比的至少一個結構的襯底暴露于第一前驅氣體。在一些實施例中，所述方法包括使進料氣體流動到臭氧產生器以產生第二前驅氣體，所述進料氣體包括基于所述進料氣體的總體積的至少1體積%的n2。在一些實施例中，所述方法包括使所述襯底暴露于所述第二前驅氣體以在所述襯底的所述至少一個結構上形成具有至少90%的階級覆蓋的膜。
4、本公開的一些實施例涉及一種裝置。在一些實施例中，所述裝置包括襯底。在一些實施例中，所述襯底具有含至少10:1的縱橫比的至少一個結構。在一些實施例中，所述裝置包括膜。在一些實施例中，所述膜以至少90%的階級覆蓋定位于所述至少一個結構上。在一些實施例中，所述膜包括金屬氧化物。在一些實施例中，所述膜包括由sims測量的小于1×1020個氫原子/立方厘米的濃度。
技術實現思路
1.一種裝置，其包括：
2.根據權利要求1所述的裝置，其中所述襯底包括硅、氧化硅、絕緣體上硅(soi)、摻碳氧化硅、氮化硅、摻雜硅、鍺、砷化鎵、玻璃、藍寶石、金屬、金屬氮化物、金屬合金或其任何組合中的至少一者。
3.根據權利要求1所述的裝置，其中所述至少一個結構由所述襯底界定且包括溝渠、氣室、腔、孔、通道或其任何組合中的至少一者。
4.根據權利要求1所述的裝置，其中所述至少一個結構的所述縱橫比是10:1到100:1。
5.根據權利要求1所述的裝置，其中所述膜直接接觸所述至少一個結構的一表面。
6.根據權利要求1所述的裝置，其中所述膜包括氧化鉿、氧化鋯、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭、氧化鈮、氧化釩、氧化鎵、氧化銦、氧化硅或其任何組合中的至少一者。
7.根據權利要求1所述的裝置，其中所述膜具有1?nm到5?μm的厚度。
8.根據權利要求1所述的裝置，其中所述膜具有1?nm到500?nm的厚度。
9.根據權利要求1所述的裝置，其中所述膜包括由sims測量的小于10×1018個碳原子/立方厘米。
10.一種方法，其包括：
11.根據權利要求10所述的方法，其中所述襯底包括硅、氧化硅、絕緣體上硅(soi)、摻碳氧化硅、氮化硅、摻雜硅、鍺、砷化鎵、玻璃、藍寶石、金屬、金屬氮化物、金屬合金或其任何組合中的至少一者。
12.根據權利要求10所述的方法，其中所述至少一個結構由所述襯底界定且包括溝渠、氣室、腔、孔、通道或其任何組合中的至少一者。
13.根據權利要求10所述的方法，其中所述至少一個結構的所述縱橫比是10:1到100:1。
14.根據權利要求10所述的方法，其中所述第一前驅氣體包括sicl4、六氯乙硅烷、hfcl4、zrcl4、alcl3、三甲基鋁、ticl4、tacl5、nbcl5、vcl4、gacl3、incl3、三(二甲基酰胺基)環戊二烯基鉿、三(二甲基酰胺基)環戊二烯基鋯、四(乙基甲基胺基)鉿、四(乙基甲基胺基)鋯、四(二乙基胺基)鉿、四(二甲基胺基)鉿或其任何組合中的至少一者。
15.根據權利要求10所述的方法，其中所述進料氣體包括：
16.根據權利要求10所述的方法，其中所述進料氣體包括：
17.根據權利要求10所述的方法，其中所述第二前驅氣體包括臭氧(o3)。
18.根據權利要求10所述的方法，其中所述第二前驅氣體進一步包括氧氣(o2)、水(h2o)、過氧化氫(h2o2)、一氧化二氮(n2o)、一氧化氮(no)、五氧化二氮(n2o5)、二氧化氮(no2)或其任何組合中的至少一者。
19.根據權利要求10所述的方法，其中所述膜包括：
20.根據權利要求10所述的方法，其中所述膜包括氧化鉿、氧化鋯、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭、氧化鈮、氧化釩、氧化鎵、氧化銦、氧化硅或其任何組合中的至少一者。