本公開主要涉及一種具有量子隨機數發生器與熵源的可控型和/或自控型對象。
背景技術：
1、在眾多科學技術領域中，隨機事件和概率的確定都扮演著極為突出的角色。例如，蒙特卡洛模擬、發送器和/或組件個性化、總線尋址法和安全加密法都在很大程度上依賴于提供隨機數。就此，一般會區分偽隨機數與真隨機數。
2、偽隨機數是由偽隨機數發生器（pseudo?random?number?generator，prng）借由確定性公式生成，即并非絕對隨機；而用于提供真隨機數的非確定性隨機數發生器（truerandom?number?generator，trng）則一般是基于真實的不可預測過程，如熱噪聲或大氣噪聲，而非基于人工生成的確定性算法模式。然而，此類基于外部參數的非確定性隨機數發生器因所依賴的基礎隨機元素而表現出弱相關性，其結果仍可能例如始終略趨向于更大或偶數的數字，從而使如此生成的隨機數至少在某種程度上仍具一定可預測性。再者，此類真隨機數發生器（trng）例如在將熱熵源用于隨機數的情況下，如果構建不充分，可能會從外部受到操縱。
3、相比之下，所謂的量子隨機數發生器（quantum?random?number?generator，qrng）作為真隨機數發生器（trng）的特殊子類，基于基礎的量子隨機數生成過程，至少在理論上與任何其他影響統計的外部因素和效應無關，進而不存在所謂的側信道使隨機數生成過程受到影響。
4、量子隨機數發生器可以借助光子的隨機特性來實現（作為光子量子隨機數發生器）。一種傳統的隨機數生成概念是基于利用光子到達光子探測器的隨機時間。這種分布效應是基于相關光子源的光子固有統計特性（原則上無法確定性計算得出），可用來提供真隨機數。光子到達單光子探測器的時間通常呈指數分布。
5、專利文獻ep3529694涉及一種（量子）隨機數發生器，其包括光子源、一個或多個光子探測器（配置為使其探測屬于光子源所產生的被探測光子流中的至少一個光子）以及與光子探測器功能性連接的電子采樣機構（配置為使其執行基于每個被探測光子的到達時間來提取二進制序列的邏輯方法）。在該隨機數發生器中，光子源和光子探測器并置并集成到單個半導體襯底中。
6、專利文獻wo2016/016741a1涉及一種（量子）隨機數發生器，其包括光子源和一個或多個spad型光子探測器（配置為探測等于λ的光子通量），其中由光子源產生光子。該隨機數發生器還包括電子采樣機構。這些電子采樣機構配置為使其針對每個觀測窗口tw記錄入射到每個spad型光子探測器上的光子的到達時間t，并且還配置為使其將到達時間t轉換為二進制序列。光子源和電子采樣機構配置為使乘積λ*tw小于或等于0.01。
技術實現思路
1、本公開的可選技術目的在于提供一種適于完善現有技術的設備和/或方法。
2、一種可能的具體目的在于提出一種具備高安全性的熵源或量子隨機數發生器。附加地或替選地，一種可能的具體目的在于提出一種面積占用小的熵源或量子隨機數發生器。附加地或替選地，一種可能的具體目的在于提出一種適用于可控型和/或自控型對象中的熵源或量子隨機數發生器。
3、本公開用以達成上述目的的解決方案為各獨立權利要求的特征。本公開的可選改進方案請參閱從屬權利要求。
4、據此，為了達成上述目的，本公開提出了一種可控型和/或自控型對象，其中該對象包括用于產生對象特定行為的動作機構、用于根據相應的控制信息來控制動作機構的控制機構以及用于檢測作用于對象的環境影響的檢測機構。所述對象包括量子隨機數發生器。該量子隨機數發生器包括單片集成的熵源。該熵源包括光子源和光子探測器，其中光子源設計為發射光子，其中該光子源包括第一外殼，其中該第一外殼由第一底面、第一頂面和使第一底面和第一頂面相互連接的至少一個第一側面形成，并且光子探測器設計為探測光子源所發射的光子，其中該光子源的第一底面朝向光子探測器布置。該量子隨機數發生器包括電子電路，該電子電路設計為依賴于熵源的輸出信號來生成隨機比特，其中該熵源的輸出信號（405）的特性依賴于光子探測器所探測到的光子的時間頻率，且其中控制機構設計為依賴于通過檢測機構檢測到的環境影響并依賴于隨機比特來驅控動作機構。
5、光子探測器可以包括第二外殼，其中該第二外殼由第二底面、第二頂面和使第一底面與第一頂面相互連接的至少一個第二側面形成。光子源的第一底面可以朝向光子探測器的第二底面布置。
6、附加地或替選地，為了達成上述目的，本公開還提出了單片集成的熵源，可選為量子隨機數發生器的熵源，其中該熵源包括光子源，其設計為發射光子。該熵源包括光子探測器，其設計為探測光子源所發射的光子。該光子探測器包括第二外殼，其中該第二外殼由第二底面、第二頂面和使第二底面與第二頂面相互連接的至少一個第二側面形成。該光子探測器的第二底面朝向光子源布置。
7、亦即，可以提供一種在具有表面的半導體襯底上一體式構造的熵源。該熵源可以是具有至少一個光子源和至少一個光子探測器的豎直熵源。在此，半導體襯底的表面可以定義為水平面，該水平面具有第一平面方向（第一平面矢量）以及與第一平面方向不同的第二平面方向（第二平面矢量）。關于半導體襯底表面的水平面的第一方向和第二方向，光子源和光子探測器可以沿相對于第一平面方向和第二平面方向的豎直方向布置于半導體襯底中。亦即，光子源可以布置于該表面與光子探測器之間。也可設想，光子探測器布置于該表面與光子源之間。可以設想，熵源是基于量子過程來生成真隨機數的（隨機數）發生器的一部分，其配置為依賴于熵源的輸出信號來生成一個或多個隨機比特。
8、單片集成的熵源可理解為光子源和光子探測器構造于半導體襯底中的熵源，該半導體襯底可選地具有一層、兩層或更多層不可分離的連接層。
9、熵源可理解為輸出隨機或非確定性的物理信息源。這一點主要可以通過熵源包括非確定性光子源來實現。即，提出了一種輸出信號非確定性的熵源。
10、可以設想，輸出信號非確定性的熵源可理解為滿足美國國家標準與技術研究院（national?institute?of?standards?and?technology，nist）于2010年4月發布的nist?sp800-22第1版指南中所列測試（約計15項）的熵源。這些測試可用于判定熵源和/或包括該熵源的隨機數發生器是否具備足夠的熵量（或不具備足夠的熵量），即其是否為非確定性。
11、光子源可理解為設計為在其運行中發射光子的物理單元。
12、非確定性光子源可理解為無法預測或無法精確預測其何時發射一個（或多個）光子的時刻的光子源。換言之，發射光子的確切時刻為隨機的。但仍可設想，例如依賴于環境影響（如溫度），可以估計預定長度的時段內發射的光子數量的概率。
13、光子探測器可理解為設計為在其運行中探測或可測量地采集光子的物理單元。
14、光子探測器或光子源的外殼可理解為與光子探測器或光子源的環境（即例如半導體襯底）相接觸的面（表面）。
15、光子探測器和/或光子源可以基本上呈圓柱體形狀。圓柱體具有圓形底面和圓形頂面，其中這兩個面相對布置。側面或側表面沿著圓柱體的整個高度延伸，因此使頂面與底面相互連接而形成封閉體。圓柱體的高度等于頂面到底面的（垂直）距離。底面半徑可以大于圓柱體高度。
16、光子探測器和/或光子源可以基本上呈長方體形狀。長方體具有矩形底面和矩形頂面，其中這兩個面相對布置。側面由多個（確切而言為四個）側面組成并沿著長方體的整個高度延伸，因此使頂面與底面相互連接而形成封閉體。長方體的高度等于頂面到底面的（垂直）距離。長方體的底面對角線可以大于其高度。
17、光子源可以設計為經其底面發射光子。光子探測器可以設計為探測撞擊其底面的光子。
18、如上所述，光子源的底面可以朝向光子探測器。亦即，無論光子源的三維形狀如何，光子源的底面皆可基本上構造于二維平面上，其中垂直于該平面、從而垂直于該底面的法向量指向光子探測器方向。在光子源呈長方體形狀的情況下，底面可以是光子源最大面積的表面，或僅次于頂面第二大面積的表面。
19、如上所述，光子探測器的底面可以朝向光子源。亦即，無論光子探測器的三維形狀如何，光子探測器的底面皆可基本上構造于二維平面上，其中垂直于該平面、從而垂直于該底面的法向量指向光子源方向。在光子源呈長方體形狀的情況下，底面可以是光子源最大面積的表面，或僅次于頂面第二大面積的表面。
20、就此，兩個底面也可以彼此相向布置。
21、根據熵源的設計，即光子源的底面朝向光子探測器布置，其優勢在于，經由光子源底面發射的光子會射向光子源方向，因此可能大概率撞擊光子探測器而又被其探測到。
22、根據熵源的設計，即光子探測器的底面朝向光子源布置，其優勢在于，由光子源發射的光子可能大概率撞擊光子探測器（尤其是光子探測器的底面）而又被其探測到。
23、如果兩個底面彼此相向布置，則上述兩種效應會結合出現。
24、就此，在任何情況下，光子探測器都能探測到大量的發射光子，進而能夠獲得熵源輸出信號的高熵值。
25、光子源可以是單光子源。
26、單光子源可以是基本上永遠不會同時發射兩個或更多個光子的光源或光子源。也可設想，單光子源可以是同時只發射少量光子的光子源。
27、光子源可以是雪崩齊納二極管。雪崩齊納二極管可以具有小于或等于10v的擊穿電壓、可選為小于或等于8v的擊穿電壓、還可選為小于或等于7v的擊穿電壓。雪崩齊納二極管允許在相對較低的工作電壓下（甚至低于及位于（齊納）擊穿電壓范圍內）實現較高的單光子速率。雪崩齊納二極管還允許構建為或可以設計為使得光子源所發射的光子大概率經由光子源的底面發出或發射，因為該底面的面積大于側面的面積。
28、光子探測器可以包括單光子探測器、可選為單光子雪崩二極管（single?photonavalanche?diode，spad）。
29、單光子探測器可理解為設計為單獨采集或探測單光子源單獨發射的光子的探測器。
30、單光子雪崩二極管可以包括由第一p型層和第一n型層形成的第一pn結，其中第一p型層與第一n型層相互接觸。
31、p型層和n型層均可通過摻雜獲得。在半導體技術中，摻雜是指將外來原子引入集成環路的某一層或基材中。對于p型摻雜襯底（p代表可自由運動的正空穴），可以將三價元素（即所謂的受主）引入硅晶格并取代四價硅原子。對于n型摻雜（n代表可自由運動的負電荷），可以將五價元素（即所謂的施主）引入硅晶格并取代四價硅原子。
32、單光子雪崩二極管可以包括吸收區，其設計布置為吸收光子源所發射的光子，使得該吸收區為每個光子產生電子-空穴對，可選為恰好一個電子-空穴對。吸收區可以與第一pn結相接觸，并且第一pn結可以設計為由于所產生的電子-空穴對而產生電荷雪崩。
33、光子探測器可以設計為基于所產生的電荷雪崩而探測光子源所發射的相應光子。
34、亦即，如果單光子雪崩二極管被單個光子激發，則在傳感活性區域或吸收區中，每個激發光子可以產生（可選地各自產生）電子-空穴對，其中受激發的電子被電場吸引到陰極，而受激發的空穴被吸引到陽極。在此，在單光子雪崩二極管中，電荷載流子可以漂移通過由pn結形成的所謂雪崩區，該雪崩區內碰撞電離產生電荷雪崩。就此，單光子雪崩二極管可以是高敏感度的光子接收元件，其被光子激活時能夠以高時間分辨率提供大量的電荷（約105-106個電子）。
35、單光子雪崩二極管可以在高于擊穿電壓的蓋革模式下運行，其中可以經由所產生的電荷雪崩探測單個光子，隨后將其記錄為單事件。為了減少記錄期間出現的死區時間，可以在開始形成雪崩后立即主動或被動地抑制或淬滅進一步的電荷載流子倍增。
36、可以提供集成電路，其除了單光子雪崩二極管外還包括所謂的單光子計數單元或單光子計數器（single-photon?counter，spc）。于是，可以對探測到的各個單光子事件的時間分布進行即時統計評估，而不是直接輸出探測器單脈沖。
37、吸收區可以具有p型摻雜襯底或由之組成，該p型摻雜襯底完全覆蓋面向光子源方向的第一pn結的表面。
38、吸收區可以具有p型摻雜襯底，該p型摻雜襯底僅部分覆蓋面向光子源方向的第一pn結的表面并形成自該第一pn結的表面起朝向光子源方向延伸的通道，該通道在側向上由n型摻雜襯底界定。
39、吸收區可以具有n型摻雜襯底或由之組成，該n型摻雜襯底完全覆蓋面向光子源方向的第一pn結的表面。
40、吸收區可以與光子源相接觸，可選地與光子源的p型摻雜襯底相接觸。
41、單光子雪崩二極管可以包括由第二p型層和第一n型層形成的第二pn結，其中第二p型層與第一n型層相互接觸。
42、可以設想，第二pn結可用作附加的光子探測器，用于監測外部攻擊。附加的pn結可以例如用來探測從外部或外界引入熵源中的光子，這樣就能識別外部攻擊。
43、可以設想，第二pn結布置于第一pn結與半導體襯底背面之間，該半導體襯底背面與上述定義的半導體襯底表面相對，這樣尤其能夠探測來自半導體襯底背面的攻擊。
44、熵源可以具有金屬層（可選地與內部的硅化物層一起設置），其中該金屬層使熵源對外屏蔽。
45、該金屬層可用于屏蔽外部光子（“遮光”）和/或通過反射相關光子源所產生的光子來提高效率。
46、熵源可以具有用于光子源和光子探測器的至少兩個陽極，該至少兩個陽極經由金屬層相互導電連接。
47、光子源和/或光子探測器（可選為熵源整體）可以構造為沿垂直于第一底面和/或第二底面的軸線旋轉對稱。
48、可以設想，該軸線垂直于上述定義的半導體襯底表面和/或垂直于與其相對的背面。
49、熵源可以采用雙極型cmos-dmos技術（bcd技術）構造或根據bcd技術制造。
50、雙極型cmos技術（bicmos技術）是一種半導體技術制造方法，將兩種原本獨立的電路技術（即基于雙極型晶體管（bjt）的電路以及基于金屬氧化物半導體場效應晶體管（mosfet）的互補金屬氧化物半導體（cmos）邏輯門）合并到同一集成電路。
51、bcd技術可以允許有效且優化地集成spad，可選地與其他多種功能組集成，如數字和/或模擬電路組件，特別是節能型數字存儲與開關元件、通用型功率與驅動電子器件以及探測器與傳感器部件。
52、熵源可以包括具有載體襯底和外延層的襯底，其中外延層可以具有第一pn結，而載體襯底可以具有第二pn結。
53、可以設想，外延層是載體襯底上生長的外延層。第一pn結可以位于外延層中（例如，通過從外延層下方經載體襯底表面引入的摻雜劑擴散而引入），其可以是深埋pn結。
54、載體襯底可以是p型襯底，但也可以使用n型襯底或本征襯底。（半導體）襯底材料可以是硅。例如，硼可用于構成p型區的摻雜劑。磷（p）、砷（as）和/或銻（sb）可用于構成n型區。在此，例如在硅中，硼作為摻雜劑的擴散度明顯遠于重施主（p、as或sb）。此外還可發現，由于所用的摻雜劑量較高，所產生的n型區基本上占主導地位，即，已摻雜磷的n型區即使在額外引入硼之后，仍能保持其現有的導電類型。為了提供深埋pn結，時常可以省略常規bcd工藝中附加的掩模、光刻和外延步驟。
55、第一摻雜劑和第二摻雜劑在載體襯底和/或外延層中可呈現不同的擴散特性。第二摻雜劑在載體襯底和/或外延層中的遷移率可高于第一摻雜劑。引入第一摻雜劑和/或第二摻雜劑可以無掩模或經由掩模法完成。對于無掩模引用，可以例如使用直接離子束寫入法。在掩模法中，可以借助預先提供的掩模完成引入，其中可經由化學或物理沉積法或者也可借由離子束寫入法來完成引入。可以設想，在引入第二摻雜劑之后，第一區或第二區立即與相應另一區完全重疊（從上述定義的載體襯底表面俯視來看）。第一區域可以是（深埋）n型層（nbl層），而第二區域可以是（深埋）p型層（pbl層）。
56、襯底的上側和/或下側可以至少在光子源和/或光子探測器的區域內進行鏡面化處理和/或包括阻光層。
57、襯底可以在其表面和/或背面或其上側和/或下側具有各由金屬覆蓋層、側壁觸點和通孔中至少一個元件組成的組合結構。
58、上述熵源的主要優勢在于：熵源（及可選的包含熵源的量子隨機數發生器）能夠防止外部攻擊，并具備高效率和低襯底損耗。可選地，該熵源可以包括在共同的半導體襯底中上下疊置的齊納雪崩led和spad，以便能夠提供緊湊安全的熵源。
59、此外，還可以提供一種用于運行上述熵源的方法。所述方法包括借由光子源發射光子，使得光子經由光子源的第一底面朝向光子探測器方向離開光子源，和/或在光子探測器的第二底面上接收借由光子源發射的光子。
60、此外，還可以提供量子隨機數發生器。該量子隨機數發生器包括上述熵源和電子電路，該電子電路設計為依賴于熵源的輸出信號來生成隨機比特，并可選地輸出所生成的隨機比特，其中熵源的輸出信號的特性依賴于光子探測器所探測到的光子的時間頻率。
61、所生成的隨機比特可以是隨機比特數據流的一部分。亦即，量子隨機數發生器可以設計為連續生成隨機比特，并可選地將其以隨機比特數據流的形式輸出。隨機比特數據流通過以下nist測試時則可視為隨機：
62、smid、elaine?barker等人“a?statistical?test?suite?for?random?andpseudorandom?number?generators?for?cryptographic?applications”（2010），下載地址：https://www.researchgate.net/profile/salamlsmaeel/post/is_there_any_program_or_software_to_check_strength_of_cryptography_algorithm2/attachment/59d61de479197b807797be4a/as%3a273823310516224%401442295972158/download/nist.pdf
63、nist測試套件軟件可以從以下url下載（截至申請日）：https://csrc.nist.gov/csrc/media/projects/random-bit-generation/documents/sts-2_1_2.zip
64、量子隨機數發生器可以包括偽隨機數發生器，其設計為基于熵源的輸出信號和可選為預定或可調的生成多項式來生成數字輸出信號。
65、量子隨機數發生器可以包括隨機比特生成單元，其設計為基于偽隨機數發生器的數字輸出信號來生成隨機比特。
66、隨機比特生成單元可以通過確定數字輸出信號的第一值和第二值來生成隨機比特。隨機比特生成單元可以生成隨機比特，具體方式是，如果數字輸出信號的第一值小于數字輸出信號的第二值，并且數字輸出信號的第一值與數字輸出信號的第二值之差值大于最小差值，則將隨機比特生成單元的輸出值設置為第一邏輯值。隨機比特生成單元可以生成隨機比特，具體方式是，如果數字輸出信號的第一值大于數字輸出信號的第二值，并且數字輸出信號的第一值與數字輸出信號的第二值之差值大于最小差值，則該隨機比特生成單元將隨機比特生成單元的輸出值設置為第二邏輯值。
67、隨機比特生成單元可以設計為：如果數字輸出信號的第一值與數字輸出信號的第二值之差值小于預定的最小差值，則丟棄數字輸出信號第一值和數字輸出信號的第二值。
68、量子隨機數發生器可以包括監測單元或看門狗（watchdog），其設計為監測隨機比特生成單元的輸出。可以設想，在隨機比特生成單元被丟棄的值的數量超過預定的極限值時，則監測單元可以探測出量子隨機數發生器的故障。
69、此外，本公開還涉及一種集成電子電路，其中該電路包括上述單片集成的熵源和/或量子隨機數發生器。所述集成電子電路可以是微電子集成電路。
70、上述集成電子電路可以利用方形扁平無引腳封裝（quad?flat?no?leadspackage，qfn封裝）來制造或制作。
71、下面描述所述對象的可選改進方案。
72、檢測機構可以包括用于檢測與評估聲音信號的聲音檢測機構，可選為用于檢測與評估超聲波信號的超聲波檢測機構。
73、聲音檢測機構可以包括用于檢測用戶語音信息的語音檢測機構以及與控制機構相耦接的用于識別所檢測的語音信息的語音識別機構。
74、超聲波檢測機構可以包括環境地圖檢測機構和環境檢測機構，用于檢測對象的環境信息，并包括與控制機構相耦接的環境檢測機構，用于識別從對象周圍環境中其他對象所采集的信息。
75、聲音檢測機構可以包括至少一個麥克風陣列，用于定位聲源的現場位置。
76、超聲波檢測機構可以包括至少一個超聲波麥克風陣列，用于定位超聲波聲源和/或反射超聲波的可控型和/或自控型對象的現場位置。
77、檢測機構可以包括傳感器機構，用于檢測用戶行為和/或另一可控型和/或自控型對象的行為和/或環境參數。
78、該傳感器機構可以至少包括觸碰傳感器、濕度傳感器、溫度傳感器、光傳感器、壓力傳感器、加速度傳感器、電磁場傳感器、速度傳感器、電導率傳感器、化學傳感器、液位傳感器、運動傳感器和/或雷達傳感器和/或人員或物體定位傳感器。
79、動作機構可以包括機械執行器，其作用對應于由控制機構預定的可控型和/或自控型對象的行為。
80、機械執行器可以包括用于調節對象的可動部件的馬達。
81、動作機構可以至少包括振動器、磁性裝置、氣動或液壓裝置、顯示器、加熱/冷卻裝置、施加電壓或電流時改變形狀的裝置、產生化學反應的裝置和/或產生氣味的裝置。
82、動作機構可以包括用于生成聲音信號的聲音生成機構，可選為用于生成超聲波信號的超聲波生成機構。聲音生成機構可以具備音樂合成功能。聲音生成機構可以設計為使其通過對聲學數據進行解壓縮來生成聲音信號。聲音生成機構可以設計為使其通過對聲學數據進行mp3解壓縮來生成聲音信號。
83、聲音生成機構可以包括用于生成語音信息的語音生成機構。語音生成機構可以設計為依賴于控制機構的控制信息，借助語音合成來生成語音信息，和/或依賴于控制機構的控制信息，借助文本/語音轉換（“文本轉語音”）來生成語音信息。語音生成機構可以具備韻律功能。
84、所述對象可以包括與控制機構通信的用于信號處理的數字信號處理裝置，其可選地設置用于聲音信號處理，和/或將該數字信號處理裝置的功能集成到控制機構中。
85、所述對象可以具有用于對外置設備進行電控的接口機構。
86、所述對象可以具有內部時鐘，可選地包括無線電時鐘，其中可選地，該內部時鐘可通過外界供應給可控型對象的同步信號來進行同步。
87、控制機構可以設計為使其可設置時鐘并檢測時鐘當前顯示的時鐘時間。
88、控制機構可以設計為：當檢測到時鐘顯示的特定時間時，按預定義的方式控制動作機構。
89、可控型對象可以設計為玩偶形式和/或機動車形式。
90、機動車可以是乘用車（特別是汽車）或商用車（例如載重車）。
91、機動車可以實現自動化。機動車可以設計為借由控制設備在自動駕駛過程中至少部分地和/或至少暫時地接管縱向引導和/或橫向引導。
92、自動駕駛可以實行為使得機動車的前進運動（基本上）以自主方式完成。自動駕駛可以至少部分地和/或暫時地通過控制設備進行控制。
93、可以設想，機動車可以通過駕駛輔助系統主動式（例如通過調整實際的方向盤位置）干預機動車的橫向引導，也可以可選地被動式（例如通過顯示轉向提示）干預機動車的橫向引導。
94、機動車可以是自動化等級0級的機動車，即駕駛員接管動態駕駛任務，即使是存在輔助系統（例如abs或esp）。
95、機動車可以是自動化等級1級的機動車，即機動車具備某些駕駛輔助系統以支持駕駛員操作車輛，例如自適應巡航控制（acc）。
96、機動車可以是自動化等級2級的機動車，即半自動化，其中由駕駛輔助系統接管如自動泊車、車道保持或橫向引導、通用縱向引導、加速和/或制動等功能。
97、機動車可以是自動化等級3級的機動車，即有條件地自動化，其中駕駛員不必持續監測車輛系統。機動車獨立執行諸如激活轉向燈、變換車道和/或保持車道等功能。駕駛員可以從事其他活動，但必要時系統會在預警時間內要求駕駛員接管駕駛。
98、機動車可以是自動化等級4級的機動車，即高度自動化，其中由車輛系統持久接管車輛的駕駛。如果系統無法繼續完成駕駛任務，則可要求駕駛員接管駕駛。
99、機動車可以是自動化等級5級的機動車，即完全自動化，其中不要求駕駛員履行駕駛任務。除了設定目的地和啟動系統外，無需任何人為干預。機動車可以不配備方向盤和踏板。
100、借由量子隨機數發生器所生成的隨機數可用來控制機動車的自動駕駛。
101、控制機構可以包括存儲器機構，可選為至少部分可更換的存儲器機構，用于存儲控制機構的控制程序。
102、所述對象可以包括與控制機構通信的接收機構，用于接收外界供應的控制數據，其中這些控制數據使其影響對象的功能。
103、所述對象可以包括解碼與解密機構，用于解碼與解密外界供應的控制數據。所述對象可以包括編碼和/或加密機構，用于對控制對象或動作機構的控制數據進行編碼和/或加密。
104、外界供應的控制數據可以使其影響存儲在存儲器機構中的控制程序，進而可選地驅控可控型和/或自控型對象的動作機構。
105、所述對象可以包括與控制機構通信的發送機構，用于發送有關可控型和/或自控型對象的狀態的反饋數據，該反饋數據可選地含有關于可控型和/或自控型對象的用戶反應的信息。