本發明涉及半導體電鍍，尤其是涉及一種基板封裝的電鍍方法和半導體裝置。
背景技術：
1、在現有技術中，在封裝基板圖形電鍍過程中，板厚大鍍銅厚度厚的填孔電鍍產品，為滿足填孔要求需要加大鍍銅厚度來滿足凹陷要求，大的電流密度與銅厚會導致電流密度分布不均，進而引起面銅不符，影響信號傳輸性能和可靠性。傳統方法通過調整電鍍參數或使用輔助陰極改善均勻性，但效果有限且成本較高。
技術實現思路
1、本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此，本發明的一個目的在于提出一種基板封裝的電鍍方法，所述電鍍方法通過先對基板上的通孔進行第一次電鍍，在第一次電鍍完畢后，對通孔以及基板外表面進行第二次電鍍，以讓基板上可以具有較為可靠的電鍍效果，以讓后續基板所生產的半導體裝置具有更高的使用性能以滿足后續生產使用需求。
2、本發明的另一個目的在于提出一種半導體裝置，所述半導體裝置通過所述電鍍方法制出。
3、根據本發明實施例的基板封裝的電鍍方法，包括：
4、提供基板，所述基板上設有通孔；
5、在基板外側設有干膜；
6、對所述通孔進行第一次電鍍沉銅；
7、去除干膜；
8、對基板表面進行第二次電鍍沉銅。
9、根據本發明實施例的基板封裝的電鍍方法，通過先對基板上的通孔進行第一次電鍍，在第一次電鍍完畢后，對通孔以及基板外表面進行第二次電鍍，以讓基板上可以具有較為可靠的電鍍效果，以讓后續基板所生產的半導體裝置具有更高的使用性能以滿足后續生產使用需求。
10、在一些實施例中，在所述第一次電鍍沉銅中通孔的厚度為a，所述厚度a滿足關系式：5um≤a≤15um。
11、在一些實施例中，可以讓第一次電鍍沉銅過程中，在通孔內進行鍍銅的厚度可以設置在5um到15um之間，以讓電鍍效果能夠較好的附著在通孔內，且電鍍沉銅成本相對較低，以降低生產成本。
12、在一些實施例中，在所述第二次電鍍沉銅中鍍銅的厚度為b，所述厚度b滿足關系式：5um≤b≤15um。
13、在一些實施例中，在第二次電鍍沉銅過程中，由于干膜不再遮擋基板，以讓電鍍效果能夠作用在基板表面以及通孔內，以讓基板上能夠按照設計電鍍有沉銅，且基板表面鍍銅與通孔鍍銅連通，從而讓基板在后續工序中基板具有更高的導電使用性能以滿足半導體生產需求。
14、在一些實施例中，在所述第一次電鍍沉銅過程中使用填孔藥水，所述第二次電鍍沉銅過程中使用常規藥水。
15、在一些實施例中，在電鍍過程中，第一次電鍍采用填孔藥水以對填孔進行電鍍而在第二次電鍍過程中采用常規藥水進行電鍍，以讓基板上較為困難進行電鍍的通孔對應使用填孔藥水以提升電鍍效率，而在基板表面使用常規藥水以降低整體電鍍成本，從而降低后續基板的生產成本。
16、在一些實施例中，所述干膜上設有穿孔，所述穿孔與所述通孔相對設置。
17、在一些實施例中，在干膜的結構設置過程中適于設置有穿孔，穿孔適于以通孔相對設置，以讓干膜在設置在基板上之后適于讓穿孔與通孔相對設置，以讓填孔藥水可以直接作用到通孔，以實現通孔內周壁上電鍍沉銅的設置，讓電鍍沉銅能夠按照設計電鍍在通孔內，避免第一次電鍍過程中對于電鍍效果作用到非指定區域，提升電鍍準確性，從而提升基板電鍍效果，以讓基板能夠滿足后續工序的生產需求。
18、在一些實施例中，所述穿孔包括第一穿孔，所述第一穿孔的直徑大于所述通孔直徑。
19、在一些實施例中，在第一次電鍍過程中能夠較好的將電鍍沉銅作用于通孔內，通孔內周壁能夠得到較好的電鍍，從而讓電鍍后的基板具有較高的電鍍效果。
20、在一些實施例中，當所述第一次電鍍完成去除超出所述干膜的沉銅后再次進行所述第二次電鍍。
21、在一些實施例中，由于第一穿孔的直徑大于通孔直徑，會有盈余沉銅超過干膜所在平面，需要將其鏟平，以便于后續第二次電鍍過程中電鍍沉銅能夠按照設計作用到基板表面。
22、在一些實施例中，所述傳動包括第二穿孔，所述第二穿孔的直徑小于等于所述通孔直徑。
23、在一些實施例中，干膜上適于構建有第二穿孔，并構建第二穿孔的直徑小于等于通孔直徑，這樣，能夠較好的將電鍍沉銅作用于通孔內，通孔內周壁能夠得到較好的電鍍，從而讓電鍍后的基板具有較高的電鍍效果。
24、在一些實施例中，當所述第一次電鍍完成直接進行所述第二次電鍍。
25、在一些實施例中，由于第二穿孔的直徑小于等于通孔直徑，在第一次電鍍過程中，電鍍沉銅不會超出基板外表面，因此在去除干膜后不需要平整平面，可以直接進行后續第二次電鍍以提升整體基板生產效率。
26、根據本發明實施例的半導體裝置，所述半導體裝置通過如上所述的基板封裝的電鍍方法制出。
27、根據本發明實施例的半導體裝置，半導體裝置通過上述基板封裝的電鍍方法制出，通過先對基板上的通孔進行第一次電鍍，在第一次電鍍完畢后，對通孔以及基板外表面進行第二次電鍍，以讓基板上可以具有較為可靠的電鍍效果，以讓后續基板所生產的半導體裝置具有更高的使用性能以滿足后續生產使用需求。
28、本發明的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發明的實踐了解到。
1.一種基板封裝的電鍍方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的基板封裝的電鍍方法，其特征在于，在所述第一次電鍍沉銅中通孔的厚度為a，所述厚度a滿足關系式：5um≤a≤15um。
3.根據權利要求2所述的基板封裝的電鍍方法，其特征在于，在所述第二次電鍍沉銅中鍍銅的厚度為b，所述厚度b滿足關系式：5um≤b≤15um。
4.根據權利要求1所述的基板封裝的電鍍方法，其特征在于，在所述第一次電鍍沉銅過程中使用填孔藥水，所述第二次電鍍沉銅過程中使用常規藥水。
5.根據權利要求1所述的基板封裝的電鍍方法，其特征在于，所述干膜上設有穿孔，所述穿孔與所述通孔相對設置。
6.根據權利要求5所述的基板封裝的電鍍方法，其特征在于，所述穿孔包括第一穿孔，所述第一穿孔的直徑大于所述通孔直徑。
7.根據權利要求6所述的基板封裝的電鍍方法，其特征在于，當所述第一次電鍍完成后去除超出干膜的沉銅后再次進行所述第二次電鍍。
8.根據權利要求5所述的基板封裝的電鍍方法，其特征在于，所述傳動包括第二穿孔，所述第二穿孔的直徑小于等于所述通孔直徑。
9.根據權利要求8所述的基板封裝的電鍍方法，其特征在于，當所述第一次電鍍完成后直接進行所述第二次電鍍。
10.一種半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置通過如權利要求1-9中任一項所述的基板封裝的電鍍方法制出。