本發明涉及磁傳感器元件、磁傳感器裝置、磁傳感器系統以及磁傳感器元件的制作方法。
背景技術：
1、霍爾傳感器作為磁傳感器的一種，利用霍爾效應來測定磁場。霍爾效應是當垂直于電流施加磁場時，在與電流和磁場兩者正交的方向上產生電壓（霍爾電壓）的現象。該霍爾電壓與磁場的強度和方向成比例，因此霍爾傳感器對磁場的測定有效（例如，參照專利文獻1）。另外，隧穿磁阻（tmr）傳感器也廣為人知，其利用了根據磁場的不同而電阻發生變化的tmr效應（例如，參照專利文獻2）。
2、現有技術文獻
3、專利文獻
4、專利文獻1：日本專利特開2020-13891號公報
5、專利文獻2：國際公開第2020/208907號
技術實現思路
1、發明要解決的課題
2、近年來，在便攜式設備、汽車、醫療設備等各種用途中，需要高靈敏度、響應特性優異的磁傳感器。
3、本發明的目的在于提供一種使用漏磁場小至可忽略不計的反鐵磁體且具有優異響應特性的磁傳感器元件、磁傳感器裝置、磁傳感器系統以及磁傳感器元件的制作方法。
4、用于解決課題的手段
5、本發明的磁傳感器元件為用于測定磁場的磁傳感器元件，其中，包括反鐵磁性層，所述反鐵磁性層由具有時間反演對稱性已宏觀破缺的反鐵磁性磁結構的第一反鐵磁體構成，在包括零磁場的預定磁場范圍內，所述反鐵磁性層的讀取信號對磁場呈線性響應。
6、本發明的磁傳感器裝置包括上述的磁傳感器元件、向磁傳感器元件供電的電流供給部、以及處理來自磁傳感器元件的反鐵磁性層的讀取信號的處理器。
7、本發明的磁傳感器系統為排列有多個磁傳感器元件的磁傳感器系統，多個磁傳感器元件的每一個被定義為上述的磁傳感器元件。
8、本發明的磁傳感器元件的制作方法中，形成多層膜，所述多層膜至少包括由絕緣體構成的基底、由氧化物構成的蓋帽層、以及設置在基底與蓋帽層之間的反鐵磁性層，在形成多層膜之后，對多層膜進行退火。
9、發明的效果
10、根據本發明，通過使用由具有時間反演對稱性已宏觀破缺的反鐵磁性磁結構的第一反鐵磁體構成的反鐵磁性層，使得在包括零磁場的預定磁場范圍內，讀取信號對磁場呈線性響應，從而能夠提供具有優異的響應特性的磁傳感器元件。
1.一種磁傳感器元件，其是用于測定磁場的磁傳感器元件，其中，包括：
2.根據權利要求1所述的磁傳感器元件，其中，還包括：
3.根據權利要求2所述的磁傳感器元件，其中，
4.根據權利要求2所述的磁傳感器元件，其中，
5.根據權利要求1所述的磁傳感器元件，其中，還包括：
6.根據權利要求1所述的磁傳感器元件，其中，
7.根據權利要求1所述的磁傳感器元件，其中，
8.根據權利要求1所述的磁傳感器元件，其中，
9.根據權利要求1所述的磁傳感器元件，其中，
10.根據權利要求1所述的磁傳感器元件，其中，
11.根據權利要求1所述的磁傳感器元件，其中，
12.一種磁傳感器裝置，其中，包括：
13.根據權利要求12所述的磁傳感器裝置，其中，
14.根據權利要求12所述的磁傳感器裝置，其中，
15.一種磁傳感器系統，其是排列有多個磁傳感器元件的磁傳感器系統，其中，
16.一種方法，其是制作根據權利要求1所述的磁傳感器元件的方法，其中，