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        基于軌跡的遷移學習之方法及機制與流程

        文檔序號:45269678發布日期:2026-04-17 20:05閱讀:5來源:國知局

        本公開涉及電氣部件,且更特定言之,涉及用于在一制造系統中的基于軌跡的遷移學習的方法及機制。


        背景技術:

        1、產品可使用制造設備通過執行一或多個制造工藝來生產。例如,半導體制造設備可通過半導體制造工藝而用來生產半導體元件(例如,基材)。根據一工藝配方,制造設備可在基材的表面上沉積多個膜層,并可執行一蝕刻工藝,以在所沉積的膜中形成復雜精密的圖案。例如,制造設備可執行化學氣相沉積(cvd)工藝,以在基材上沉積替代層。隨后,蝕刻工藝設備可用以透過(例如)化學反應及/或物理轟擊而自一基材的多個區域移除材料。

        2、在制造工藝期間,傳感器可用以確定制造設備的制造參數,且計量設備可用以確定由制造設備所生產的產品的性質數據,諸如基材上的層的總厚度。使用制造參數及性質數據,一訓練機器學習模型可經訓練以使用目前輸入數據(例如,傳感器數據)來產生預測計量數據。


        技術實現思路

        1、以下是本公開的一簡化概要,以便提供對本公開的一些方面的基本理解。此概要并非本公開的廣泛的概觀。其并非意欲在確認本公開的重要或關鍵元件,亦非在劃定本公開的具體實施方案的任何范疇或權利要求書的任何范疇。其唯一目的在于以簡化的形式呈現本公開的一些概念,作為稍后所呈現的更詳細描述的序幕。

        2、在本公開的方面中,一種電子元件制造系統,其是經配置以辨識一機器學習模型,該機器學習模型是經訓練以針對與一類型的基材處理系統相關聯的一第一基材處理域產生分析或預測數據。該系統是更經配置以獲得與該第一基材處理域有關的第一軌跡數據,用以訓練該機器學習模型。該系統是更經配置至一遷移模型,針對與該類型的基材處理系統相關聯的一第二基材處理域。該遷移模型是基于與該第一基材處理域有關的該第一軌跡數據及與該第二基材處理域有關的第二軌跡數據而產生。使用該遷移模型,與該第二基材處理域相關聯的該機器學習模型或目前軌跡數據中的至少一者是經修改以使該機器學習模型能夠產生與該第二基材處理域相關聯的分析或預測數據。

        3、在本公開的另一方面中,一種電子元件制造系統,其是經配置以提供與一目標基材處理域有關的目前軌跡數據作為對一遷移模型的輸入。該遷移模型是基于與該目標基材處理域有關的歷史軌跡數據及與一源基材處理域有關的歷史軌跡數據而產生。該源基材處理域及該目標基材處理域兩者皆是與一類型的基材處理系統相關聯。該系統是更經配置以自該遷移模型獲得一或多個第一輸出值,所述一或多個第一輸出值反映由一組偏移值所修改的該目前軌跡數據。該系統是更經配置以向一機器學習模型提供該一或多個第一輸出值,該機器學習模型是經訓練以產生針對該源基材處理域的分析或預測數據。該系統是更經配置以自該機器學習模型獲得一或多個第二輸出值,所述一或多個第二輸出值反映與該目標基材處理域有關的分析或預測數據。

        4、在本公開的另一方面中,一種電子元件制造系統,其是經配置以使用一遷移模型來重新訓練一機器學習模型。該遷移模型是基于與一目標基材處理域有關的歷史軌跡數據及與一源基材處理域有關的歷史軌跡數據而產生。該機器學習模型是經訓練以產生針對源基材處理域的分析或預測數據。該系統是更經配置以向該經重新訓練的機器學習模型提供與該目標基材處理域相關聯的目前軌跡數據。該系統是更經配置以獲得該經重新訓練的機器學習模型的一或多個輸出值,所述一或多個輸出值反映與該目標基材處理域相關聯的分析或預測數據。

        5、本公開的另一方面包括根據本文所述的任何方面或實施方案的方法。

        6、本公開的另一方面包括一非暫時性計算機可讀取存儲介質,所述非暫時性計算機可讀取存儲介質包含多個指令,該等指令在由操作性地耦接至一內存的一處理裝置所執行時會執行根據本文所述的任何方面或實施方案的操作。


        技術特征:

        1.一種方法,所述方法包含:

        2.如權利要求1的方法,其中所述第一基材處理域包含第一處理室,且所述第二基材處理域包含第二處理室,其中所述第一處理室及所述第二處理室是同一類型的處理室。

        3.如權利要求1的方法,其中所述第一基材處理域包含第一工藝配方,且所述第二基材處理域包含第二工藝配方。

        4.如權利要求1的方法,其中所述第一軌跡數據包含與所述第一基材處理域相關聯的第一組軌跡,且所述第二軌跡數據包含與所述第二基材處理域相關聯的第二組軌跡。

        5.如權利要求4的方法,所述方法更包含:

        6.如權利要求5的方法,所述方法更包含:

        7.如權利要求6的方法,其中所述遷移圖提供基于特征的縮放,以反映所述第一基本軌跡與所述第二基本軌跡之間的所述關系。

        8.如權利要求6的方法,其中所述遷移圖是用以產生所述遷移模型。

        9.如權利要求1的方法,所述方法更包含:

        10.如權利要求9的方法,所述方法更包含:

        11.如權利要求1的方法,所述方法更包含:

        12.如權利要求11的方法,所述方法更包含:

        13.一種系統,所述系統包含:

        14.如權利要求13的系統,其中所述第一軌跡數據包含與所述第一基材處理域相關聯的第一組軌跡,且所述第二軌跡數據包含與所述第二基材處理域相關聯的第二組軌跡。

        15.如權利要求14的系統,其中所述操作更包含:

        16.如權利要求15的系統,其中所述操作更包含:

        17.如權利要求13的系統,其中所述操作更包含:

        18.如權利要求13的系統,其中所述操作更包含:

        19.如權利要求18的系統,其中所述操作更包含:

        20.一種方法,所述方法包含:

        21.如權利要求20的方法,所述方法更包含:

        22.一種方法,所述方法包含:

        23.如權利要求22的方法,所述方法更包含:


        技術總結
        一種電子元件制造系統,所述電子元件制造系統是經配置以辨識機器學習模型,所述機器學習模型是經訓練以針對與類型的基材處理系統相關聯的第一基材處理域產生分析或預測數據。所述系統是更經配置以獲得與所述第一域有關的第一軌跡數據,用以訓練所述機器學習模型。所述系統是更經配置至遷移模型,針對與所述類型的基材處理系統相關聯的第二基材處理域。所述遷移模型是基于與所述第一基材處理域有關的所述第一軌跡數據及與所述第二基材處理域有關的第二軌跡數據而產生。使用所述遷移模型,與所述第二基材處理域相關聯的所述機器學習模型或目前軌跡數據的至少一者是經修改以使所述機器學習模型能夠產生與所述第二基材處理域相關聯的分析或預測數據。

        技術研發人員:李飛,吉米·伊斯坎達爾,詹姆斯·R·莫因
        受保護的技術使用者:應用材料公司
        技術研發日:
        技術公布日:2026/4/16
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