本技術涉及用于半導體制造的部件和設備。更特別地，本技術涉及處理腔室部件和其他半導體處理裝備。
背景技術：
1、集成電路通過在基板表面上生產(chǎn)復雜圖案化材料層的工藝成為可能。在基板上生產(chǎn)圖案化材料要求用于沉積、膨脹和移除材料的受控方法。然而，隨著新處理設計出現(xiàn)，生產(chǎn)高質量材料層可能有挑戰(zhàn)性。例如，在沉積工藝之后，不良污染物可能會保留在腔室主體內，諸如不希望的沉積在腔室內部。此類污染物可在后續(xù)沉積操作之間通過釋放至腔室主體中的清潔氣體（例如，也稱為蝕刻劑氣體，該蝕刻劑氣體可為含氟氣體，諸如三氟化氮）來清潔。清潔氣體可與污染物反應，并且后續(xù)通過排放系統(tǒng)排出腔室主體。然而，清潔氣體沒有有效地移除出腔室主體可能會導致非對稱清潔，使得即使在清潔操作完成之后腔室主體的某些部分仍受污染。
2、因此，存在對可用以生產(chǎn)高質量器件和結構的改良的系統(tǒng)和方法的需求。這些和其他需求通過本技術來解決。
技術實現(xiàn)思路
1、本技術大體而言針對處理腔室、端口適配器和用于處理基板的方法。在實施例中，處理腔室包括：腔室主體，具有第一端部和第二端部；蓋，耦接到腔室主體的第一端部；氣體環(huán)，與腔室主體的第一端部相鄰；基板支撐件；以及端口適配器系統(tǒng)。該處理腔室包括被限定在基板支撐件與蓋之間的處理區(qū)域。端口適配器耦接到腔室主體的第二端部，并且包括：端口適配器主體，限定與處理區(qū)域流體連通的多個孔隙；可單獨地控制的閥，流體地耦接到多個孔隙中的一者或多者；以及排放系統(tǒng)，與系統(tǒng)前級管線和多個孔隙流體連通。端口適配器主體中的多個孔隙沿端口適配器主體間隔開，使得相鄰孔隙之間的距離在平均孔隙間隔距離的約30%內。
2、在實施例中，處理腔室包括其中多個孔隙中的每個孔隙沿弓形路徑間隔開，使得相應孔隙之間的距離為約100°至約140°的情況。在更多個實施例中，處理腔室包括其中多個孔隙中的每個孔隙沿弓形路徑間隔開，使得相應孔隙之間的距離為約115°至約125°的情況。此外，在實施例中，端口適配器系統(tǒng)持久性地或可釋放地附連到腔室主體的第二端部，或與腔室主體整體地形成。另外地或替代地，在實施例中，多個孔隙中的每個孔隙沿對應流動路徑流體地耦接到排放系統(tǒng)，其中流動路徑中的每一者具有對應流動路徑長度，其中多個孔隙中的第一孔隙具有至排放系統(tǒng)的第一流動路徑，該第一流動路徑具有對應第一流體路徑長度，該對應第一流體路徑長度不同于多個孔隙中的一個或多個其他孔隙的流動路徑長度。在另外的更多個實施例中，第一流體路徑長度長于多個孔隙中的一個或多個其他孔隙的流動路徑長度，并且第一孔隙限定直徑，該直徑大于多個孔隙中的其他孔隙的對應直徑。在實施例中，第一流體路徑長度短于多個孔隙中的一個或多個其他孔隙的流動路徑長度，并且第一孔隙的直徑小于多個孔隙中的其他孔隙的對應直徑。在實施例中，處理腔室也包括管道系統(tǒng)，該管道系統(tǒng)包括一個或多個非線性部分。
3、本技術大體而言也針對一種端口適配器，該端口適配器包括適配器主體、可單獨地控制的閥以及多個管道系統(tǒng)。該適配器主體限定內部表面、外表面以及從內部表面延伸至外表面的多個孔隙，并且相鄰孔隙之間的距離在平均孔隙間隔距離的約30%內。可單獨地控制的閥流體地耦接到多個孔隙中的一者或多者。多個管道系統(tǒng)中的第一管道系統(tǒng)包括直徑和總路徑長度，其中直徑、總路徑長度或直徑與總路徑長度兩者不同于多個管道系統(tǒng)中的第二管道系統(tǒng)的第二直徑、第二總路徑長度或第二直徑與第二總路徑長度兩者。
4、在實施例中，多個孔隙中的每個孔隙沿弓形路徑間隔開，使得相應孔隙之間的距離為約100°至約140°。在其他實施例中，多個孔隙中的每個孔隙沿弓形路徑間隔開，使得相應孔隙之間的距離為約115°至約125°。在更多個實施例中，多個孔隙中的每個孔隙流體地耦接到多個管道系統(tǒng)中的一管道系統(tǒng)，其中多個管道系統(tǒng)中的每個管道系統(tǒng)包括在相應孔隙與相應管道系統(tǒng)終點之間的流動路徑長度，其中多個孔隙中的第一孔隙流體地耦接到第一管道系統(tǒng)，并且第一管道系統(tǒng)具有第一流體路徑長度，該第一流體路徑長度不同于多個孔隙中的一個或多個其他孔隙的流動路徑長度。此外，在實施例中，第一孔隙限定直徑，該直徑不同于多個孔隙中的其他孔隙的直徑。在另外的更多個實施例中，第一流體路徑長度長于多個孔隙中的一個或多個其他孔隙的流動路徑長度，并且第一孔隙限定直徑，該直徑大于多個孔隙中的其他孔隙的對應直徑。在實施例中，第一流體路徑長度短于多個孔隙中的一個或多個其他孔隙的流動路徑長度，并且第一孔隙的直徑小于多個孔隙中的其他孔隙的對應直徑。
5、本技術大體而言也針對用于處理基板的方法。這些方法包括：將氣體引入至處理腔室的腔室主體的第一端部；通過端口適配器系統(tǒng)排空氣體，該端口適配器系統(tǒng)耦接到腔室主體的第二端部；關閉多個閥中的第一閥，同時將多個閥中的至少第二閥維持在打開配置；以及進一步從腔室主體通過端口適配器系統(tǒng)移除氣體。方法包括其中端口適配器系統(tǒng)具有端口適配器主體和多個可獨立地控制的閥的情況，其中多個可獨立地控制的閥流體地耦接到多個孔隙。多個孔隙與處理腔室流體連通，并且沿端口適配器彼此間隔開。
6、在實施例中，方法包括在關閉第一閥之前檢測剩余殘余物和/或非對稱流動路徑。此外，在實施例中，方法包括其中端口適配器系統(tǒng)也包括多個管道系統(tǒng)的情況，多個管道系統(tǒng)中的每個管道系統(tǒng)流體地連接到多個孔隙中的一孔隙，并且進一步包括基于檢測到非對稱流動路徑而校正管道系統(tǒng)路徑長度和管道系統(tǒng)直徑中的一者或多者。在實施例中，方法包括在移除殘余物之后重新打開第一閥。
1.一種處理腔室，包括：
2.如權利要求1所述的處理腔室，其中所述多個孔隙中的每個孔隙沿弓形路徑間隔開，使得相應孔隙之間的距離為約100°至約140°。
3.如權利要求2所述的處理腔室，其中所述多個孔隙中的每個孔隙沿弓形路徑間隔開，使得相應孔隙之間的所述距離為約115°至約125°。
4.如權利要求1所述的處理腔室，其中所述端口適配器系統(tǒng)持久性地或可釋放地附連到所述腔室主體的所述第二端部，或與所述腔室主體整體地形成。
5.如權利要求1所述的處理腔室，其中：
6.如權利要求5所述的處理腔室，其中所述第一孔隙限定直徑，所述直徑不同于所述多個孔隙中的一個或多個其他孔隙的直徑。
7.如權利要求6所述的處理腔室，其中：
8.如權利要求6所述的處理腔室，其中：
9.如權利要求6所述的處理腔室，
10.一種端口適配器，包括：
11.如權利要求10所述的端口適配器，其中所述多個孔隙中的每個孔隙沿弓形路徑間隔開，使得相應孔隙之間的距離為約100°至約140°。
12.如權利要求11所述的端口適配器，其中所述多個孔隙中的每個孔隙沿弓形路徑間隔開，使得相應孔隙之間的所述距離為約115°至約125°。
13.如權利要求10所述的端口適配器，其中：
14.如權利要求13所述的端口適配器，其中所述第一孔隙限定直徑，所述直徑不同于所述多個孔隙中的所述其他孔隙的直徑。
15.如權利要求14所述的端口適配器，其中：
16.如權利要求14所述的端口適配器，其中：
17.一種用于處理基板的方法，包括：
18.如權利要求17所述的方法，進一步包括在關閉所述第一閥之前檢測剩余殘余物和/或非對稱流動路徑。
19.如權利要求18所述的方法，其中所述端口適配器系統(tǒng)進一步包括多個管道系統(tǒng)，所述多個管道系統(tǒng)中的每個管道系統(tǒng)流體地連接到所述多個孔隙中的孔隙，并且所述方法進一步包括基于對非對稱流動路徑的所述檢測而校正管道系統(tǒng)路徑長度和管道系統(tǒng)直徑中的一者或多者。
20.如權利要求18所述的方法，進一步包括在移除所述殘余物之后重新打開所述第一閥。