本申請總體上涉及半導體技術，并且更具體地，涉及半導體封裝件和用于形成半導體封裝件的方法。
背景技術：
1、由于消費者希望他們的電子設備體積更小、速度更快且性能更高，并將越來越多的功能封裝到單個裝置中，半導體行業一直面臨著復雜的集成挑戰。近來，開發了系統級封裝(sip)和雙面塑封(dsm)以提高電子元件的集成度。sip是在單個封裝件中包括例如邏輯芯片、存儲器、集成無源器件(ipd)、rf濾波器、傳感器、散熱器或天線等兩個或更多個異構半導體管芯的功能電子系統或子系統。dsm封裝件具有兩側組裝結構，并且通常采用細間距表面安裝技術(smt)工藝來實現小形狀因子。
2、然而，需要進一步提高半導體封裝件中的電子元件的集成度。
技術實現思路
1、本申請的目的是提供一種用于提高半導體封裝件中的電子元件的集成度的方法。
2、根據本申請的一方面，提供一種用于形成半導體封裝件的方法。所述方法可包括：提供具有頂表面和底表面的基底，其中所述基底的頂表面具有第一區域和第二區域；將第一電子元件和互連結構安裝在所述第一區域上；形成第一密封劑以密封所述第一電子元件和所述互連結構，其中所述第一密封劑形成于所述第一區域中但在所述第二區域外部；在所述第一密封劑上形成導電圖形以與所述互連結構電連接；將第二電子元件安裝在所述第二區域上；以及將第三電子元件安裝在所述第一密封劑上以與所述導電圖形電連接。
3、根據本申請的另一方面，提供一種半導體封裝件。所述半導體封裝件可包括：基底，其具有頂表面和底表面，其中所述基底的頂表面具有第一區域和第二區域；第一電子元件，其安裝在所述第一區域上；互連結構，其安裝在所述第一區域上；第一密封劑，其密封所述第一電子元件和所述互連結構，其中所述第一密封劑形成于所述第一區域中但在所述第二區域外部；導電圖形，其形成于所述第一密封劑上并與所述互連結構電連接；第二電子元件，其安裝在所述第二區域上；以及第三電子元件，其安裝在所述第一密封劑上并與所述導電圖形電連接。
4、應理解，以上一般描述和以下詳細描述兩者僅是示例性和解釋性的并且并不限制本發明。進一步地，并入本說明書中并構成本說明書的一部分的附圖展示了本發明的實施方式并且與說明書一起用于解釋本發明的原理。
1.一種用于形成半導體封裝件的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一密封劑的頂表面與所述第一互連結構的頂表面共面。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，在所述第一密封劑上形成導電圖形包括：
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述導電層通過使用激光圖形化工藝被圖形化。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三電子元件通過倒裝芯片接合安裝在所述第一密封劑上。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一互連結構和/或所述第二互連結構包括銅針。
10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二電子元件的高度大于所述第一電子元件的高度。
11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一電子元件包括分立器件。
12.一種半導體封裝件，其特征在于，所述半導體封裝件包括：
13.根據權利要求12所述的半導體封裝件，其特征在于，所述半導體封裝件還包括：
14.根據權利要求12所述的半導體封裝件，其特征在于，所述第一密封劑的頂表面與所述第一互連結構的頂表面共面。
15.根據權利要求12所述的半導體封裝件，其特征在于，所述第三電子元件通過倒裝芯片接合安裝在所述第一密封劑上。
16.根據權利要求12所述的半導體封裝件，其特征在于，所述半導體封裝件還包括：
17.根據權利要求16所述的半導體封裝件，其特征在于，所述半導體封裝件還包括：
18.根據權利要求16所述的半導體封裝件，其特征在于，其中所述第一互連結構和/或所述第二互連結構包括銅針。
19.根據權利要求12所述的半導體封裝件，其特征在于，所述第二電子元件的高度大于所述第一電子元件的高度。
20.根據權利要求12所述的半導體封裝件，其特征在于，所述第一電子元件包括分立器件。