背景技術：
1、雙極型晶體管可通過接面植入物或深溝槽隔離結構而在集成電路中隔離。此類晶體管的一個特性是反向恢復時間，其可限制晶體管的頻率響應。
技術實現思路
1、在一個方面中，一種電子裝置包含半導體層、基極區、射極區以及第一集極區及第二集極區。所述半導體層在襯底上方延伸，具有頂部表面以及從所述頂部表面延伸到所述半導體層中的隔離槽區。所述基極區具有第一導電型且從所述頂部表面延伸到所述隔離槽區中，并且所述半導體層具有相反的第二導電型。所述射極區具有所述第二導電型且從所述頂部表面延伸到所述基極區中。第一集極區具有所述第二導電型且從所述頂部表面延伸到所述隔離槽區中且與所述基極區間隔開。第二集極區具有所述第一導電型且從所述頂部表面延伸到所述隔離槽區中，與所述基極區及所述集極區間隔開。
2、在另一方面中，一種集成電路包含：外延層，其在半導體襯底上方；隔離結構，其包圍隔離槽區且包含所述外延層的一部分；基極井，其具有第一導電型且延伸到所述隔離槽區中，所述外延層具有相反的第二導電型；以及晶體管端子，其具有所述第二導電型且延伸到所述基極井中。所述集成電路包含：第一井，其具有所述第二導電型且延伸到所述隔離槽區中且與所述基極井間隔開；以及第二井，其具有所述第一導電型且延伸到所述隔離槽區中且與所述基極井間隔開，其中所述晶體管端子、所述基極井、所述隔離槽區及所述第一井形成具有第一極性類型的第一雙極型晶體管，并且所述基極井、所述隔離槽區及所述第二井形成具有第二極性類型的第二雙極型晶體管。
3、在另一方面中，一種制造電子裝置的方法包含：在支撐半導體層的襯底上方的所述半導體層的隔離槽區中形成具有第一導電型的基極區，所述半導體層具有第二導電型；在所述基極區中形成具有所述第二導電型的射極區；在所述隔離槽區中形成具有所述第二導電型且與所述基極區間隔開的第一集極區；以及在所述隔離槽區中形成具有所述第一導電型且與所述基極區及所述集極區間隔開的第二集極區。
1.一種電子裝置，其包括：
2.根據權利要求1所述的電子裝置，其中所述第二集極區以導電方式連接到所述襯底。
3.根據權利要求1所述的電子裝置，其進一步包括：
4.根據權利要求3所述的電子裝置，其中所述深溝槽隔離結構包含：溝槽，其具有側壁襯里以及在所述側壁襯里上的摻雜多晶硅且從所述頂部表面延伸到所述襯底。
5.根據權利要求3所述的電子裝置，其進一步包括具有所述第二導電型的埋入層，所述埋入層在所述半導體層與所述襯底之間且由所述深溝槽隔離結構側向地定界。
6.根據權利要求5所述的電子裝置，其包括第二半導體層，所述第二半導體層具有所述第一導電型且在所述半導體層與半導體襯底之間沿著第三方向延伸。
7.根據權利要求1所述的電子裝置，其進一步包括具有所述第二導電型的埋入層，所述埋入層在所述半導體層與所述襯底之間且由包圍所述隔離槽區的隔離結構側向地定界。
8.根據權利要求1所述的電子裝置，其中所述第二集極區平行于所述基極區的兩個側面沿著所述頂部表面延伸。
9.根據權利要求8所述的電子裝置，其中所述第二集極區平行于所述基極區的三個側面沿著所述頂部表面延伸。
10.根據權利要求9所述的電子裝置，其中所述射極區包含具有所述第二導電型且從所述頂部表面延伸到所述基極區中的多個相鄰射極區例子。
11.根據權利要求1所述的電子裝置，其包括：
12.根據權利要求11所述的電子裝置，其中所述射極區包含具有所述第二導電型且從所述頂部表面延伸到所述基極區中的多個相鄰射極區例子。
13.根據權利要求1所述的電子裝置，其中所述第一導電型為p型，且所述第二導電型為n型。
14.根據權利要求1所述的電子裝置，其中所述射極區包含具有所述第二導電型且從所述頂部表面延伸到所述基極區中的多個相鄰射極區例子。
15.一種集成電路，其包括：
16.一種制造電子裝置的方法，所述方法包括：
17.根據權利要求16所述的方法，其進一步包括形成隔離結構，所述隔離結構側向地包圍所述隔離槽區且接觸所述襯底。
18.根據權利要求16所述的方法，其進一步包括形成金屬化結構，所述金屬化結構借助于深溝槽隔離結構將所述第二集極區以導電方式連接到所述襯底。
19.根據權利要求18所述的方法，其進一步包括在所述半導體層與所述襯底之間形成具有所述第二導電型的埋入層。
20.根據權利要求16所述的方法，其中所述第二集極區沿著所述半導體層的頂部表面平行于所述基極區的兩個側面延伸。