本公開涉及半導體封裝。
背景技術：
1、隨著電子裝置的重量減輕和/或性能改善，期望開發(fā)能夠保護半導體芯片免受電磁干擾（emi）的封裝。在半導體封裝外部具有emi屏蔽結構的半導體封裝的研究和開發(fā)正在進行中。
技術實現(xiàn)思路
1、本公開的一些示例實施方式提供了具有改善的電存儲容量的半導體封裝。
2、本公開的一些示例實施方式提供了具有改善的屏蔽特性的半導體封裝。
3、根據(jù)示例實施方式，一種半導體封裝可以包括：封裝基板，包括多個上焊盤；半導體芯片，在封裝基板上并電連接到所述多個上焊盤中的至少一個；密封層，覆蓋封裝基板的至少一部分和半導體芯片；以及電容器結構，包括第一導電層、第二導電層以及在第一導電層和第二導電層之間的電介質(zhì)層，第一導電層覆蓋密封層的一部分，第二導電層覆蓋封裝基板的一個側表面和密封層的另一部分。
4、根據(jù)示例實施方式，一種半導體封裝可以包括：封裝基板，包括多個上焊盤；半導體芯片，在封裝基板上并電連接到所述多個上焊盤中的至少一個；密封層，配置為覆蓋封裝基板的至少一部分和半導體芯片，密封層包括電連接到第二導電層的連接結構；以及電容器結構，包括第一導電層、第二導電層以及在第一導電層和第二導電層之間的電介質(zhì)層，第一導電層覆蓋密封層的一部分，第二導電層覆蓋封裝基板的一個側表面和密封層的另一部分。
5、根據(jù)示例實施方式，一種半導體封裝可以包括封裝主體、電容器結構、導電結構、基底基板以及第一連接凸塊、第二連接凸塊和第三連接凸塊，封裝主體包括包含第一布線層和第二布線層的封裝基板、在封裝基板上并電連接到第一布線層的半導體芯片、以及配置為覆蓋封裝基板的至少一部分和半導體芯片的密封層，電容器結構包括與封裝主體的一個側表面接觸的第一導電層、與封裝主體的另一個側表面和上表面接觸的第二導電層、以及在第一導電層和第二導電層之間的電介質(zhì)層，導電結構與電容器結構的第二導電層接觸，基底基板包括在封裝主體和導電結構下方并電連接到第一布線層的第一連接布線線路、電連接到第二布線層的第二連接布線線路和電連接到導電結構的第三連接布線線路，第一連接凸塊、第二連接凸塊和第三連接凸塊在基底基板下方并分別電連接到第一連接布線線路、第二連接布線線路和第三連接布線線路。
6、根據(jù)示例實施方式，一種制造半導體封裝的方法可以包括：通過將多個半導體芯片附接到封裝基板的一個表面并使用密封層在封裝基板的所述一個表面上圍繞和密封所述多個半導體芯片來提供第一封裝組件；在垂直于封裝基板的方向上切割第一封裝組件以提供多個封裝主體；將所述多個封裝主體中的一個封裝主體放置在支撐基板上；形成第一導電層，第一導電層包括覆蓋所述一個封裝主體的第一側表面的第一部分以及從第一部分在水平方向上延伸并在所述一個封裝主體的上表面上方的一個或更多個第二部分；形成第二導電層，第二導電層包括覆蓋所述一個封裝主體的另一個側表面的第三部分、從第三部分在水平方向上延伸并與所述一個封裝主體的上表面接觸的第四部分、以及從第三部分在水平方向上延伸并在第四部分上方的第五部分，第一導電層的所述一個或更多個第二部分在第二導電層的第四部分與第五部分之間；以及在第一導電層和第二導電層之間形成電介質(zhì)層。
7、提供第一封裝組件可以進一步包括提供連接結構，連接結構在封裝基板的所述一個表面上并連接到從封裝基板的所述一個表面暴露的多個上焊盤中的對應一個上焊盤，所述多個上焊盤經(jīng)由封裝基板中的連接布線線路連接到封裝基板的另一個表面上的多個連接凸塊。
1.一種半導體封裝，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝，進一步包括：
3.根據(jù)權利要求2所述的半導體封裝，其中
4.根據(jù)權利要求3所述的半導體封裝，其中
5.根據(jù)權利要求4所述的半導體封裝，其中
6.根據(jù)權利要求2所述的半導體封裝，其中
7.根據(jù)權利要求6所述的半導體封裝，其中
8.根據(jù)權利要求6所述的半導體封裝，其中
9.根據(jù)權利要求8所述的半導體封裝，其中
10.根據(jù)權利要求6所述的半導體封裝，其中
11.根據(jù)權利要求10所述的半導體封裝，其中
12.根據(jù)權利要求10所述的半導體封裝，其中
13.根據(jù)權利要求12所述的半導體封裝，其中
14.根據(jù)權利要求6所述的半導體封裝，進一步包括：
15.根據(jù)權利要求14所述的半導體封裝，其中
16.根據(jù)權利要求6所述的半導體封裝，其中
17.一種半導體封裝，包括：
18.根據(jù)權利要求17所述的半導體封裝，其中
19.根據(jù)權利要求18所述的半導體封裝，其中
20.一種半導體封裝，包括：