中子通量密度相對分布測量方法及裝置、中子學參數確定方法及系統與流程

技術特征：

1.一種中子通量密度相對分布測量方法，其特征在于，m個第一光纖中各所述第一光纖分別布置在其一一對應的零功率裝置堆芯的待測位置；各所述第一光纖均填充有中子敏感材料；m為正整數；

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據m個所述發光強度，確定所述零功率裝置的中子通量密度相對分布，包括：

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，各所述第一光纖的尺寸結構和材料構成均相同，且所述第一光纖均包括第一段，所述第一段填充有所述中子敏感材料；

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一體積、所述第一中子反應微觀截面和所述第一單位體積內原子數均滿足公式（2）；

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取各所述待測位置對應的所述第一光纖的發光強度，包括：

6.一種中子學參數確定方法，其特征在于，包括：

7.一種中子通量密度相對分布測量裝置，其特征在于，m個第一光纖中各所述第一光纖分別布置在其一一對應的零功率裝置堆芯的待測位置；各所述第一光纖均填充有中子敏感材料；m為正整數；

8.根據權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述第一確定模塊，具體用于：

9.根據權利要求7所述的裝置，其特征在于，各所述第一光纖的尺寸結構和材料構成均相同，且所述第一光纖均包括第一段，所述第一段填充有所述中子敏感材料；

10.一種中子學參數確定系統，其特征在于，包括：

技術總結
本申請公開一種中子通量密度相對分布測量方法及裝置、中子學參數確定方法及系統，涉及核工業技術領域。M個第一光纖中各第一光纖分別布置在其一一對應的零功率裝置堆芯的待測位置；各第一光纖均填充有中子敏感材料；M為正整數；該方法包括：獲取各待測位置對應的第一光纖的發光強度，以得到M個發光強度；根據M個發光強度，確定各待測位置的中子通量密度相對分布。根據本申請實施例，該方法能夠減少對堆內中子場的擾動，并且能夠快速、簡便地實時監測堆內中子通量密度相對分布。

技術研發人員：張成龍,洪景彥,劉國明,易璇,周夢飛,肖會文,于淼,馮致遠,徐源,張毅誠,賀楷,申騰,朱思陽,董建華,張朔婷,周喆,黃政,王子祺
受保護的技術使用者：中國核電工程有限公司
技術研發日：
技術公布日：2026/6/9