Tft陣列基板結構的制作方法

Tft陣列基板結構的制作方法
【專利摘要】本發明提供一種TFT陣列基板結構，包括第一與第二柵極(11、13)、半導體層(20)、第一與第二源極(31、33)及第一與第二漏極(42、44)，第一柵極(11)與第一漏極(42)在空間上交疊設置形成第一交疊區域(D)，第二柵極(13)與第二漏極(44)在空間上交疊設置形成第二交疊區域(E)，第一柵極(11)對應第一交疊區域(D)具有第一邊緣(113)，第二柵極(13)對應第二交疊區域(E)具有第二邊緣(133)，第一邊緣(113)與第一漏極(42)在空間上斜交，第二邊緣(133)與第二漏極(44)在空間上斜交，當第一、第二漏極(42、44)相對于第一、第二柵極(11、13)發生相對移動時，第一交疊區域(D)與第二交疊區域(E)的面積產生同向變化。
【專利說明】TFT陣列基板結構
【技術領域】
[0001]本發明涉及液晶顯示【技術領域】,尤其涉及一種TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)陣列基板結構。
【背景技術】
[0002]液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display,LCD)具有機身薄、省電、無福射等眾多優點，得到了廣泛的應用，如移動電話、個人數字助理(PDA)、數字相機、計算機屏幕或筆記本電腦屏幕等。
[0003]通常液晶顯示裝置包括殼體、設于殼體內的液晶顯示面板及設于殼體內的背光模組(Backlight module)。如圖1所示,現有的液晶顯示面板包括TFT陣列基板100、位于TFT陣列基板100上方并與之貼合設置的一彩膜基板(Color Filter, CF) 300、設于陣列基板100與彩膜基板300之間的液晶層(Liquid Crystal Layer) 500及密封膠框700，其工作原理是通過在TFT陣列基板100、彩膜基板300間施加驅動電壓來控制液晶層500的液晶分子的旋轉，將背光模組的光線折射出來產生畫面。
[0004]就目前主流市場上的液晶顯示面板而言，按照液晶分子排列方式的不同可分為三大類，分別是TN (扭曲向列)/STN (超級扭曲向列)、IPS (板內切換)/FFS (邊緣切換)及VA(垂直配向)型。其中，VA(Vertical Alignment,垂直配向)型液晶顯示器具有高對比度、寬視角、顏色表現好等優點。但由于VA型顯示器采用的是垂直轉動型的液晶，大視角下會存在色偏現象，針對該現象，目前的設計是將子像素區域劃分為主(main)和次(sub)兩個區域來顯示，主區域和次區域液晶兩側所加電壓不同使主區域和次區域液晶偏轉角不同，從而解決色偏問題。
[0005]如圖2所示，為一現有的用于VA型液晶顯示器的TFT陣列基板結構示意圖，該TFT陣列基板結構包括第一與第二柵極101、103、設于第一與第二柵極101、103上方的半導體層200、設于半導體層200上的第一與第二源極301、303及設于半導體層200上的第一與第二漏極402、404，所述第一與第二柵極101、103電性連接，第一與第二源極301、303電性連接，所述第一柵極101與第一漏極402在空間上交疊設置，形成第一交疊區域A，所述第一柵極101對應第一交疊區域A具有第一邊緣105，其與第一漏極402在空間上垂直相交。所述第二柵極103與第二漏極404在空間上交疊設置，形成第二交疊區域B，所述第二柵極103對應第二交疊區域B具有第二邊緣107，其與第二漏極404在空間上垂直相交。第一漏極402對應第一交疊區域A的部分與第二漏極404對應第二交疊區域B的部分分別呈條形，且兩條形的朝向垂直。第一源極301電性連接于數據線；第一柵極101電性連接于柵極掃描線；第一、第二漏極402、404分別電性連接于主、次區域的像素電極。第一交疊區域A產生第一寄生電容及Cgsl，第二交疊區域B產生第二寄生電容Cgs2。以第一漏極402的條形朝向為豎直方向，當第一、第二漏極402、404相對于第一、第二柵極101、103在豎直方向上相對移動時，第一交疊區域A的面積發生變化，而第二交疊區域B的面積保持不變，從而導致第一寄生電容CgsI發生變化而第二寄生電容Cgs2不變。[0006]根據潰通電壓公式:
【權利要求】
1.一種TFT陣列基板結構,包括:第一與第二柵極(11、13)、設于第一與第二柵極(11、13)上方的半導體層(20)、設于半導體層(20)上的第一與第二源極(31、33)及設于半導體層(20)上的第一與第二漏極(42、44),所述第一與第二柵極(11、13)電性連接,第一與第二源極(31、33)電性連接，所述第一柵極(11)與第一漏極(42)在空間上交疊設置形成第一交疊區域(D)，所述第二柵極(13)與第二漏極(44)在空間上交疊設置形成第二交疊區域(E)，所述第一柵極(11)對應第一交疊區域(D)具有第一邊緣(113)，所述第二柵極(13)對應第二交疊區域(E)具有第二邊緣(133)，其特征在于，所述第一邊緣(113)與第一漏極(42)在空間上斜交，所述第二邊緣(133)與第二漏極(44)在空間上斜交，從而，當第一、第二漏極(42、44)相對于第一、第二柵極(11、13)發生相對移動時，第一交疊區域(D)與第二交疊區域(E)的面積產生同向的變化。
2.如權利要求1所述的TFT陣列基板結構，其特征在于，當第一、第二漏極(42、44)相對于第一、第二柵極(11、13)發生相對移動時，第一交疊區域(D)與第二交疊區域(E)的面積產生相同的變化。
3.如權利要求1所述的TFT陣列基板結構，其特征在于，第一邊緣(113)相對于第一漏極(42)的傾斜方向與第二邊緣(133)相對于第二漏極(44)的傾斜方向相反。
4.如權利要求3所述的TFT陣列基板結構，其特征在于，所述第一漏極(42)對應于第一交疊區域(D)的部分呈條形，第二漏極(44)對應于第二交疊區域(E)的部分呈條形，且兩條形的朝向垂直。
5.如權利要求4所述的TFT陣列基板結構，其特征在于，第一漏極(42)對應第一交疊區域(D)的寬度為Wl，第二漏極(44)對應第二交疊區域(E)的寬度為W2，第一邊緣(113)與第一漏極(42)形成的銳角夾角a I = arccot(W2/Wl)，第二邊緣(133)與第二漏極(44)形成的銳角夾角a 2 = arccot (W1/W2)。
6.如權利要求1所述的TFT陣列基板結構，其特征在于，第一源極(31)呈開口朝上的U形，第二源極(33)呈開口朝右的U形，且第一源極(31)的右部分與第二源極(33)的左部分連接。
7.如權利要求6所述的TFT陣列基板結構，其特征在于，所述第一漏極(42)伸入第一源極(31)的U形開口內，所述第二漏極(44)伸入第二源極(33)的U形開口內。
8.如權利要求1所述的TFT陣列基板結構，其特征在于，所述TFT陣列基板結構用于垂直配向型液晶顯示面板。
9.如權利要求1所述的TFT陣列基板結構，其特征在于，所述TFT陣列基板結構用于曲面液晶顯示面板。
【文檔編號】G02F1/1368GK104007594SQ201410271346
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2014年6月17日 優先權日:2014年6月17日
【發明者】姚曉慧, 許哲豪 申請人:深圳市華星光電技術有限公司