本發明涉及液晶顯示技術領域，具體而言涉及一種陣列基板、液晶顯示面板及液晶顯示裝置。
背景技術：
在基于cof(colorfilteronarray,彩色濾波陣列)技術的液晶顯示面板的結構中，色阻設置于陣列基板一側。在相鄰兩個像素之間，不同顏色的色阻在相接處會產生交疊，出現堆疊隆起，由于不同顏色的色阻的透光率不同，因此會影響顯示品質。另外，一個像素包括tft(thinfilmtransistor,薄膜晶體管)區和開口顯示區，在對tft施加灰階電壓時，陣列基板的各金屬層之間會產生寄生電容，寄生電容的電容耦合效應所產生的電壓，會拉低像素電極所接收到的灰階電壓，影響開口率。于此，如何減小寄生電容，是提升像素開口率的一個研究趨勢。
技術實現要素：
鑒于此，本發明提供一種陣列基板、液晶顯示面板及液晶顯示裝置，能夠消除色阻堆疊隆起對顯示品質的影響，且有助于提升像素開口率。
本發明一實施例的陣列基板，包括襯底基材及依次形成于襯底基材上的第一金屬層、第一絕緣層、半導體層、第二金屬層、第二絕緣層、色阻及第三金屬層，第一金屬層用于形成陣列基板的tft的柵極，第二金屬層用于形成tft的源極和漏極，第三金屬層用于形成陣列基板的像素電極，所述陣列基板還包括第一有機絕緣層和第二有機絕緣層中的至少一個，第一有機絕緣層設置于色阻和第二絕緣層之間，第二有機絕緣層設置于色阻和第三金屬層之間。
本發明一實施例的液晶顯示面板，包括上述陣列基板。
本發明一實施例的液晶顯示裝置，包括上述液晶顯示面板以及為該液晶顯示面板提供光線的背光模組。
有益效果：本發明設計在色阻和第二絕緣層之間設置第一有機絕緣層，和/或在色阻和第三金屬層之間設置第二有機絕緣層，以此增加第二金屬層和第三金屬層之間以及第一金屬層和第三金屬層之間的距離，減少它們之間的寄生電容，從而有助于提升像素開口率；另外，第二有機絕緣層設置于色阻上，相當于將色阻的上表面進行了平坦化處理，從而能夠消除色阻堆疊隆起對顯示品質的影響。
附圖說明
圖1是本發明一實施例的液晶顯示面板的結構剖視圖；
圖2是圖1所示液晶顯示面板一實施例的像素結構示意圖；
圖3是本發明一實施例的陣列基板的一個像素區域的結構俯視圖；
圖4是圖3所示像素區域沿a-a線的結構剖視圖；
圖5是圖3所示像素區域沿b-b線的結構剖視圖；
圖6和圖7是本發明另一實施例的陣列基板的結構剖視圖；
圖8是本發明一實施例的液晶顯示裝置的結構剖視圖。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明所提供的各個示例性的實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。在不沖突的情況下，下述各個實施例及其技術特征可以相互組合。
請參閱圖1，為是本發明一實施例的液晶顯示面板。所述液晶顯示面板10可以為基于va(verticalalignment,垂直配向)技術的液晶顯示面板，其包括相對間隔設置的彩膜基板(colorfiltersubstrate,cf基板)11和陣列基板(thinfilmtransistorsubstrate,tft基板或array基板)12，以及填充于兩基板之間的液晶分子13，液晶分子13位于彩膜基板11和陣列基板12疊加形成的液晶盒內。
彩膜基板11設置有公共電極，該公共電極可以為一整面透明導電膜，例如ito(indiumtinoxide,氧化銦錫)薄膜。
結合圖2所示，陣列基板12包括沿列方向延伸設置的多條數據線21、沿行方向延伸設置的多條掃描線22、以及由多條掃描線22和多條數據線21定義的多個像素區域23。每一像素區域23連接對應的一條數據線21和一條掃描線22，各條掃描線22連接于柵極驅動器以為各像素區域23提供掃描電壓，各條數據線21連接于源極驅動器以對各像素區域23提供灰階電壓。鑒于各個像素區域23的結構相同，本發明下文以圖3所示的一個像素區域23為例進行描述。
請參閱圖3、圖4和圖5，所述陣列基板12包括襯底基材以及依次形成于該襯底基材上的各層結構：第一金屬層m1、第一絕緣層41、半導體層42、第二金屬層m2、第二絕緣層43、有機絕緣層44、色阻45、第三絕緣層46以及第三金屬層m3。
第一金屬層m1可用于形成掃描線22、薄膜晶體管t0的柵極、公共電極40和走線401，該走線401可以橫跨陣列基板12的有效顯示區域，并在有效顯示區域的外圍與彩膜基板11一側的公共電極連接以接收公共電壓信號。公共電極40和陣列基板12的像素電極通過夾持于兩者之間的各層結構絕緣重疊，以形成陣列基板12的存儲電容。
第一絕緣層41又稱柵極絕緣層，其覆蓋于第一金屬層m1上。
第二金屬層m2可用于形成數據線21、薄膜晶體管t0的源極和漏極。
第三金屬層m3可用于形成陣列基板12的像素電極。
在本實施例中，第三絕緣層46、色阻45、有機絕緣層44以及第二絕緣層43開設有暴露薄膜晶體管t0的漏極的接觸孔o1，第三金屬層m3覆蓋于接觸孔o1并與第二金屬層m2連接，從而實現像素電極與薄膜晶體管t0的漏極之間的電連接。
相比較于現有技術中在第二金屬層m2和第三金屬層m3之間僅設置有第二絕緣層43、色阻45和第三絕緣層46，本實施例在第二金屬層m2和第三金屬層m3之間還設置了有機絕緣層44，能夠增加第二金屬層m2和第三金屬層m3之間的距離以及第一金屬層m1和第三金屬層m3之間的距離，從而減少第二金屬層m2和第三金屬層m3之間、以及第一金屬層m1和第三金屬層m3之間的寄生電容，有助于提升像素開口率。
本實施例的有機絕緣層44為覆蓋于第二絕緣層43上的一整面結構，其可以由樹脂等合適材料制得。
本發明還提供有液晶顯示面板10的另一實施例的陣列基板。圖6為本實施例的陣列基板的第一結構剖視圖，其相當于陣列基板沿圖3所示a-a線的結構剖視圖。圖7為本實施例的陣列基板的第二結構剖視圖，其相當于陣列基板沿圖3所示b-b線的結構剖視圖。
結合圖6和圖7所示，陣列基板12包括襯底基材及依次形成于該襯底基材上的各層結構：第一金屬層m4、第一絕緣層71、半導體層72、第二金屬層m5、第二絕緣層73、第一有機絕緣層741、色阻75、第二有機絕緣層742、第三絕緣層76以及第三金屬層m6。
第一金屬層m4可用于形成掃描線22、薄膜晶體管t0的柵極、以及上述公共電極和走線，所述公共電極和走線與圖3所示相同。
第一絕緣層71又稱柵極絕緣層，其覆蓋于第一金屬層m4上。
第二金屬層m5可用于形成數據線21、薄膜晶體管t0的源極和漏極。
第三金屬層m6可用于形成陣列基板22的像素電極。
在本實施例中，第三絕緣層76、第二有機絕緣層742、色阻75、第一有機絕緣層741以及第二絕緣層73開設有暴露薄膜晶體管t0的漏極的接觸孔o2，第三金屬層m6覆蓋于接觸孔o2并與第二金屬層m5連接，從而實現像素電極與薄膜晶體管t0的漏極之間的電連接。
相比較于現有技術中在第二金屬層m5和第三金屬層m6之間僅設置有第二絕緣層73、色阻75和第三絕緣層76，本實施例在第二金屬層m5和第三金屬層m6之間還設置了第一有機絕緣層741和第二有機絕緣層742，能夠增加第二金屬層m5和第三金屬層m6之間的距離以及第一金屬層m4和第三金屬層m6之間的距離，從而減少第二金屬層m5和第三金屬層m6之間、以及第一金屬層m4和第三金屬層m6之間的寄生電容，有助于提升像素開口率。另外，第二有機絕緣層742設置于色阻75上，相當于將色阻75的上表面進行了平坦化處理，從而能夠消除色阻75堆疊隆起對液晶顯示面板10的顯示品質的影響。
本實施例的第一有機絕緣層741和第二有機絕緣層742為覆蓋于色阻75兩側的一整面結構，其可以由樹脂等合適材料制得。
請繼續參閱圖6和圖7，在本實施例的基礎上，本發明還可以不設置第三絕緣層76，而是在色阻75和第三金屬層m6之間僅設置第二有機絕緣層742，通過第二有機絕緣層742既實現上述發明目的，還能夠實現第三絕緣層76的絕緣功能。
本發明實施例還提供一種如圖8所示的液晶顯示裝置80，該液晶顯示裝置80包括上述液晶顯示面板10以及為液晶顯示面板10提供光線的背光模組81。由于該液晶顯示裝置80也可以具有上述陣列基板12的設計，因此亦具有相同的有益效果。
應理解，以上所述僅為本發明的實施例，并非因此限制本發明的專利范圍，凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，例如各實施例之間技術特征的相互結合，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護范圍內。