1.一種用于高通量焦磷酸測序芯片微反應池陣列的制備方法，其特征是，所述微反應池陣列的制備方法包括如下步驟：
步驟1、提供光纖面板(1)，并對所述光纖面板(1)進行所需的清洗；
步驟2、在上述清洗后的光纖面板(1)上涂覆得到su8光刻膠膜(2)；
步驟3、對上述光纖面板(1)以及su8光刻膠膜(2)進行熱烘，在熱烘時，先在65℃～85℃下熱烘5min～15min，然后在95℃～105℃下熱烘10min～20min；在上述烘烤后，降至45℃～65℃下熱烘10min～20min，最后自然冷卻至常溫；
步驟4、對上述su8光刻膠膜(2)進行曝光，以在光纖面板(1)上得到圖形化光刻膠膜；
步驟5、對上述光纖面板(1)以及圖形化光刻膠膜再次熱烘，并在熱烘后置于氮氣環境中冷卻至室溫；其中，在熱烘時，先在65℃～85℃下熱烘10min～20min，然后在90℃～100℃下熱烘15min～25min，再降至45℃～65℃下熱烘10min～20min，最后自然冷卻至常溫；
步驟6、對上述圖形化光刻膠膜進行顯影，以在光纖面板(1)上得到所需的微反應池陣列，所述微反應池陣列內包括若干微反應池(5)，所述微反應池(5)包括垂直于光纖面板(1)上的反應池體(7)以及位于所述反應池體(7)內中心區的池體槽(6)，所述池體槽(6)貫通反應池體(7)。
2.根據權利要求1所述的用于高通量焦磷酸測序芯片微反應池陣列的制備方法，其特征是：在光纖面板(1)上得到微反應池陣列后，將具有微反應池陣列的光纖面板(1)置于烘箱中，其中，先將烘箱的溫度設定在180℃～210℃并保持2h，然后逐步降溫至常溫。
3.根據權利要求2所述的用于高通量焦磷酸測序芯片微反應池陣列的制備方法，其特征是：在逐步降溫過程中，依次將烘箱內的溫度降至150℃、100℃、50℃，最后將烘箱內的溫度降至常溫；其中，在烘箱內的溫度降至150℃后，使得烘箱內溫度在150℃保持10min～15min，烘箱內的溫度降至100℃后，使得烘箱內溫度在100℃保持10min～15min；烘箱內的溫度降至50℃后，使得烘箱內的溫度在50℃保持10min～15min。
4.根據權利要求1或2或3所述的用于高通量焦磷酸測序芯片微反應池陣列的制備方法，其特征是：所述反應池體(7)的深度為30μm，反應池體(7)的側壁厚度為6μm，池體槽(6)的寬度為28μm。
5.根據權利要求1所述的用于高通量焦磷酸測序芯片微反應池陣列的制備方法，其特征是，步驟1中，對光纖面板(1)的清洗過程包括如下步驟：
步驟1.1、將光纖面板(1)置于玻璃水中，并利用超聲清洗后，利用去離子水清洗，在用去離子水清洗后，用氮氣將光纖面板(1)吹干；
步驟1.2、對光纖面板(1)利用等離子體清洗，并在清洗后，依次采用三氯乙烯、丙酮、乙醇對所述光纖面板(1)進行有機清洗，在有機清洗后，利用去離子水對光纖面板(1)進行清洗；
步驟1.3、對上述清洗后的光纖面板(1)采用氮氣吹干，并將吹干后的光纖面板(1)置于110℃～130℃中熱烘20min～40min；在熱烘后，光纖面板(1)降至常溫后，置于氮氣柜中。
6.根據權利要求1所述的用于高通量焦磷酸測序芯片微反應池陣列的制備方法，其特征是，步驟2中，在涂覆得到su8光刻膠膜(2)時包括如下步驟：
步驟2.1、提供su8光刻膠液并靜置排泡，取靜置排泡后的su8光刻膠液10ml并滴在置于勻膠機托盤上的光纖面板(1)上；
步驟2.2、利用勻膠機轉動光纖面板(1)，在轉動時，光纖面板(1)在600r/min～700r/min下轉動10s～20s，然后在2000r/min～2500r/min下轉動30s～40s，最后在800r/min～1000r/min下轉動10s～20s；在轉動結束后，能在光纖面板(1)上得到25μm～30μm的su8光刻膠膜(2)。
7.根據權利要求1所述的用于高通量焦磷酸測序芯片微反應池陣列的制備方法，其特征是，步驟4中，利用365nm的紫外線下對su8光刻膠膜(2)進行曝光，曝光劑量為170mj/cm2～200mj/cm2。
8.根據權利要求1所述的用于高通量焦磷酸測序芯片微反應池陣列的制備方法，其特征是，步驟6中，顯影時，包括如下步驟：
步驟6.1、將光纖面板(1)以及圖形化光刻膠膜泡在顯影液中1min～2min，然后再晃動20s～30s，最后將光纖面板(1)以及圖形化光刻膠膜在顯影液中顯影10min～30min；
步驟6.2、將對光纖面板(1)以及圖形化光刻膠膜利用新的顯影液并顯影6min～12min，在顯影后，利用異丙醇漂洗2min～10min，以在光纖面板(1)上得到所需的微反應池陣列。
9.根據權利要求1或2或3所述的用于高通量焦磷酸測序芯片微反應池陣列的制備方法，其特征是：所述池體槽(6)的橫截面呈六邊形。