本發明屬于半導體材料制備領域，具體涉及一種同步合成兩種相態二維碲化亞銅的方法。
背景技術：
1、二維cu2te因其較低的cu離子遷移能而具備優異的導電性與高載流子遷移率，這引起了研究者的廣泛關注。作為一種空氣穩定性良好的p型半導體，二維cu2te在互補金屬氧化物半導體集成及光電子器件領域展現出顯著優勢。因此，發展能夠精確調控其相態的制備技術，成為推動該材料走向實用化的關鍵。
2、目前，晶體剝離、化學氣相沉積及水熱法等主流方法，均難以通過調控實驗條件制備出兩種相態的cu2te，往往需要依賴繁瑣的后處理步驟，這極大地制約了其應用研究。
技術實現思路
1、本發明的目的在于提供一種同步合成兩種相態二維碲化亞銅的方法，其可合成四方相和六方相的二維cu2te，所得兩種相態的二維cu2te具有較大尺寸，具有半導體特性。
2、為實現上述目的，本發明采用如下技術方案：
3、兩種不同相態的cu2te，其制備方法包括如下步驟：
4、（1）分別稱量一定量gate粉末和kcl，將各原料置于一端封口的石英管底部；
5、（2）以云母作為生長基底，裁剪與云母長寬相當的cu箔，并放置在云母下一同放入石英管中，使云母與粉末原料通過石英管的縮頸分隔開；
6、（3）將直徑略小于石英管的石英柱放在云母上，用分子泵抽真空后將火焰槍對準石英柱位置進行加熱，以利用高溫使石英管與石英柱融合實現封口，從而使石英管內部形成高真空生長環境；
7、（4）將焰封的石英管水平放置于單溫區管式爐中，使石英管底部對準管式爐中心、云母緊靠石英柱端，經加熱反應后得到所述不同相態的cu2te。
8、進一步地，步驟（1）中所用gate粉末和kcl的摩爾比為1:(0.5-0.8)。
9、進一步地，步驟（2）中云母與銅箔的放入位置距離石英管底部13?cm。
10、進一步地，步驟（3）中抽真空至10-1?pa。
11、進一步地，步驟（4）中所述的加熱反應的溫度為600-800?°c，生長溫度為500-600°c，升溫速率為10-20?°c/min，升溫時間為30-80?min，保溫時間為5-40?min。
12、按上述方法制備的二維cu2te具有兩種相態，樣品表現出半導體特性，使其適于場效應晶體管、光電探測器、光電晶體管等的制作。
13、本發明的顯著優點在于：
14、（1）本發明采用化學氣相傳輸法，通過調控升溫速率、生長基底與石英管底部的距離以及保溫時間，成功實現了不同相態二維cu2te的合成。該工藝無需復雜后處理，僅通過保溫時間的優化即可調控產物相態，大幅簡化了流程、降低了能耗與材料成本，具備良好的工藝可控性、重復性與規模化生產潛力。
15、（2）本發明制備的兩種相態的二維cu2te具有半導體特性，對促進電子學和光電子學的發展具有重大意義。
1.一種同步合成兩種相態二維碲化亞銅的方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟（1）中所用gate粉末和kcl的摩爾比為1:(0.5-0.8)。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟（2）中云母與cu箔放入位置距離石英管底部13?cm。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟（3）中抽真空至10-1?pa。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟（4）中所述的加熱反應的溫度為600-800?°c，生長溫度為500-600?°c，升溫速率為10-20?°c/min，保溫時間為5-40?min。
6.一種利用權利要求1-5任一所述方法制備得到的不同相態的二維cu2te。