本發明涉及使用氫氟醚烯烴(hfeo)的熱介質。
背景技術：
1、熱介質在半導體制造中的晶圓的溫度控制、半導體元件、電子部件的冷卻和加熱、服務器的冷卻、熱泵、熱管、恒溫槽的溫度控制等各種熱傳遞手段中使用。
2、作為熱介質，從不燃性、臭氧破壞系數(odp)低等的觀點出發，以往廣泛使用了全氟化碳(pfc)。然而，pfc具有地球溫室效應系數(gwp)高、溫室效應對環境的影響大的問題。
3、因此，作為代替pfc的熱介質，正在研究使用odp低且gwp低、對環境的影響更小的hfe(氫氟醚)(例如，參照專利文獻1)。
4、現有技術文獻
5、專利文獻
6、專利文獻1：日本特表2007-524737號公報
技術實現思路
1、發明要解決的問題
2、熱介質例如在半導體制造的使用了等離子體的干式蝕刻工序中，有時在高電場且高溫環境的嚴酷的條件下使用。因此，對于熱介質，不僅要求導熱性，還要求例如高絕緣性等優異的電特性等。
3、另外，還期望環境負荷比以往的hfe小的熱介質。
4、本發明是鑒于這樣的狀況而完成的，其目的在于提供環境負荷小、且具有高絕緣性的不燃性的熱介質。
5、用于解決問題的方案
6、本發明基于如下發現：具有氟化氫從hfe中脫離的結構的hfeo能夠作為環境負荷小、且具有高絕緣性的熱介質而使用。
7、本發明提供以下的手段。
8、[1]一種熱介質，其包含下述式(1)所示的化合物(a)。
9、ra-o-r1-o-rb?(1)
10、式(1)中，ra為碳原子數2～4的全氟烯基，rb為碳原子數2～4的氟烷基或碳原子數2～4的氟烯基，r1為碳原子數1～4的亞烷基。
11、[2]根據[1]的熱介質，其中，ra的全氟烯基的構成碳-碳雙鍵的任一個碳原子與相鄰的氧原子鍵合。
12、[3]根據[1]或[2]的熱介質，其中，rb的氟烯基的構成碳-碳雙鍵的任一個碳原子與相鄰的氧原子鍵合。
13、[4]根據[1]或[2]的熱介質，其中，rb為具有1個氫原子的碳原子數2～4的氟烷基。
14、[5]根據[1]的熱介質，其中，化合物(a)為1,2,3,3,3-五氟-1-[2-(1,1,2,3,3,3-六氟丙氧基)乙氧基]-1-丙烯、1,2,3,3,3-五氟-1-[3-(1,1,2,3,3,3-六氟丙氧基)丙氧基]-1-丙烯、或1,2,3,3,4,4,4-七氟-1-[2-(1,1,2,3,3,4,4,4-八氟丁氧基)乙氧基]-1-丁烯。
15、[6]根據[1]～[5]中任一項的熱介質，其中，化合物(a)的含量為50質量%以上。
16、[7]根據[1]～[6]中任一項的熱介質，其用于半導體制造裝置中的構成構件的冷卻或加熱。
17、發明的效果
18、根據本發明，能夠提供環境負荷小、且具有高絕緣性的不燃性的熱介質。
1.一種熱介質，其包含下述式(1)所示的化合物(a)，
2.根據權利要求1所述的熱介質，其中，ra的全氟烯基的構成碳-碳雙鍵的任一個碳原子與相鄰的氧原子鍵合。
3.根據權利要求1所述的熱介質，其中，rb的氟烯基的構成碳-碳雙鍵的任一個碳原子與相鄰的氧原子鍵合。
4.根據權利要求1所述的熱介質，其中，rb為具有1個氫原子的碳原子數2～4的氟烷基。
5.根據權利要求1所述的熱介質，其中，化合物(a)為1,2,3,3,3-五氟-1-[2-(1,1,2,3,3,3-六氟丙氧基)乙氧基]-1-丙烯、1,2,3,3,3-五氟-1-[3-(1,1,2,3,3,3-六氟丙氧基)丙氧基]-1-丙烯、或1,2,3,3,4,4,4-七氟-1-[2-(1,1,2,3,3,4,4,4-八氟丁氧基)乙氧基]-1-丁烯。
6.根據權利要求1所述的熱介質，其中，化合物(a)的含量為50質量%以上。
7.根據權利要求1～6中任一項所述的熱介質，其用于半導體制造裝置中的構成構件的冷卻或加熱。