本發明屬于光學器件，具體而言，涉及一種基于su8膠的mems器件及封裝方法。
背景技術：
1、微機電系統(mems)通常利用硅或者非硅材料作為其機械結構，利用微機械加工工藝制作的具有機械特性的傳感器系統。該系統包括傳感器、執行器等微機械部分以及高性能的電子集成線路，是一種收集、分析處理信息和執行動作指令的集成器件。mems器件是在微電子技術的基礎上發展起來的，除了電子器件的基本功能外，mems器件通常還包括可動結構、光學元件、微腔體以及各種功能薄膜等結構，因此對mems器件的封裝也提出了特殊的使用需求，如：大多數mems封裝都需要制作封裝微腔為可動結構提供活動空間；陀螺、紅外傳感器、壓力傳感器等器件需要進行真空封裝，以滿足器件工作的基本條件；光學器件、濾波器、加速度計等需要氣密封裝，防止外界水汽等對器件性能、可靠性產生影響。基于mems封裝技術的特殊性，mems的封裝成本占整個mems器件成本的70％以上，成為mems技術發展和產業化的瓶頸。
2、mems器件的封裝方式主要有圓片級封裝、器件級封裝和系統級封裝。相比與其他封裝方式，圓片級封裝通過一次鍵合完成晶圓上所有器件的封裝，便于批量制造、效率高，極大地降低了mems器件的封裝成本，已經成為mems器件封裝的一個重要發展方向。
3、mems器件圓片級封裝主要采用晶圓鍵合技術，如直接鍵合、陽極鍵合、共晶鍵合、聚合物黏著鍵合等。直接鍵合和陽極鍵合需要借助高溫和強電場實現高性能的鍵合，容易引起摻雜源擴散、金屬引線熔化變形等問題，共晶鍵合工藝復雜、成本高，而采用聚合物作為中間層的黏著鍵合具有鍵合溫度低、工藝靈活、對晶圓表面要求低等優點，非常適合于對封裝真空度要求不高的mems器件。su8膠是一種常用于黏著鍵合的光敏材料，可以通過光刻工藝在封裝晶圓上制作鍵合環，實現器件的氣密封裝，同時su8膠具有良好的絕緣性和流動性，方便mems器件的引線接出。然而，一般需要在mems封裝晶圓上制作幾十甚至幾百微米的微腔為mems器件提供運動空間，對于一些復雜結構的mems器件，還需要制作引線和微孔等，這些復雜結構使得在封裝晶圓上旋涂su8膠非常困難、均勻性差。
技術實現思路
1、有鑒于此，本發明提供了一種基于su8膠的mems器件及封裝方法，以解決上述問題。
2、為解決以上技術問題，本發明提供了一種基于su8膠的mems器件，包括：
3、通過su8膠鍵合環陽極鍵合的結構襯底與封裝晶圓；封裝晶圓開設有凹槽，用于形成運動微腔；吸氣劑沉積于封裝晶圓的運動微腔內；運動微腔還用于容納結構襯底表面設置的mems可動結構；運動微腔外側鋪設有芯片焊盤和金屬引線；封裝晶圓還設置有抗回流凹槽，抗回流凹槽設置在封裝晶圓靠近su8膠鍵合環的一端。
4、作為一種可選方式，芯片焊盤設置在結構襯底的兩端。
5、作為一種可選方式，回流凹槽至少包括兩個。
6、作為一種可選方式，吸氣劑沉積于運動微腔靠近封裝晶圓一側的拐角處。
7、另一方面，本發明還提供了一種基于su8膠的mems器件封裝方法，作為一種可選方式，包括如下步驟：
8、s1、在結構襯底上制作mems可動結構和引線；
9、s2、在封裝晶圓上制作抗回流凹槽、mems器件運動微腔和劃片槽；
10、s3、采用硬掩模在封裝晶圓運動微腔內制作吸氣劑；
11、s4、將su8膠涂敷于封裝晶圓上；
12、s5、對su8膠進行曝光與顯影處理，以在封裝晶圓上形成su8膠鍵合環；
13、s6、將帶有su8膠鍵合環的封裝晶圓與結構襯底對準、鍵合，以進行封裝；
14、s7、沿劃片槽劃片形成獨立封裝的芯片單元。
15、作為一種可選方式，上述s1中的結構襯底為基于體硅工藝制作的mems器件或基于表面工藝制作的mems器件。
16、作為一種可選方式，上述s2中的封裝晶圓為硅晶圓或玻璃晶圓；抗回流凹槽和運動微腔采用刻蝕工藝制作。
17、作為一種可選方式，上述s4中su8膠通過壓膜機涂敷或通過滾筒涂敷，涂敷溫度為50-70℃；
18、其中，su8膠包括三層：pp保護膜、su8膠以及pet襯底；涂敷時，先去除pp保護膜，將露出的su8膠與封裝晶圓面貼合；涂敷結束后，去除pet襯底。
19、作為一種可選方式，上述s5中，對涂敷好的su8膠在紫外光刻機中進行曝光，曝光劑量為50-800mj/cm2；
20、隨后，將su8膠在熱板或烘箱中進行后烘處理，溫度85-95℃，時間5-40分鐘；采用pgmea或環己酮顯影，最終在封裝晶圓上形成su8膠鍵合環。
21、作為一種可選方式，上述s7中，通過兩次劃片實現芯片的分離；
22、其中第一次劃片沿鍵合環外邊緣，劃片深度為封裝晶圓厚度；第二次劃片沿芯片外邊緣，劃片深度為結構襯底、封裝晶圓以及su8膠的厚度值的和。
23、本發明的有益效果為：
24、本發明采用su8膠在帶有微腔的復雜封裝晶圓上制作聚合物鍵合環，工藝簡單、靈活。通過優化su8膠預處理工藝并設計抗回流結構，避免由于su8膠的流動對器件的污染；采用聚合物圓片級鍵合實現mems器件的封裝，通過兩次劃片實現芯片的分離，具有溫度低、應力小、工藝靈活、成本低等優點。
1.一種基于su8膠的mems器件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的一種基于su8膠的mems器件，其特征在于，所述芯片焊盤設置在所述結構襯底的兩端。
3.根據權利要求1所述的一種基于su8膠的mems器件，其特征在于，所述回流凹槽至少包括兩個。
4.據權利要求1所述的一種基于su8膠的mems器件，其特征在于，所述吸氣劑沉積于所述運動微腔靠近所述封裝晶圓一側的拐角處。
5.一種基于su8膠的mems器件封裝方法，其特征在于，包括如下步驟：
6.根據權利要求5所述的一種基于su8膠的mems器件封裝方法，其特征在于，上述s1中的結構襯底為基于體硅工藝制作的mems器件或基于表面工藝制作的mems器件。
7.根據權利要求5所述的一種基于su8膠的mems器件封裝方法，其特征在于，上述s2中的封裝晶圓為硅晶圓或玻璃晶圓；抗回流凹槽和運動微腔采用刻蝕工藝制作。
8.根據權利要求5所述的一種基于su8膠的mems器件封裝方法，其特征在于，上述s4中su8膠通過壓膜機涂敷或通過滾筒涂敷，涂敷溫度為50-70℃；
9.根據權利要求5所述的一種基于su8膠的mems器件封裝方法，其特征在于，上述s5中，對涂敷好的su8膠在紫外光刻機中進行曝光，曝光劑量為50-800mj/cm2；
10.根據權利要求5所述的一種基于su8膠的mems器件封裝方法，其特征在于，上述s7中，通過兩次劃片實現芯片的分離；