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        一種環(huán)保氣體下的絕緣材料電荷積聚的閃絡(luò)實驗裝置的制作方法

        文檔序號:45273576發(fā)布日期:2026-04-17 20:17閱讀:11來源:國知局
        技術(shù)特征:

        1.一種環(huán)保氣體下的絕緣材料電荷積聚的閃絡(luò)實驗裝置,其特征在于,包括:

        2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種環(huán)保氣體下的絕緣材料電荷積聚的閃絡(luò)實驗裝置,其特征在于,所述電壓測量單元包括:

        3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種環(huán)保氣體下的絕緣材料電荷積聚的閃絡(luò)實驗裝置,其特征在于,所述裝置本體包括:

        4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種環(huán)保氣體下的絕緣材料電荷積聚的閃絡(luò)實驗裝置,其特征在于,所述加壓組件包括:

        5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種環(huán)保氣體下的絕緣材料電荷積聚的閃絡(luò)實驗裝置,其特征在于,所述閃絡(luò)單元包括:

        6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種環(huán)保氣體下的絕緣材料電荷積聚的閃絡(luò)實驗裝置,其特征在于,所述承載單元包括:

        7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種環(huán)保氣體下的絕緣材料電荷積聚的閃絡(luò)實驗裝置,其特征在于,所述承載組件包括:

        8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種環(huán)保氣體下的絕緣材料電荷積聚的閃絡(luò)實驗裝置,其特征在于,所述支桿組件包括:

        9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項所述的一種環(huán)保氣體下的絕緣材料電荷積聚的閃絡(luò)實驗裝置,其特征在于,該裝置還包括:

        10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種環(huán)保氣體下的絕緣材料電荷積聚的閃絡(luò)實驗裝置,其特征在于,所述散熱件位于所述承載組件遠離所述加壓組件的一側(cè),且所述散熱件固定于所述腔體內(nèi),所述散熱件內(nèi)部具有介質(zhì)通道;

        11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種環(huán)保氣體下的絕緣材料電荷積聚的閃絡(luò)實驗裝置,其特征在于,所述金屬罐體設(shè)有絕緣氣體注入口,所述絕緣氣體注入口用于向所述腔體內(nèi)注入絕緣環(huán)保氣體。

        12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的一種環(huán)保氣體下的絕緣材料電荷積聚的閃絡(luò)實驗裝置,其特征在于,所述絕緣環(huán)保氣體包括:全氟戊酮。

        13.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種環(huán)保氣體下的絕緣材料電荷積聚的閃絡(luò)實驗裝置,其特征在于,所述金屬罐體周向設(shè)有第一絕緣封蓋、第二絕緣封蓋、第三絕緣封蓋和觀察窗。

        14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的一種環(huán)保氣體下的絕緣材料電荷積聚的閃絡(luò)實驗裝置,其特征在于,所述電荷注入單元包括:

        15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的一種環(huán)保氣體下的絕緣材料電荷積聚的閃絡(luò)實驗裝置,其特征在于,所述電位測量單元包括:


        技術(shù)總結(jié)
        本發(fā)明公開了一種環(huán)保氣體下的絕緣材料電荷積聚的閃絡(luò)實驗裝置,涉及電氣實驗技術(shù)領(lǐng)域,該裝置包括:裝置本體,內(nèi)部具有腔體;閃絡(luò)單元,閃絡(luò)單元的加壓組件位于腔體內(nèi);承載單元,承載單元的承載組件位于腔體內(nèi),承載目標試樣的承載組件能夠相對于裝置本體運動,以靠近或遠離加壓組件;電荷注入單元,電荷注入單元的電荷注入端位于腔體內(nèi),電荷注入端用于對目標試樣注入電荷;電位測量單元,電位測量單元的電位測量端位于腔體內(nèi),電位測量端用于測量目標試樣的電位;電壓測量單元,電壓測量單元的第一測量端位于腔體內(nèi),第一測量端用于測量腔體內(nèi)的光信號,電壓測量單元的第二測量端和裝置本體電連接,第二測量端用于測量裝置本體的電壓信號。

        技術(shù)研發(fā)人員:夏亞龍,陳少卿,毛婳,蘭新生,龍輝,劉舒豪,王燕,田倩倩,王杰,胡仕紅
        受保護的技術(shù)使用者:國網(wǎng)四川省電力公司電力科學研究院
        技術(shù)研發(fā)日:
        技術(shù)公布日:2026/4/16
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