1.一種超低輪廓可用于高頻電路的復(fù)合銅箔，其特征在于，包括銅箔以及包覆在所述銅箔表面的石墨烯層，所述銅箔通過(guò)電沉積工藝制備而成，所述石墨烯層通過(guò)原位化學(xué)氣相沉積工藝制備而成，并且在制備所述石墨烯層之前所述銅箔預(yù)先經(jīng)過(guò)高溫退火處理。
2.如權(quán)利要求1所述的超低輪廓可用于高頻電路的復(fù)合銅箔，其特征在于，所述銅箔的厚度為12～30μm。
3.如權(quán)利要求1或2所述的超低輪廓可用于高頻電路的復(fù)合銅箔，其特征在于，所述石墨烯層為單層或雙層石墨烯。
4.如權(quán)利要求1或2或3所述的超低輪廓可用于高頻電路的復(fù)合銅箔的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
5.如權(quán)利要求4所述的超低輪廓可用于高頻電路的復(fù)合銅箔的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，電解液的硫酸銅濃度為140～180g/l，硫酸濃度為60～100g/l，氯離子濃度為30～70mg/l，聚二硫二丙烷磺酸鈉濃度為5～50mg/l，健那綠b濃度為10～50mg/l，聚乙二醇濃度為30mg/l；老化處理的電流密度為5～15a/dm2，時(shí)間為20～40分鐘。
6.如權(quán)利要求4或5所述的超低輪廓可用于高頻電路的復(fù)合銅箔的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，電沉積參數(shù)為：陰極電流密度15～35a/dm2，沉積時(shí)間35～110分鐘，陰極輥轉(zhuǎn)速?5～25rpm，極間距50～80mm。
7.如權(quán)利要求4或5所述的超低輪廓可用于高頻電路的復(fù)合銅箔的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，稀硫酸的濃度為1wt%，浸漬時(shí)間為30～60秒。
8.如權(quán)利要求4或5所述的超低輪廓可用于高頻電路的復(fù)合銅箔的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，高溫退火處理在ar和h2的混合氣氣氛中進(jìn)行，ar的氣體流量為400～600sccm，h2的氣體流量為30～70sccm，高溫退火處理的升溫速率為20～30°c/min，退火溫度為950～1050°c，退火時(shí)間為20～40分鐘。
9.如權(quán)利要求4或5所述的超低輪廓可用于高頻電路的復(fù)合銅箔的制備方法，其特征在于，步驟（3）中，生長(zhǎng)參數(shù)為：生長(zhǎng)溫度980～1020°c，碳源流量3～15sccm，h2流量20～80sccm，ar流量500sccm，壓力500～2000?pa，生長(zhǎng)時(shí)間15～45分鐘。
10.如權(quán)利要求1或2或3所述的超低輪廓可用于高頻電路的復(fù)合銅箔在高頻/高速通信設(shè)備、鋰離子電池、汽車(chē)電子或高端測(cè)試儀器中的應(yīng)用。