本發(fā)明涉及硅片生產(chǎn)，具體是一種基于臭氧的硅片慢提拉清洗方法。
背景技術(shù)：
1、太陽能電池在實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)中扮演著核心角色，其技術(shù)演進(jìn)與清潔能源轉(zhuǎn)型緊密關(guān)聯(lián)。2023年全球光伏發(fā)電減少二氧化碳排放超12億噸，相當(dāng)于植樹260億棵，每安裝1gw光伏電站，相當(dāng)于：年減碳量≈100萬噸、替代煤炭≈40萬噸、等效森林面積≈2.5萬公頃，國際能源署（iea）預(yù)測(cè)：2050年光伏將提供全球35%電力，成為碳中和第一支柱。
2、目前光伏電池主流技術(shù)更新迭代速度日益加快，從最初的鋁背場(chǎng)電池（aluminiumback?surface?field）、發(fā)射極和背鈍化電池（passivated?emitter?and?rear?cell）?、異質(zhì)結(jié)電池（heterojunction?with?intrinsic?thin?layer）、隧穿氧化層鈍化接觸電池（tunnel?oxide?passivated?contact）到全背接觸電池（all?back?contact）等技術(shù)，電池光電轉(zhuǎn)化效率越來越高。背接觸光伏電池由于其正面無柵線遮擋，減少了入射光的反射，增大了短路電流，使得在上述技術(shù)中效率優(yōu)勢(shì)明顯。但背接觸光伏電池在常規(guī)清洗工藝流程中常會(huì)出現(xiàn)效率損失，使得背接觸光伏電池?zé)o法滿足實(shí)際使用需求：現(xiàn)有清洗流程中，慢提拉工藝和烘干工藝會(huì)使硅片表面形成一種疏松的自然氧化層結(jié)構(gòu)，該自然氧化層結(jié)構(gòu)會(huì)對(duì)鈍化工藝造成影響，導(dǎo)致開路電壓和填充因子降低，從而產(chǎn)生效率損失。
3、基于此，現(xiàn)在提供一種基于臭氧的硅片慢提拉清洗方法，可以消除現(xiàn)有技術(shù)方案存在的弊端。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的在于提供一種基于臭氧的硅片慢提拉清洗方法，以解決背景技術(shù)中的問題。
2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：
3、一種基于臭氧的硅片慢提拉清洗方法，具體包括以下步驟：
4、步驟s1、通過機(jī)械臂提花籃并將裝有硅片的花籃放入慢提拉槽中，使花籃在槽體內(nèi)按照預(yù)設(shè)工藝時(shí)間靜置；
5、步驟s2、向慢提拉槽底部通入臭氧氣體進(jìn)行鼓泡操作，預(yù)設(shè)鼓泡時(shí)間后停止通入臭氧氣體，結(jié)束鼓泡；
6、步驟s3、以預(yù)設(shè)速度緩慢勻速提起花籃，完全提起后將花籃放入烘干槽，完成硅片慢提拉清洗操作；
7、在所述烘干槽內(nèi)對(duì)硅片進(jìn)行烘干操作，使硅片表面形成均勻且致密的自然氧化層，用于實(shí)現(xiàn)后續(xù)硅片加工操作；
8、所述慢提拉槽和烘干槽均設(shè)置在濕法槽式機(jī)中，與慢提拉槽位置相適配的所述濕法槽式機(jī)的外側(cè)安裝有臭氧發(fā)生器。
9、進(jìn)一步地，所述慢提拉槽為包含主槽和副槽的內(nèi)外槽結(jié)構(gòu)，所述慢提拉槽底部設(shè)有均勻分布的臭氧管路，所述臭氧管路的一端與所述臭氧發(fā)生器的輸出端相連接，所述臭氧管路間距為100mm，所述臭氧管路上設(shè)有孔徑一致、等距排布的若干小孔，所述臭氧氣體通過小孔進(jìn)入慢提拉槽內(nèi)部并與純水混合。
10、進(jìn)一步地，所述烘干槽為外置加熱熱源的單槽結(jié)構(gòu)，氣體通過熱源升高溫度經(jīng)過濾芯過濾后進(jìn)入烘干槽內(nèi)進(jìn)行工藝，所述烘干槽的工藝溫度為85℃~105℃，工藝時(shí)間為800s。
11、進(jìn)一步地，所述小孔的直徑為0.5mm，孔距為20mm。
12、進(jìn)一步地，所述臭氧發(fā)生器的最大流量為20l/min。
13、進(jìn)一步地，所述自然氧化層的厚度為0.1~1nm。
14、進(jìn)一步地，所述慢提拉槽的頂部設(shè)有用于抽取逸出氣體的抽風(fēng)設(shè)備，所述抽風(fēng)設(shè)備的工藝壓力為160~180pa。
15、進(jìn)一步地，所述預(yù)設(shè)鼓泡時(shí)間為50s。
16、進(jìn)一步地，所述慢提拉槽的槽體溢流工藝參數(shù)設(shè)定為有籃、連續(xù)和不溢流。
17、進(jìn)一步地，所述慢提拉槽的槽體鼓泡工藝參數(shù)設(shè)定為有籃、連續(xù)和不鼓泡。
18、相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的有益效果如下：
19、本發(fā)明通過向慢提拉槽底部通入臭氧氣體進(jìn)行鼓泡處理，使臭氧與純水充分混合形成均勻的水氧層，在后續(xù)烘干過程中促使硅片表面生成一層致密、均勻的自然氧化層，該氧化層結(jié)構(gòu)致密、缺陷少，能顯著降低半導(dǎo)體界面態(tài)密度，提升載流子傳輸效率，減少量子隧穿導(dǎo)致的漏電流。相較于傳統(tǒng)工藝形成的疏松氧化層，本發(fā)明所形成的氧化層與后續(xù)高溫鈍化工藝的氧化層結(jié)構(gòu)更為匹配，從而有效提升開路電壓與填充因子，最終提高ibc電池的光電轉(zhuǎn)換效率。此外，本發(fā)明僅需在現(xiàn)有濕法槽式機(jī)中加裝臭氧發(fā)生器與管路，易于在產(chǎn)線中推廣應(yīng)用，具有較好的產(chǎn)業(yè)實(shí)用價(jià)值與經(jīng)濟(jì)收益。
1.一種基于臭氧的硅片慢提拉清洗方法，其特征在于，具體包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于臭氧的硅片慢提拉清洗方法，其特征在于，所述慢提拉槽為包含主槽和副槽的內(nèi)外槽結(jié)構(gòu)，所述慢提拉槽底部設(shè)有均勻分布的臭氧管路，所述臭氧管路的一端與所述臭氧發(fā)生器的輸出端相連接，所述臭氧管路間距為100mm，所述臭氧管路上設(shè)有孔徑一致、等距排布的若干小孔，所述臭氧氣體通過小孔進(jìn)入慢提拉槽內(nèi)部并與純水混合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于臭氧的硅片慢提拉清洗方法，其特征在于，所述烘干槽為外置加熱熱源的單槽結(jié)構(gòu)，氣體通過熱源升高溫度經(jīng)過濾芯過濾后進(jìn)入烘干槽內(nèi)進(jìn)行工藝，所述烘干槽的工藝溫度為85℃~105℃，工藝時(shí)間為800s。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于臭氧的硅片慢提拉清洗方法，其特征在于，所述小孔的直徑為0.5mm，孔距為20mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于臭氧的硅片慢提拉清洗方法，其特征在于，所述臭氧發(fā)生器的最大流量為20l/min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于臭氧的硅片慢提拉清洗方法，其特征在于，所述自然氧化層的厚度為0.1~1nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于臭氧的硅片慢提拉清洗方法，其特征在于，所述慢提拉槽的頂部設(shè)有用于抽取逸出氣體的抽風(fēng)設(shè)備，所述抽風(fēng)設(shè)備的工藝壓力為160~180pa。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于臭氧的硅片慢提拉清洗方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)鼓泡時(shí)間為50s。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于臭氧的硅片慢提拉清洗方法，其特征在于，所述慢提拉槽的槽體溢流工藝參數(shù)設(shè)定為有籃、連續(xù)和不溢流。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于臭氧的硅片慢提拉清洗方法，其特征在于，所述慢提拉槽的槽體鼓泡工藝參數(shù)設(shè)定為有籃、連續(xù)和不鼓泡。