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        一種提升LED發(fā)光亮度的隱切機(jī)的制作方法

        文檔序號:13892616研發(fā)日期:2017年閱讀:1250來源:國知局
        技術(shù)簡介:
        本實用新型針對傳統(tǒng)隱切機(jī)忽視爆點間距對LED發(fā)光亮度影響的問題,提出通過激光打點在晶粒內(nèi)部形成改質(zhì)層,優(yōu)化光反射路徑,從而提升LED發(fā)光效率。該設(shè)備集成夾具、旋切片、激光盤及冷卻系統(tǒng),利用激光精準(zhǔn)控制改質(zhì)層參數(shù),改善光在晶粒內(nèi)的漫反射效果,最終實現(xiàn)亮度提升。
        關(guān)鍵詞:激光打點,LED亮度,改質(zhì)層

        本實用新型涉及LED芯片加工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種提升LED發(fā)光亮度的隱切機(jī)。



        背景技術(shù):

        目前,在LED行業(yè)中,隱切機(jī)作為切割工具,主要以劃開晶粒為目的,而在劃開晶粒的過程中,往往忽視了爆點間距大小對LOP的影響。LED晶片發(fā)光來自于外延層,爆點間距大小將影響其對LOP的漫反射效果。



        技術(shù)實現(xiàn)要素:

        為解決上述的技術(shù)問題,本實用新型提出一種提升LED發(fā)光亮度的隱切機(jī),通過激光打點,可以提升LED發(fā)光亮度。

        為實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供了如下技術(shù)方案:

        一種提升LED發(fā)光亮度的隱切機(jī),包括操作臺、設(shè)于所述操作臺上的夾具、設(shè)于所述夾具正上方的旋切片、設(shè)于所述夾具正上方并且和所述旋切片同軸的激光盤;

        所述激光盤的出光位置正對所述夾具所在的位置。

        作為一種可實施方式,所述夾具包括滑移座、升降座、第一夾塊、以及第二夾塊;

        所述滑移座通過滑軌設(shè)于所述操作臺上,并且可以在所述操作臺上橫向滑移;

        所述升降座設(shè)于所述滑移座上;

        所述第一夾塊包括兩個,并且兩個所述第一夾塊橫向地設(shè)于所述滑移座上;

        所述第二夾塊位于所述第一夾塊的中間,并且相對于所述第一夾塊可以縱向活動。

        作為一種可實施方式,所述旋切片和所述激光盤通過托板設(shè)于升降架上,并且在縱向上的位置可調(diào);所述托板上還設(shè)有電機(jī)。

        作為一種可實施方式,所述旋切片和所述激光盤位于所述托板的一側(cè),并且靠近所述夾具;所述電機(jī)位于所述托板的另一側(cè),并且遠(yuǎn)離所述夾具。

        作為一種可實施方式,所述操作臺的表面還設(shè)有向上延伸的供水管。

        本實用新型相比于現(xiàn)有技術(shù)的有益效果在于:

        本實用新型提供了一種提升LED發(fā)光亮度的隱切機(jī),通過激光盤進(jìn)行激光打點,在晶粒內(nèi)部形成改質(zhì)層,改質(zhì)層對LED發(fā)光亮度有一定反射,而且改質(zhì)層的密度、大小和位置,形成裂紋情況,都會影響光在晶粒內(nèi)部的反射效果,從而影響LED發(fā)光亮度。

        附圖說明

        圖1為本實用新型實施例提供的提升LED發(fā)光亮度的隱切機(jī)的第一立體圖;

        圖2為本實用新型實施例提供的提升LED發(fā)光亮度的隱切機(jī)的第二立體圖。

        圖中:1、操作臺;2、夾具;21、括滑移座;22、升降座;23、第一夾塊;24、第二夾塊;3、旋切片;4、激光盤;5、托板;6、升降架;7、電機(jī);8、供水管。

        具體實施方式

        以下結(jié)合附圖,對本實用新型上述的和另外的技術(shù)特征和優(yōu)點進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型的部分實施例,而不是全部實施例。

        參照圖1,本實施例提供了一種提升LED發(fā)光亮度的隱切機(jī),包括操作臺1、設(shè)于操作臺1上的夾具2、設(shè)于夾具2正上方的旋切片3、設(shè)于夾具2正上方并且和旋切片3同軸的激光盤4;激光盤4的出光位置正對夾具2所在的位置。

        在本實施例中,隱切機(jī)通過激光盤4進(jìn)行激光打點,在晶粒內(nèi)部形成改質(zhì)層,改質(zhì)層對LED發(fā)光亮度有一定反射,而且改質(zhì)層的密度、大小和位置,形成裂紋情況,都會影響光在晶粒內(nèi)部的反射效果,從而提升LED發(fā)光亮度。

        參照圖2,本實施例提供了一種提升LED發(fā)光亮度的隱切機(jī),其夾具2包括滑移座21、升降座22、第一夾塊23、以及第二夾塊24;滑移座通過滑軌設(shè)于操作臺1上,并且可以在操作臺1上橫向滑移;升降座22設(shè)于滑移座上;第一夾塊23包括兩個,并且兩個第一夾塊23橫向地設(shè)于滑移座上;第二夾塊24位于第一夾塊23的中間,并且相對于第一夾塊23可以縱向活動。

        在本實施例中,由于是對LED芯片進(jìn)行操作的,因此設(shè)備的相對精度要求較高。因此這里通過三個夾塊來進(jìn)行固定,首先通過兩個第一夾塊23進(jìn)行橫向固定,再通過第二夾塊24進(jìn)行縱向固定。

        再參照圖1,本實施例提供了一種提升LED發(fā)光亮度的隱切機(jī),其旋切片3和激光盤4通過托板5設(shè)于升降架6上,并且在縱向上的位置可調(diào);托板5上還設(shè)有電機(jī)7。并且為了保持平衡,旋切片3和激光盤4位于托板5的一側(cè),并且靠近夾具2;電機(jī)7位于托板5的另一側(cè),并且遠(yuǎn)離夾具2。

        再參照圖1,在一個實施例中,操作臺1的表面還設(shè)有向上延伸的供水管8。可以對設(shè)備進(jìn)行冷卻。

        以上所述的具體實施例,對本實用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步的詳細(xì)說明,應(yīng)當(dāng)理解,以上所述僅為本實用新型的具體實施例而已,并不用于限定本實用新型的保護(hù)范圍。特別指出,對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說,凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi),所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。

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