1.一種靶錠基座，包括由純銅材料制備的底座和圓筒，其特征在于，所述靶錠基座的外表面設(shè)有鎢層或者鉬層。
2.如權(quán)利要求1所述的靶錠基座，其特征在于，所述靶錠基座的表面與鎢層之間設(shè)有降低銅向表面遷移及銅被等離子體再濺射進(jìn)入薄膜的擴(kuò)散阻擋層。
3.如權(quán)利要求1所述的靶錠基座，其特征在于，所述靶錠基座的鉬層的外表面設(shè)有降低電場畸變與微弧觸發(fā)的惰性頂層。
4.一種如權(quán)利要求1至3任一項所述的靶錠基座的制備方法，包括如下步驟：
5.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，在所述真空沉積的過程中，采用離子束輔助沉積所述的鎢層或者鉬層。
6.如權(quán)利要求4或5所述的制備方法，其特征在于，采用ta、nb；tan、nbn、tac或nbc中任一種材料在所述靶錠基座與所述鎢層之間制備擴(kuò)散阻擋層。
7.如權(quán)利要求4或5所述的制備方法，其特征在于，采用ru、ir或pt中任一種材料在所述靶錠基座的鉬層的外表面制備惰性頂層。
8.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述步驟1中，選用高純銅或無氧銅作為所述靶錠基座，保持靶錠基座表面與邊緣圓角區(qū)域的幾何連續(xù)性，避免尖角；對鍍層表面進(jìn)行堿性脫脂、去氧化、純水漂洗與真空烘干；再進(jìn)行微粗化處理。
9.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述步驟2中采用磁控濺射沉積，控制沉積速率，沉積過程中旋轉(zhuǎn)所述靶錠基座，對靶錠基座的邊緣圓角區(qū)進(jìn)行適當(dāng)遮蔽，避免邊緣鍍層過厚。
10.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述步驟3中對所述靶錠基座的外表面進(jìn)行輕微研磨或拋光，使表面粗糙度回到設(shè)定區(qū)間，避免外表面出現(xiàn)顆粒或尖峰狀。