1.一類基于單環苯的共軛聚合物，其特征在于，具有如式i所示的結構通式：
2.根據權利要求1所述的基于單環苯的共軛聚合物，其特征在于，ar為噻吩、呋喃、硒吩、苯、芴、咔唑、硅芴、苯并二噻吩、苯并二硒吩、苯并二呋喃、苯并噻二唑、吩噻嗪、吩噁嗪、聯噻吩、并噻吩、噻吩并環戊二烯、噻吩并吡咯、噻吩并噻咯、吲哚芴、吲哚咔唑、吡咯、吡咯并吡咯二酮、萘酰亞胺、苝酰亞胺及以上所述結構的衍生物中的一種。
3.根據權利要求1所述的基于單環苯的共軛聚合物，其特征在于，ar為如下結構的一種或多種偶聯結構：
4.權利要求1-3任一項所述的基于單環苯的共軛聚合物的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述含單環苯的二溴單元單體選自以下結構中的一種：
6.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，含單環苯的二溴單元單體與含共軛單元ar的單體的摩爾比為1:0.1~1:10。
7.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述催化劑為鈀催化劑；所述聚合反應的反應溫度為100~150℃，反應時間為2~48h，攪拌速率為200~1500?rpm。
8.一種鈣鈦礦太陽能電池，從下至上包括襯底、透明導電陰極、電子傳輸層、鈣鈦礦光活性層、空穴傳輸層和金屬陽極，其特征在于，所述空穴傳輸層由權利要求1-3任一項所述的基于單環苯的共軛聚合物制備而成。
9.根據權利要求8所述的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述襯底為柔性或剛性透明基材；所述透明導電陰極為氧化銦錫、氟摻雜氧化錫或摻鋁氧化鋅中的一種；所述電子傳輸層材料為tio2、sno2或zno中的一種或多種，厚度為10~100nm；所述鈣鈦礦光活性層材料為ch3nh3pbi3、hc(nh2)2pbi3或cspbi3中的一種或多種，厚度為200~1000nm；將所述基于單環苯的共軛聚合物作為空穴傳輸層材料，厚度為10~100nm；所述金屬陽極為銀、金或鋁中的一種或多種，厚度為80~150nm。
10.權利要求8所述的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：在所述鈣鈦礦光活性層上，通過溶液加工法涂覆包含所述基于單環苯的共軛聚合物溶液，經處理后形成所述空穴傳輸層，所述聚合物溶液的濃度為0.1~20?mg/ml，旋涂轉速為1000~5000rpm，旋涂時間為20~60?s，旋涂后于60~150℃退火10~20分鐘。