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        抑制交叉開關(guān)電路中的隨機(jī)電報(bào)噪聲的制作方法

        文檔序號(hào):45271658發(fā)布日期:2026-04-17 20:11閱讀:5來(lái)源:國(guó)知局

        本公開的實(shí)施方式一般涉及包括電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(rram或reram)的交叉開關(guān)電路,更為具體地,涉及用于降低和抑制交叉開關(guān)電路中的隨機(jī)電報(bào)噪聲(rtn)的機(jī)制。


        背景技術(shù):

        1、交叉開關(guān)電路可指一種具有互連導(dǎo)電線的電路結(jié)構(gòu),在互連導(dǎo)電線的交叉點(diǎn)處夾有存儲(chǔ)元件,例如電阻開關(guān)材料。所述電阻開關(guān)材料可包括,例如,憶阻器(也被稱為電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(rram或者reram))。交叉開關(guān)電路可以被用于實(shí)施存內(nèi)計(jì)算應(yīng)用、非易失性固態(tài)存儲(chǔ)器、圖像處理應(yīng)用、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等。


        技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

        1、以下是本公開的簡(jiǎn)要
        技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
        ,用于提供對(duì)本公開的一些方面的基本理解。發(fā)明內(nèi)容不是本公開的廣泛概述。發(fā)明內(nèi)容并非旨在識(shí)別本公開的關(guān)鍵或重要因素,也并非旨在說(shuō)明本公開的特定事項(xiàng)的任何范圍或者權(quán)利要求的任何范圍。發(fā)明內(nèi)容的唯一目的是作為后續(xù)呈現(xiàn)的更詳細(xì)描述的語(yǔ)言簡(jiǎn)化呈現(xiàn)本公開的一些概念。

        2、根據(jù)本公開的一個(gè)或多個(gè)方面,提供一種用于編程交叉開關(guān)電路的方法。所述方法包括執(zhí)行第一編程過(guò)程以將所述交叉開關(guān)電路中的交叉點(diǎn)器件編程到目標(biāo)電導(dǎo)值,其中在所述第一編程過(guò)程期間,至少一個(gè)編程電壓被施加到所述交叉點(diǎn)器件上,所述交叉點(diǎn)器件包括rram器件;通過(guò)處理設(shè)備確定與所述rram器件相關(guān)的第一隨機(jī)電報(bào)噪聲(rtn)值;和鑒于確定與所述rram器件相關(guān)的第一rtn值不在可接受的rtn值的預(yù)定范圍內(nèi),向所述交叉點(diǎn)器件施加第一降噪電壓,其中所述至少一個(gè)編程電壓高于所述第一降噪電壓。

        3、在一些實(shí)施例中,所述方法進(jìn)一步包括:通過(guò)所述處理設(shè)備生成數(shù)字信號(hào)以指示電壓生成器生成所述第一降噪電壓。

        4、在一些實(shí)施例中,與所述交叉點(diǎn)器件相關(guān)的第一rtn值包括表示流經(jīng)所述交叉點(diǎn)器件的電流的信號(hào)的特征。

        5、在一些實(shí)施例中,所述方法進(jìn)一步包括:使用跨阻抗放大器生成表示流經(jīng)所述交叉點(diǎn)器件的電流的信號(hào)。

        6、在一些實(shí)施例中,表示流經(jīng)所述交叉點(diǎn)器件的電流的信號(hào)的特征包括振幅。

        7、在一些實(shí)施例中,所述方法進(jìn)一步包括:在向所述交叉點(diǎn)器件施加第一降噪電壓后,執(zhí)行第二編程過(guò)程以將所述rram器件編程到所述目標(biāo)電導(dǎo)值;通過(guò)所述處理設(shè)備確定與所述rram器件相關(guān)的第二隨機(jī)電報(bào)噪聲(rtn)值;和鑒于確定與所述rram器件相關(guān)的第二rtn值不在可接受的rtn值的預(yù)定范圍內(nèi),向所述交叉點(diǎn)器件施加第二降噪電壓。

        8、在一些實(shí)施例中,所述方法進(jìn)一步包括:執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)額外編程過(guò)程,并向所述交叉點(diǎn)器件施加一個(gè)或多個(gè)額外降噪電壓直到所述交叉點(diǎn)器件的電導(dǎo)與所述目標(biāo)電導(dǎo)值匹配且與所述交叉點(diǎn)器件相關(guān)的rtn值在可接受的rtn值的預(yù)定范圍內(nèi)。

        9、根據(jù)本公開所述的一個(gè)或多個(gè)方面,提供了包括處理設(shè)備的系統(tǒng)。所述處理處理設(shè)備用于執(zhí)行第一編程過(guò)程以將所述交叉開關(guān)電路中的交叉點(diǎn)器件編程到目標(biāo)電導(dǎo)值,其中在所述第一編程過(guò)程期間,至少一個(gè)編程電壓被施加到所述交叉點(diǎn)器件上,所述交叉點(diǎn)器件包括rram器件;確定與所述rram器件相關(guān)的第一隨機(jī)電報(bào)噪聲(rtn)值;和響應(yīng)于確定與所述rram器件相關(guān)的第一rtn值不在可接受的rtn值的預(yù)定范圍內(nèi),從而向所述交叉點(diǎn)器件施加第一降噪電壓,其中所述至少一個(gè)編程電壓高于所述第一降噪電壓。

        10、在一些實(shí)施例中,為了向所述交叉點(diǎn)器件施加第一降噪電壓,所述處理設(shè)備生成至少一個(gè)數(shù)字信號(hào)以指示電壓生成器生成所述第一降噪電壓。

        11、在一些實(shí)施例中,與所述rram器件相關(guān)的第一rtn值包括表示流經(jīng)所述交叉點(diǎn)器件的電流的信號(hào)的特征。

        12、在一些實(shí)施例中,使用跨阻抗放大器生成表示流經(jīng)所述交叉點(diǎn)器件的電流的信號(hào)。

        13、在一些實(shí)施例中,表示流經(jīng)所述交叉點(diǎn)器件的電流的信號(hào)的特征包括振幅。

        14、在一些實(shí)施例中,所述處理設(shè)備進(jìn)一步用于:在向所述交叉點(diǎn)器件施加第一降噪電壓后,執(zhí)行第二編程過(guò)程以將所述rram器件編程到所述目標(biāo)電導(dǎo)值;確定與所述rram器件相關(guān)的第二隨機(jī)電報(bào)噪聲(rtn)值;和響應(yīng)于確定與所述rram器件相關(guān)的第二rtn值不在可接受的rtn值的預(yù)定范圍內(nèi),從而使得第二降噪電壓被施加到所述交叉點(diǎn)器件,其中所述第二降噪電壓不大于連接到所述rram器件的晶體管的閾值電壓。

        15、在一些實(shí)施例中,所述處理設(shè)備進(jìn)一步用于執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)額外編程過(guò)程,并使得一個(gè)或多個(gè)額外降噪電壓被施加到所述交叉點(diǎn)器件直到所述交叉點(diǎn)器件的電導(dǎo)與所述目標(biāo)電導(dǎo)值匹配且與所述交叉點(diǎn)器件相關(guān)的rtn值在可接受的rtn值的預(yù)定范圍內(nèi)。

        16、根據(jù)本公開的一個(gè)或多個(gè)方面,提供了包括指令的非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。當(dāng)被處理設(shè)備訪問(wèn)時(shí),所述非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)使得所述處理設(shè)備執(zhí)行第一編程過(guò)程以將所述交叉開關(guān)電路中的交叉點(diǎn)器件編程到目標(biāo)電導(dǎo)值,其中在所述第一編程過(guò)程期間,至少一個(gè)編程電壓被施加到所述交叉點(diǎn)器件上,所述交叉點(diǎn)器件包括rram器件;通過(guò)處理設(shè)備確定與所述rram器件相關(guān)的第一隨機(jī)電報(bào)噪聲(rtn)值;響應(yīng)于確定與所述rram器件相關(guān)的第一rtn值不在可接受的rtn值的預(yù)定范圍內(nèi),向所述交叉點(diǎn)器件施加第一降噪電壓,其中所述至少一個(gè)編程電壓高于所述第一降噪電壓。


        技術(shù)特征:

        1.一種用于編程交叉開關(guān)電路的方法,包括:

        2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括:通過(guò)所述處理設(shè)備生成數(shù)字信號(hào)以指示電壓生成器生成所述第一降噪電壓。

        3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中與所述交叉點(diǎn)器件相關(guān)的第一rtn值包括表示流經(jīng)所述交叉點(diǎn)器件的電流的信號(hào)的特征。

        4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,進(jìn)一步包括:使用跨阻抗放大器生成表示流經(jīng)所述交叉點(diǎn)器件的電流的信號(hào)。

        5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其中表示流經(jīng)所述交叉點(diǎn)器件的電流的信號(hào)的特征包括振幅。

        6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括:

        7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括:

        8.一種系統(tǒng),包括:

        9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng),其中,為了向所述交叉點(diǎn)器件施加第一降噪電壓,所述處理設(shè)備生成至少一個(gè)數(shù)字信號(hào)以指示電壓生成器生成所述第一降噪電壓。

        10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng),其中與所述rram器件相關(guān)的第一rtn值包括表示流經(jīng)所述交叉點(diǎn)器件的電流的信號(hào)的特征。

        11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng),其中,使用跨阻抗放大器生成表示流經(jīng)所述交叉點(diǎn)器件的電流的信號(hào)。

        12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng),其中表示流經(jīng)所述交叉點(diǎn)器件的電流的信號(hào)的特征包括振幅。

        13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng),其中所述處理設(shè)備進(jìn)一步用于:

        14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中所述處理設(shè)備進(jìn)一步用于執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)額外編程過(guò)程,并使得一個(gè)或多個(gè)額外降噪電壓被施加到所述交叉點(diǎn)器件直到所述交叉點(diǎn)器件的電導(dǎo)與所述目標(biāo)電導(dǎo)值匹配且與所述交叉點(diǎn)器件相關(guān)的rtn值在可接受的rtn值的預(yù)定范圍內(nèi)。

        15.一種非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),包括指令,當(dāng)處理設(shè)備訪問(wèn)這些指令時(shí),使得所述處理設(shè)備用于:

        16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),其中,為了向所述交叉點(diǎn)器件施加第一降噪電壓,所述處理設(shè)備生成至少一個(gè)數(shù)字信號(hào)以指示電壓生成器生成所述第一降噪電壓。

        17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),其中與所述rram器件相關(guān)的第一rtn值包括表示流經(jīng)所述交叉點(diǎn)器件的電流的信號(hào)的特征。

        18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),其中,使用跨阻抗放大器生成表示流經(jīng)所述交叉點(diǎn)器件的電流的信號(hào)。

        19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),其中表示流經(jīng)所述交叉點(diǎn)器件的電流的信號(hào)的特征包括振幅。

        20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),其中所述處理設(shè)備進(jìn)一步用于:


        技術(shù)總結(jié)
        本公開提供用于降低和抑制交叉開關(guān)電路中隨機(jī)電報(bào)噪聲(RTN)的機(jī)制。處理設(shè)備可以執(zhí)行編程過(guò)程以將交叉開關(guān)電路中電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)器件編程到目標(biāo)電導(dǎo)值。然后所述處理設(shè)備可確定與所述RRAM器件相關(guān)的電報(bào)噪聲(RTN)值是否在可接受的RTN值的預(yù)定范圍內(nèi)。如果與所述RRAM器件相關(guān)的RTN值不在可接受的RTN值的預(yù)定范圍內(nèi),可以向所述RRAM器件施加一個(gè)或多個(gè)降噪電壓直到與所述RRAM器件相關(guān)的RTN值處于可接受的RTN值的預(yù)定范圍內(nèi)。

        技術(shù)研發(fā)人員:饒明義,吳明哲,葛寧
        受保護(hù)的技術(shù)使用者:特憶智能科技
        技術(shù)研發(fā)日:
        技術(shù)公布日:2026/4/16
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