1.一種溝槽mosfet的單元布局優化結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的溝槽mosfet的單元布局優化結構，其特征在于，所述多個溝槽結構包括四個常規溝槽(2)和至少一個淺溝槽(3)，所述常規溝槽(2)的深度大于所述淺溝槽(3)的深度，四個所述常規溝槽(2)彼此并行設置；
3.根據權利要求2所述的溝槽mosfet的單元布局優化結構，其特征在于，所述常規溝槽(2)的深度為0.6～3μm；和/或，
4.根據權利要求2所述的溝槽mosfet的單元布局優化結構，其特征在于，所述第一阱區(10)的延伸深度大于所述第二阱區(12)的延伸深度。
5.根據權利要求1至4任一項所述的溝槽mosfet的單元布局優化結構，其特征在于，所述第二導電型摻雜區(14)與所述第二阱區(12)之間設有輕摻雜區(15)，所述輕摻雜區(15)與所述第二導電型摻雜區(14)為同一導電類型，且所述輕摻雜區(15)的摻雜濃度低于所述第二導電型摻雜區(14)的摻雜濃度，所述輕摻雜區(15)在所述外延層(1)厚度方向上位于所述第二導電型摻雜區(14)與所述第二阱區(12)之間。
6.根據權利要求1至4任一項所述的溝槽mosfet的單元布局優化結構，其特征在于，所述柵氧化層(7)的厚度為15～120nm。
7.一種溝槽mosfet的制備方法，其特征在于，所述制備方法用于制備如權利要求1至6任一項所述的溝槽mosfet的單元布局優化結構，所述制備方法包括：
8.根據權利要求7所述的溝槽mosfet的制備方法，其特征在于，所述在所述外延層(1)中形成多個在厚度方向延伸且延伸深度存在差異的溝槽結構的步驟包括：
9.根據權利要求7所述的溝槽mosfet的制備方法，其特征在于，所述在所述溝槽結構之間形成多個阱區的步驟包括：
10.根據權利要求7所述的溝槽mosfet的制備方法，其特征在于，在形成所述第二導電型摻雜區(14)之后，通過再次進行離子注入，在所述第二導電型摻雜區(14)與所述第二阱區(12)之間形成輕摻雜區(15)；