本公開的例示的實施方式涉及蝕刻方法及等離子體處理裝置。
背景技術：
1、在電子設備的制造中，進行了基板的含硅膜的等離子體蝕刻。在等離子體蝕刻中，使用由處理氣體生成的等離子體來進行含硅膜的蝕刻。美國專利申請公開第2016/0343580號說明書中，作為含硅膜的等離子體蝕刻中使用的處理氣體，公開了包含氟碳氣體的處理氣體。日本特開2016-39310號公報中，作為含硅膜的等離子體蝕刻中使用的處理氣體，公開了包含烴氣體及氫氟碳氣體的處理氣體。
2、現有技術文獻
3、專利文獻
4、專利文獻1：美國專利申請公開第2016/0343580號說明書
5、專利文獻2：日本特開2016-39310號公報
技術實現思路
1、發明所要解決的課題
2、本公開提供抑制通過蝕刻而形成的凹部的側壁的形狀異常的技術。
3、用于解決課題的手段
4、在一個例示的實施方式中，提供一種蝕刻方法。蝕刻方法包含：（a）將基板搬入至等離子體處理裝置的腔室內的工序，上述基板具有含硅膜和設置于上述含硅膜上的掩模，上述含硅膜包含選自由氮、磷及硼構成的組中的至少1種元素；和（b）將上述基板暴露于由包含氟化氫氣體的處理氣體生成的等離子體中的工序，上述（b）包含：在上述含硅膜中形成凹部的工序；和在上述凹部的側壁上形成包含上述至少1種元素的保護膜的工序。
5、發明效果
6、根據一個例示的實施方式，能夠抑制通過蝕刻而形成的凹部的側壁的形狀異常。
1.一種蝕刻方法，其包含：（a）將基板搬入至等離子體處理裝置的腔室內的工序，所述基板具有含硅膜和設置于所述含硅膜上的掩模，所述含硅膜包含選自由氮、磷及硼構成的組中的至少1種元素；和
2.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其中，所述含硅膜包含氮，
3.根據權利要求2所述的蝕刻方法，其中，所述含硅膜包含選自由氮化硅膜及氮氧化硅膜構成的組中的至少一者。
4.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其中，所述含硅膜包含含有所述至少1種元素的氧化硅膜。
5.根據權利要求1～4中任一項所述的蝕刻方法，其中，所述含硅膜中所含的所述至少1種元素的比率為10原子%以下。
6.根據權利要求1～4中任一項所述的蝕刻方法，其中，所述含硅膜包含氮，
7.根據權利要求1～4中任一項所述的蝕刻方法，其中，所述含硅膜具有以第1比率包含所述至少1種元素的第1區域和以與所述第1比率不同的第2比率包含所述至少1種元素的第2區域。
8.根據權利要求7所述的蝕刻方法，其中，所述第2區域在所述基板的厚度方向上設置于所述第1區域上，
9.根據權利要求7所述的蝕刻方法，其中，所述第2區域在所述基板的厚度方向上設置于所述第1區域上，
10.根據權利要求7所述的蝕刻方法，其中，所述第2區域在所述基板的面內方向上與所述第1區域并列，
11.根據權利要求1～4中任一項所述的蝕刻方法，其中，所述處理氣體包含選自由含氮氣體、含磷氣體、含碳氣體、含有除氟以外的鹵素的氣體、含硼氣體及含氧氣體構成的組中的至少1種。
12.根據權利要求1～4中任一項所述的蝕刻方法，其中，在所述（b）中，支撐所述基板的基板支撐部的溫度被設定為0℃以下。
13.根據權利要求1～4中任一項所述的蝕刻方法，其中，所述掩模包含選自由硅、碳及金屬構成的組中的至少1種。
14.一種蝕刻方法，其包含：（a）將基板搬入至等離子體處理裝置的腔室內的工序，所述基板具有含硅膜和設置于所述含硅膜上的掩模，所述含硅膜及所述掩模中的至少一者包含選自由氮、磷及硼構成的組中的至少1種元素；和
15.根據權利要求14所述的蝕刻方法，其中，在所述（b）中，通過所述氟化氫蝕刻劑對所述含硅膜進行蝕刻而形成所述凹部。
16.根據權利要求14或15所述的蝕刻方法，其中，所述處理氣體為包含含有氫及氟的化合物的氣體、或包含含氫氣體及含氟氣體的混合氣體。
17.根據權利要求16所述的蝕刻方法，其中，所述化合物的氣體包含選自由氟化氫氣體及氫氟碳氣體構成的組中的至少1種。
18.根據權利要求16所述的蝕刻方法，其中，所述混合氣體中所含的所述含氫氣體包含選自由h2氣、nh3氣、h2o氣、h2o2氣體及氫碳氣體構成的組中的至少1者。
19.根據權利要求16所述的蝕刻方法，其中，所述混合氣體中所含的所述含氟氣體包含選自nf3氣體、sf6氣體、wf6氣體、xef2氣體、氟碳氣體及氫氟碳氣體中的至少1者。
20.一種等離子體處理裝置，其是等離子體處理裝置，具備：