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        層疊體及層疊體的制造方法與流程

        文檔序號(hào):45273667發(fā)布日期:2026-04-17 20:17閱讀:15來源:國(guó)知局

        本發(fā)明涉及一種層疊體及層疊體的制造方法。


        背景技術(shù):

        1、在現(xiàn)代,半導(dǎo)體封裝被用于移動(dòng)電話、平板型終端、其他各種電子設(shè)備。半導(dǎo)體封裝是指,用于保護(hù)精細(xì)的半導(dǎo)體芯片或電子電路等部件免受外部環(huán)境的影響,并將其安裝于印刷配線板等基材的外殼。半導(dǎo)體封裝具有將產(chǎn)生自上述部件的信號(hào)傳送至其他裝置且將來自其他裝置的信號(hào)傳送至上述部件的功能。

        2、在移動(dòng)電話、平板型終端、其他電子設(shè)備中,正在進(jìn)行小型化、輕量化、多功能化,為了對(duì)應(yīng)其需求,在半導(dǎo)體封裝中也有進(jìn)一步的小型化、高集成化、高密度安裝等要求,并且期望例如使用再配線層的配線技術(shù)的進(jìn)步。

        3、例如,在專利文獻(xiàn)1中記載有一種半導(dǎo)體封裝,其具備:半導(dǎo)體晶粒(semiconductor?die);密封材料,密封半導(dǎo)體晶粒;連接器,配置于密封材料上;再配線導(dǎo)電層,配置于上述密封材料上且與上述連接器接觸,并且具備配置于上述密封材料與上述連接器之間的第1導(dǎo)電墊;第2導(dǎo)電墊,與上述再配線導(dǎo)電層接觸;及半導(dǎo)體部件,與上述第2導(dǎo)電墊電連接,其中,上述第1導(dǎo)電性?設(shè)置于比上述第2導(dǎo)電墊更低的高度,第1層間介電質(zhì)層配置于半導(dǎo)體晶粒及上述再配線導(dǎo)電層上,上述第1層間介電質(zhì)層包括開口部,上述開口部的一部分被第1導(dǎo)電性墊及第1電連接器占有,第2層間介電質(zhì)層及第3層間介電質(zhì)層配置于半導(dǎo)體晶粒上及第1層間介電質(zhì)層下,第3導(dǎo)電性墊配置于第2層間介電質(zhì)層上,被第1層間介電質(zhì)層覆蓋,且嵌入第2層間介電質(zhì)層內(nèi),并且配置于第3層間介電質(zhì)層上,且具有連接第1導(dǎo)電性墊與第3導(dǎo)電性墊的橋接結(jié)構(gòu),該橋接結(jié)構(gòu)具備:第1導(dǎo)電性通孔、布線(routingline)及第2導(dǎo)電性通孔,其中,通孔、第1導(dǎo)電性通孔直接連接第1導(dǎo)電性墊與布線,上述布線直接連接第1導(dǎo)電性通孔與第2導(dǎo)電性通孔,第2導(dǎo)電性通孔直接連接布線線與第3導(dǎo)電性墊,整個(gè)布線的底面與第3層間介電質(zhì)層的上表面直接接觸。

        4、以往技術(shù)文獻(xiàn)

        5、專利文獻(xiàn)

        6、專利文獻(xiàn)1:美國(guó)專利申請(qǐng)公開第2023/0089795號(hào)說明書


        技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

        1、發(fā)明要解決的技術(shù)課題

        2、在此,在使用再配線層的半導(dǎo)體封裝等中所使用的層疊體中,要求在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)可靠性優(yōu)異。可靠性是指,持續(xù)發(fā)揮絕緣性、粘接性等所要求的性能的性質(zhì),特別是指在高溫高濕條件下等加速試驗(yàn)后也持續(xù)發(fā)揮絕緣性、粘接性等所要求的性能的性質(zhì)。

        3、本發(fā)明的目的在于提供一種在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)可靠性優(yōu)異的層疊體及上述層疊體的制造方法。

        4、用于解決技術(shù)課題的手段

        5、以下,示出本發(fā)明的代表性實(shí)施方式的例子。

        6、<1>一種層疊體,其具備:

        7、密封層,其包括具有電路的部件和密封材料;

        8、再配線層a,其與上述密封層的一個(gè)面接觸且與上述部件的電路連接;及

        9、再配線層b,其與上述密封層的另一個(gè)面接觸且與上述部件的電路不直接連接,

        10、上述再配線層a及上述再配線層b形成為能夠與其他部件電連接,

        11、上述再配線層a包括絕緣圖案a和存在于絕緣圖案a的圖案之間的導(dǎo)電圖案a,

        12、上述再配線層b包括絕緣圖案b和存在于絕緣圖案b的圖案之間的導(dǎo)電圖案b,

        13、上述絕緣圖案a由如下組合物構(gòu)成,該組合物在230℃固化3小時(shí)而得的固化物在250℃保持1小時(shí)時(shí)的質(zhì)量減少率為10%以下。

        14、<2>根據(jù)<1>所述的層疊體,其中,

        15、上述具有電路的部件為功能性晶粒(functional?die)。

        16、<3>根據(jù)<2>所述的層疊體,其還具備與上述再配線層a電連接的功能性晶粒。

        17、<4>根據(jù)<1>所述的層疊體,其中,

        18、上述具有電路的部件為配線層,并且該層疊體還具備2個(gè)以上的與上述再配線層a電連接的半導(dǎo)體器件。

        19、<5>根據(jù)<1>至<4>中任一項(xiàng)所述的層疊體,其還具備包括配線及絕緣層的電路部件,該電路部件與上述再配線層b連接。

        20、<6>根據(jù)<1>至<5>中任一項(xiàng)所述的層疊體,其中,

        21、上述再配線層a與再配線層b經(jīng)由配線連接。

        22、<7>根據(jù)<1>至<6>中任一項(xiàng)所述的層疊體,其中,

        23、上述再配線層a包括2層以上的包括上述絕緣圖案a及上述導(dǎo)電圖案a而成的層。

        24、<8>根據(jù)<1>至<7>中任一項(xiàng)所述的層疊體,其中,

        25、上述導(dǎo)電圖案a包括線圖案,上述線圖案的最小線寬為0.1~10μm。

        26、<9>根據(jù)<1>至<8>中任一項(xiàng)所述的層疊體,其中,

        27、上述再配線層a的厚度為1~100μm。

        28、<10>根據(jù)<1>至<9>中任一項(xiàng)所述的層疊體,其在上述導(dǎo)電圖案a的至少一部分具有阻擋層。

        29、<11>根據(jù)<1>至<10>中任一項(xiàng)所述的層疊體,其在上述再配線層a的和與上述密封層接觸的面不同的面還包括連接部件a。

        30、<12>根據(jù)<11>所述的層疊體,其中,

        31、上述連接部件a為大致球缺狀。

        32、<13>根據(jù)<12>所述的層疊體,其中,

        33、上述連接部件a的高度為50μm以下。

        34、<14>根據(jù)<11>所述的層疊體,其中,

        35、上述連接部件a為大致柱狀。

        36、<15>根據(jù)<14>所述的層疊體,其中,

        37、上述連接部件a的高度為20μm以下。

        38、<16>根據(jù)<11>所述的層疊體,其中,

        39、上述連接部件a包括平均直徑為5μm以下的接合墊(bonding?pad)結(jié)構(gòu)。

        40、<17>一種層疊體的制造方法,其包括:

        41、密封層形成工序,將具有電路的部件埋入密封材料中,形成在一個(gè)面露出上述部件的電路,而在另一個(gè)面未露出上述部件的電路的密封層;

        42、再配線層a形成工序,在上述密封層的露出上述電路的面形成包括絕緣圖案a和存在于絕緣圖案a的圖案之間的導(dǎo)電圖案a的再配線層a;及

        43、再配線層b形成工序,在上述密封層的未露出上述電路的面形成包括絕緣圖案b和存在于絕緣圖案b的圖案之間的導(dǎo)電圖案b的再配線層b,

        44、在250℃保持上述絕緣圖案a1小時(shí)時(shí)的質(zhì)量減少率為10%以下。

        45、<18>根據(jù)<17>所述的層疊體的制造方法,其中,

        46、上述具有電路的部件為功能性晶粒。

        47、<19>根據(jù)<17>所述的層疊體的制造方法,其中,

        48、上述具有電路的部件為配線層,并且該層疊體的制造方法還包括將上述再配線層a與2個(gè)以上的功能性晶粒接合的工序。

        49、<20>根據(jù)<17>至<19>中任一項(xiàng)所述的層疊體的制造方法,其中,

        50、上述再配線層a形成工序包括將絕緣圖案a形成用組合物應(yīng)用于密封材料上以形成膜的步驟。

        51、<21>根據(jù)<20>所述的層疊體的制造方法,其中,

        52、上述絕緣圖案a形成用組合物含有具有選自由式(2)所表示的重復(fù)單元及式(4)所表示的重復(fù)單元組成的組中的至少1種重復(fù)單元的樹脂。

        53、[化學(xué)式1]

        54、

        55、式(2)中,a1及a2分別獨(dú)立地表示氧原子或-nrz-,r111表示二價(jià)有機(jī)基團(tuán),r115表示四價(jià)有機(jī)基團(tuán),r113及r114分別獨(dú)立地表示氫原子或一價(jià)有機(jī)基團(tuán),rz表示氫原子或一價(jià)有機(jī)基團(tuán)。

        56、[化學(xué)式2]

        57、

        58、式(4)中,r131表示二價(jià)有機(jī)基團(tuán),r132表示四價(jià)有機(jī)基團(tuán)。

        59、<22>根據(jù)<20>或<21>所述的層疊體的制造方法,其中上述絕緣圖案a形成用組合物含有自γ-丁內(nèi)酯、二甲基亞砜及n-甲基-2-吡咯烷酮中的至少1種以上的溶劑。

        60、<23>根據(jù)<20>至<22>中任一項(xiàng)所述的層疊體的制造方法,其中,

        61、上述絕緣圖案a形成用組合物還含有聚合性化合物。

        62、<24>根據(jù)<23>所述的層疊體的制造方法,其中,

        63、上述聚合性化合物包括具有2個(gè)以上的烯屬不飽和鍵的化合物。

        64、<25>根據(jù)<20>至<24>中任一項(xiàng)所述的層疊體的制造方法,其中,

        65、上述絕緣圖案a形成用組合物還含有光聚合引發(fā)劑。

        66、<26>根據(jù)<25>所述的層疊體的制造方法,其中,

        67、上述光聚合引發(fā)劑含有肟化合物。

        68、發(fā)明效果

        69、根據(jù)本發(fā)明,提供一種在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)可靠性優(yōu)異的層疊體及上述層疊體的制造方法。

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